• 關(guān)于輻射發(fā)射的 EMC 預(yù)一致性測試的問題

    對于許多與 EMC 有關(guān)的問題，最佳答案是“視情況而定”，因此可能并非所有情況都只有一個答案。我會嘗試在答案中包含我的假設(shè)。為了清楚起見，對問題進(jìn)行了編輯。

  • LF 能源和索尼計算機(jī)科學(xué)實驗室的名為 Hyphae 的項目，對未來能源的探索

    LF 能源和索尼計算機(jī)科學(xué)實驗室?guī)讉€月前宣布了一個名為 Hyphae 的項目，這是一個微電網(wǎng)計劃，旨在實現(xiàn)可再生能源的點對點分配自動化。這樣做的目標(biāo)是讓微電網(wǎng)更高效，使整個電網(wǎng)更加碳中和，只是為了留在頁面上，在關(guān)于能源的同一頁面上。但這是你的項目之一。你能告訴我你在規(guī)劃的其他項目是什么嗎?未來我們最有可能看到開源微電網(wǎng)部署在哪里?

  • 能源在開源方面的未來，電力系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)未來的模型

    我們現(xiàn)在討論能源，特別是能源在開源方面的未來。為了減緩和阻止氣候變化，我們必須將排放量減少到零。為此，我們需要徹底改變我們的能源系統(tǒng)，只生產(chǎn)可持續(xù)和可再生能源。我們還需要可持續(xù)且更可靠的電網(wǎng)，能夠以最佳方式結(jié)合不同的可再生能源。

  • 通過最新 GaN 器件提高設(shè)備電源效率，降低能源消耗

    從 EPC 的角度來看，我們將通過我們的 GaN 器件推出全新一代技術(shù)。所以那將是一個令人興奮的發(fā)布。我們顯然也期待與我們在汽車行業(yè)以及最近真正起飛的太陽能行業(yè)的合作伙伴公司討論我們在 GaN 方面的所有新技術(shù)。因此，電源解決方案的設(shè)計人員面臨挑戰(zhàn)，并且越來越多地轉(zhuǎn)向所謂的寬帶隙技術(shù)來克服硅的局限性。其中之一是 GaN，您非常了解它。所以正如你在一篇文章中所說，GaN技術(shù)有一個硅無法比擬的優(yōu)勢。這就是將功率器件與信號和數(shù)字器件集成的能力。那么你在哪里押注 GaN，為什么?

  • 電力電子功率器件和氫能源發(fā)展討論

    當(dāng)我們展望未來 100 年的經(jīng)濟(jì)和工業(yè)發(fā)展方向時，電力電子將成為未來的關(guān)鍵部分。如果你看看過去 100 年左右，我們的工業(yè)化是基于化石燃料，無論是我們的家庭、工業(yè)、工作場所還是流動性，它們都基于碳基燃料：石油、天然氣煤……在過去 100 年中顯著的碳排放。

  • 電源管理方面的下一個挑戰(zhàn),效率和熱效應(yīng)

    我們討論電源管理方面的下一個挑戰(zhàn)，例如效率、熱管理和工程中重要的特性。那么最關(guān)鍵的是什么，你對市場有什么建議? 歸根結(jié)底，實際上一切都與效率有關(guān)，不是嗎?正確的?無論您是在談?wù)撛O(shè)備本身的效率，還是正在充電的設(shè)備，您提出的所有這些問題、熱管理、密度，所有這些都真正下降，無法實現(xiàn)或無法改進(jìn)更高的效率。我相信，我讀過美國家庭平均擁有大約 25 臺聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。所以這些是設(shè)備，每一個都需要充電，其中很多是每天充電，有些是永久充電。因此，僅在美國，更不用說歐洲、中國等地的數(shù)億家庭，這就是一個巨大的負(fù)擔(dān)。所以它真的需要被驅(qū)動，對嗎?它需要在效率方面得到全方位的推動。

  • 垂直 GaN 技術(shù)：GaN 在橫向和縱向技術(shù)方面的主要技術(shù)差異

    垂直結(jié)構(gòu)通常被認(rèn)為有利于高電壓、高功率器件，因為它便于電流擴(kuò)散和熱管理，并允許在不增大芯片尺寸的情況下實現(xiàn)高電壓幾乎所有商用的MV/HV Si和SiC功率器件都是基于垂直結(jié)構(gòu)此外，與GaN-on-Si外延相比，GaN-on-GaN同質(zhì)外延層具有更低的位錯密度，(VON)是由GaN的大能帶隙引起的。先進(jìn)的sbd是非?？扇〉?，因為它們結(jié)合了肖特基樣正向特性(具有低VON)和pn樣反向特性(峰值電場從表面移到半導(dǎo)體中)。

  • 垂直 GaN 技術(shù)：在哪些領(lǐng)域會有重大的技術(shù)擴(kuò)張機(jī)會？

    垂直氮化鎵設(shè)備能夠達(dá)到更高的頻率和操作在更高的電壓，這應(yīng)該導(dǎo)致新一代更有效的電力設(shè)備，現(xiàn)在的一些挑戰(zhàn)，具體來說，你正在工作與橫向氮化鎵相比，有什么制造問題，問題降低成本?我想這很重要。所以，我們談?wù)摰氖菍W(xué)術(shù)上的垂直氮化鎵，還是我們可以在市場上找到解決方案?

  • 垂直 GaN 技術(shù)：為什么我們需要垂直的氮化鎵？

    為什么我們需要垂直的氮化鎵?因此，由于輸出電容較小，應(yīng)用中的開關(guān)損耗非常小，與橫向氮化鎵設(shè)備相比，保持這些通過均勻材料的最佳傳輸，而沒有額外的層定向到封裝，并將框架從設(shè)備的頂部和底部離開。

  • Onsemi：使用SIC等功率器件為碳中和做出的貢獻(xiàn)

    為可再生能源提供動力以創(chuàng)造更美好的明天，因此，不僅是 GaN 和 SiC 等寬帶隙半導(dǎo)體，還有圍繞電力電子、智能電網(wǎng)、微電網(wǎng)、宏觀電網(wǎng)、人工智能的多種技術(shù)，都將支持這種擴(kuò)展。我們作為技術(shù)社區(qū)和工程師的責(zé)任是采取行動做某事，所以我們每個人都應(yīng)該邁出第一步。因此，我們不僅對個人負(fù)責(zé)，而且對組織負(fù)責(zé)。那么阻礙零碳和低碳能源更廣泛部署的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸是什么?你認(rèn)為生產(chǎn)太陽能電池板等的所謂稀有材料的競爭?

  • Soitec 看到了采用 SmartSiC 晶圓的電動汽車中的巨大機(jī)遇

    道路運輸?shù)碾姎饣瘜τ趯崿F(xiàn)歐盟的脫碳和氣候變化目標(biāo)至關(guān)重要。對碳化硅襯底的需求經(jīng)歷了巨大的增長，法國絕緣體上硅 (SOI) 晶圓供應(yīng)商 Soitec 開發(fā)了 SmartSiC 技術(shù)，以加速 SiC 在電動汽車中的采用。

    功率器件
    2023-02-02
    SiC Soitec

  • 康寧與 Menlo Micro 合作制作電子開關(guān)介紹

    固態(tài)開關(guān)和機(jī)電繼電器有助于通過電流管理所有設(shè)備的電源。盡管無處不在，但傳統(tǒng)的開關(guān)和繼電器仍存在主要缺點，包括能量損失、成本、重量、尺寸、性能和可靠性。這些固有限制影響了設(shè)計和部署下一代 5G 網(wǎng)絡(luò)以及一切電氣化的能力——快速過渡到電動汽車、可持續(xù)能源和更智能的電網(wǎng)。

  • GaN在能源和電力市場已經(jīng)徹底改變了高功率應(yīng)用

    到目前為止，我們已經(jīng)涉足能源和電力市場數(shù)十年，我們的目標(biāo)確實是為專注于電力轉(zhuǎn)換和儲能應(yīng)用的客戶提供支持，例如交通運輸、可再生能源、重型工業(yè)機(jī)械。我們一直在全球范圍內(nèi)這樣做。所以我想說大約十年前，我們看到對更高效的電源解決方案和高功率密度以及小尺寸的需求在增加。所以這就是為什么我們一直專注于寬帶半導(dǎo)體的早期階段。我指的是氮化鎵或 GaN 和碳化硅。這幫助我們走在了今天采用這些技術(shù)的前沿。

  • ?SiC 和 GaN 都可以為創(chuàng)建下一代智能電網(wǎng)做出貢獻(xiàn)

    SiC 和 GaN 都可以為創(chuàng)建下一代智能電網(wǎng)做出貢獻(xiàn)，以解決能源問題，尤其是在電動汽車方面。那么等待我們的未來是什么?但特別是，從長遠(yuǎn)來看，您認(rèn)為基于 SiC 的功率器件應(yīng)該如何發(fā)展才能滿足下一個更嚴(yán)格的行業(yè)要求?

    功率器件
    2023-01-22
    GaN ?SiC

  • 聊一聊碳化硅，下一波SiC制造的供應(yīng)鏈和成本

    今天，我們就來聊一聊碳化硅，下一波SiC制造，供應(yīng)鏈和成本。SiC 行業(yè)在許多市場都在增長。電動汽車市場正準(zhǔn)備轉(zhuǎn)向 SiC 逆變器，正如特斯拉已經(jīng)做的那樣。作為戰(zhàn)略合作的一部分，梅賽德斯-奔馳已將 onsemi SiC 技術(shù)用于牽引逆變器。因此，SiC 器件的范圍得到了廣泛認(rèn)可，并提供了傳統(tǒng) IGBT 的寬帶隙替代品。

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