• 射頻鏈路中的射頻扼流圈與電感器介紹

    電感是電導(dǎo)體的特性，它阻止流過它的電流發(fā)生變化。它被定義為感應(yīng)電壓與產(chǎn)生感應(yīng)電壓的電流變化率之比，以亨利 (H) 為單位。RF 電感器的電感額定值通常在大約 0.5 納亨 (nH) 或更低到數(shù)百 nH 的范圍內(nèi)。正如下面關(guān)于 RF 電感器結(jié)構(gòu)選擇的部分所述，電感取決于結(jié)構(gòu)、磁芯尺寸、磁芯材料和線圈匝數(shù)。電感器可提供固定或可變電感值。

  • 如何使用 EMI 強化運算放大器來減少電路誤差

    在電磁干擾(EMI) 強化放大器誕生之前，像我們這樣的系統(tǒng)設(shè)計師只能實施自己的濾波方案。其中一些方案奏效了，而另一些則沒有成功，讓我們頭疼不已。

  • 為我們的 MSP430 應(yīng)用設(shè)計更小電源電路

    因此，假設(shè)我們幾乎完成了最新最好的MSP430應(yīng)用程序。所有的錯誤都已被根除，它的工作就像一個魅力。它幾乎準(zhǔn)備好進入主舞臺，但仍有一件事需要注意：電源。畢竟，我們不能指望每個人都用實驗室電源為他們的應(yīng)用程序供電，對吧?

  • 提高雷達系統(tǒng)的動態(tài)性能

    如果我們正在設(shè)計汽車?yán)走_，甚至是商業(yè)或軍用雷達系統(tǒng)，我們都會受到物理學(xué)的約束。我想改變這一點，但我在大學(xué)里的許多老教授都說“有些規(guī)則可以改變，有些自然法則是不可動搖的”。無線電傳輸中的路徑損耗就是其中之一。因此，如果我們想讓雷達看得更遠，就需要提高系統(tǒng)的動態(tài)范圍。

  • 發(fā)展更高效的能源電網(wǎng)電源

    智能電網(wǎng)的目的是允許通過電源進行通信以提高電網(wǎng)的效率。這是通過確保連接到電網(wǎng)的任何設(shè)備不僅對預(yù)期功能具有高能效，而且將以最有效的方式使用能源，最大限度地減少峰值功耗和平均整體功耗來實現(xiàn)。

  • 介紹有損耗和無損耗電流測試方法

    只需使用電阻器即可測量電流。 每個人都知道歐姆定律：V=IR。通過測量已知電阻器上的電壓，可以確定電流。圖 1 顯示了一個非常簡單的圖表，說明了如何測量電源輸出中的電流。

  • 如何避免傳導(dǎo) EMI 問題的4 個基本技巧

    大多數(shù)傳導(dǎo) EMI 問題是由共模噪聲引起的。 此外，大多數(shù)共模噪聲問題是由電源中的寄生電容引起的。 開關(guān)電源本質(zhì)上具有高 dV/dt 的節(jié)點。將寄生電容與高 dV/dt 混合會產(chǎn)生 EMI 問題。當(dāng)寄生電容的另一端連接到電源的輸入端時，少量電流會直接泵入電源線。

  • 霍爾傳感器的應(yīng)用舉例

    霍爾傳感器最著名的作用之一是與 BLDC 電機共同作為電子換向器的傳感器。

  • 電源提示：ACDC 手機和平板電腦充電器

    很明顯，智能手機和平板電腦時代幾乎改變了每個人的生活。然而，電源設(shè)計人員可能是唯一注意到這些產(chǎn)品的制造商也徹底改變了 AC/DC 適配器的人。畢竟，沒有人愿意將他們的小型智能手機插入一個巨大的電源。

  • 如何有效地為運算放大器供電

    在許多應(yīng)用中，例如溫度傳感，需要兩個電源電壓來為系統(tǒng)中的運算放大器供電——一個正電壓和一個負電壓。放大器需要這種雙電源，以便正確測量非常接近或什至低于地面的信號。如果運算放大器的負電源輸入僅接地并使用單個正電源電壓，則這些信號將無法正確處理。 對于看到這些用例的放大器來說，負電壓和正電壓都至關(guān)重要。

  • 物聯(lián)網(wǎng)和 PoE：完美匹配

    本文我將稍微改變一下并談?wù)撘粋€以太網(wǎng)供電 (PoE) 的潛在應(yīng)用——連接物聯(lián)網(wǎng) (IoT)。通常，物聯(lián)網(wǎng)的描述涉及智能電網(wǎng)應(yīng)用，其中設(shè)備直接連接到配電網(wǎng)絡(luò)，或具有無線連接的小型電池供電設(shè)備。家庭中的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備要么需要比電池提供更多的電力，要么是固定的并且可以使用有線電源，或者兩者兼而有之?我認為啟用這種類型的物聯(lián)網(wǎng)的最佳答案是 PoE。

  • 注意柵極驅(qū)動電源發(fā)展

    這有點像灰姑娘或丑小鴨的童話故事：多年來，各種類型、大小和速度的處理器都是一般媒體關(guān)注的迷人主題以及主要的研發(fā)投資。與此同時，功率器件——主要是基于硅的 MOSFET 和 IGBT——顯然被低估了，并且作為本應(yīng)乏味的功率利基市場的一部分在背景中萎靡不振。

  • 用于電氣化的下一代 GaN發(fā)展，第二部分

    在半導(dǎo)體外延材料制造過程中，會產(chǎn)生位錯，即材料中的缺陷。半導(dǎo)體中的缺陷越多，可以在晶片上生產(chǎn)的可用器件就越少，這會增加成本。此外，不良的材料界面會導(dǎo)致更高的器件通道電阻，從而導(dǎo)致更多的能量在運行過程中被浪費，從而降低芯片的能效。

  • 用于電氣化的下一代 GaN發(fā)展，第一部分

    GaN 半導(dǎo)體是未來節(jié)能電動汽車和 5G 網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵組成部分?？偛课挥谌鸬渎〉碌某鮿?chuàng)公司 Hexagem 正在瑞典研究機構(gòu)RISE 測試平臺 ProNano開發(fā)一種解決方案，旨在為更大的電氣化和可持續(xù)的未來做出貢獻。

  • 用于電機控制系統(tǒng)的微控制器

    一些微控制器設(shè)計用于同時控制空調(diào)、洗衣機和洗碗機等設(shè)備中的多個永磁電機。此外，通用逆變器、不間斷電源 (UPS) 以及供暖系統(tǒng)、通風(fēng)系統(tǒng)和溫度調(diào)節(jié)應(yīng)用等工業(yè)應(yīng)用可以實現(xiàn)各種 MCU 解決方案。

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