• 退役電池是儲能系統(tǒng)的可行選擇

    尋找一種技術(shù)上有吸引力且具有成本效益的方式來存儲間歇性能源(如太陽能和風(fēng)能)的能量是一項重大挑戰(zhàn)，但有許多可能的解決方案。顯然，這里沒有單一的“最佳”解決方案，因為它取決于所需的電容量、充電、放電和使用周期、物理位置、成本和許多其他因素。當(dāng)然，清單包括但不限于儲存的水、重力和重量、飛輪、熔鹽、壓縮氣體和電池。

  • 無鋰和無鈷電池？Alsym Energy 押注于可持續(xù)發(fā)展

    總部位于馬薩諸塞州的公司 Alsym Energy 旨在通過保持高性能和安全性但低成本的無鋰和無鈷電池提供可持續(xù)性。 Alsym 的科學(xué)家團隊努力提供和傳播能量密集的“綠色”電池，其價格幾乎全世界任何人都能負擔(dān)得起，從而避免了當(dāng)前電池的其他一些缺點，從采礦對環(huán)境的影響到鋰離子電池會著火。Alsym 成立于 2015 年，截至目前，Alsym 已從 Helios Climate Ventures 等投資者那里籌集了 3200 萬美元。

  • 新型數(shù)字電流傳感器提高了惡劣環(huán)境中的可靠性，第一部分

    電流傳感器在許多電子應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用，可讓您提高應(yīng)用效率并監(jiān)控電流以避免可能出現(xiàn)的故障或故障。 多年來電流傳感器所經(jīng)歷的技術(shù)發(fā)展導(dǎo)致了集成電流傳感器的誕生，此外還提供了高水平的精度和可靠性，這些傳感器采用標準封裝，占地面積非常小。最新一代的傳感器具有高壓隔離特性、高度的外部電磁場抗擾度和卓越的精度，使其成為測量工業(yè)、汽車、智能儀表、光伏、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器中的 AC 和 DC 電流的理想解決方案.

  • 新型數(shù)字電流傳感器提高了惡劣環(huán)境中的可靠性，第二部分

    隨著人民的生活水平日益的提高，汽車應(yīng)用的普及，使得汽車尾氣污染越來越嚴重，尤其是首都北京，天津，河北，重度污染天氣已經(jīng)超過全年的一半，嚴重影響了人們的健康，國家領(lǐng)導(dǎo)也相應(yīng)的采取措施，其中電動汽車的支持就是一項，電動汽車也很受老百姓喜歡，電動汽車的電源啟動系統(tǒng)中電流傳感器起到很大的作用。

  • 電動汽車電池“護照”推動我們實現(xiàn)碳中和

    轉(zhuǎn)向電氣化并非沒有缺點。例如，除了回收電池組件的隱性費用外，采礦和生產(chǎn)電池所用原材料的碳足跡與尾氣排放的碳足跡相當(dāng)。 許多初創(chuàng)公司提出了一個功能齊全的循環(huán)經(jīng)濟作為實現(xiàn)凈零碳排放的一種方式。為了使電動汽車可持續(xù)發(fā)展，在提取基本原材料時必須遵守社會和環(huán)境標準。這些材料也必須回收。Circulor 的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Douglas Johnson-Poensgen 表示，為了實現(xiàn)氣候目標，我們必須將可追溯性與循環(huán)性結(jié)合起來。

  • 抗輻射功率器件：第 2 部分 WBG 器件和封裝選項

    在關(guān)于抗輻射功率器件的第 2 部分中，我們將探討 WBG 半導(dǎo)體在該領(lǐng)域的一些優(yōu)勢，特別是 SiC MOSFET 和 GaN HEMT。還將總結(jié)一些包括低成本塑料產(chǎn)品的包裝選擇。

  • 抗輻射分立功率器件：第 1 部分 — Si MOSFET

    用于 5G、物聯(lián)網(wǎng)和其他各種用途的商業(yè)天基通信出現(xiàn)了巨大的增長，Starlink 和 OneWeb 等星座的推出就是明證。這補充了軍事和科學(xué)衛(wèi)星的使用，后者也出現(xiàn)了大幅增長。這些應(yīng)用所需的半導(dǎo)體功率器件，例如衛(wèi)星總線電壓到終端應(yīng)用的DC/DC 轉(zhuǎn)換，與地面商業(yè)或汽車對應(yīng)器件相比，需要滿足某些獨特的可靠性標準，因為它們存在于敵對環(huán)境中。環(huán)境。這既意味著可預(yù)測的輻射暴露——例如來自地球周圍的范艾倫帶——也意味著不可預(yù)測的事件，例如太陽耀斑。

  • 頻率折返的工作方式：固定頻率折返

    輸出短路后輸出電壓非常低，電感的激磁電流di/dt變得非常大，去磁電流di/dt變得非常小，工作幾個開關(guān)周期后電感激磁的起始電流不斷增加，極端情況下電感可能發(fā)生飽和，電感值L降低到非常低的值。

  • GAAFET，是什么技術(shù)？

    美國計劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術(shù)制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國大陸，GAA（環(huán)繞柵極）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管）？

  • GaN半橋電源集成電路最大限度地提高性能，降低成本

    氮化鎵是一種具有較大帶隙的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，已成為精密電力電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵。它比硅快20×，可以提供高達3×的功率或充電，其尺寸和重量是硅器件的一半。

  • GaN HEMT：一些器件特性和應(yīng)用權(quán)衡，第二部分

    在電機驅(qū)動應(yīng)用中，功率器件需要承受過載或故障條件，這些條件會造成器件處于高電壓和高電流導(dǎo)通狀態(tài)且器件處于飽和狀態(tài)。高溫會導(dǎo)致災(zāi)難性的破壞。功率器件及其柵極驅(qū)動器需要協(xié)同工作才能關(guān)閉器件，之前將 1us 視為正常響應(yīng)時間。幾項關(guān)于 GaN HEMT 的研究報告了更短的 SCWT 時間，這被認為是來自高電流密度，尤其是在低 Rdson 器件中。隨著 Vds 升高，SCWT 急劇下降，許多研究表明 Vds ≥ 400V 時小于 500ns。

  • GaN HEMT：一些器件特性和應(yīng)用權(quán)衡，第一部分

    GaN HEMT 器件處于創(chuàng)造新機會以及在廣泛的功率轉(zhuǎn)換和功率傳輸應(yīng)用中取代現(xiàn)有的硅基設(shè)計的最前沿。在本文中，我們將回顧一些更廣泛使用的 HEMT 的一些關(guān)鍵器件特性，并嘗試強調(diào)每個方面的一些權(quán)衡。

  • EMI 噪聲，用于抑制 EMI 的組件

    電磁干擾 (EMI) - 由源、路徑和受害者組成 - 是電氣和電子系統(tǒng)中的一個問題。一些系統(tǒng)會發(fā)出噪音，而另一些則容易受到噪音的影響，還有一些系統(tǒng)會發(fā)出噪音并受到噪音的影響。然而，可以通過幾家值得信賴的供應(yīng)商輕松獲得可用于在幾乎任何應(yīng)用中有效過濾 EMI 的各種組件。

  • EMI 噪聲，箱級 EMI噪聲抑制

    到目前為止，我們已經(jīng)討論了滿足 EMC 標準所必需的板級 EMI 抑制解決方案。然而，對于封閉系統(tǒng)不能免疫甚至發(fā)射 EMI 的應(yīng)用，它們可能還不夠。此類應(yīng)用(包括醫(yī)療、航天、航空航天和其他關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng))需要盒級 EMI 濾波。

  • 不要讓EMI 噪聲成為我們的問題

    電磁干擾 (EMI) 是所有電氣和電子電路中的一個問題。這個由六部分組成的系列將討論用于減輕 EMI 噪聲排放的可用組件解決方案;如何使您的電路不易受 EMI 影響;以及針對汽車、醫(yī)療、植入式和空間應(yīng)用的特定 EMI 考慮因素。在第一篇文章中，我將介紹 EMI 以及用于降低 EMI 噪聲排放的可用組件解決方案。

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