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英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導體預測報告》：GaN將在多個行業(yè)達到應用臨界點，進一步提高能源效率
【2025年2月26日, 德國慕尼黑訊】在全球持續(xù)面臨氣候變化和環(huán)境可持續(xù)發(fā)展挑戰(zhàn)之際，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY)一直站在創(chuàng)新前沿，利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在內(nèi)的所有相關(guān)半導體材料大幅推動低碳化和數(shù)字化領(lǐng)域的發(fā)展。
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SiC 功率半導體市場起飛 電動車為主要驅(qū)動力
在全球倡導節(jié)能減排、可持續(xù)發(fā)展的大背景下，新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，而其中電動車的崛起尤為引人注目。電動車的快速普及，正成為 SiC(碳化硅)功率半導體市場騰飛的核心驅(qū)動力。SiC 功率半導體憑借其卓越的性能優(yōu)勢，在電動車領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應用潛力，推動著整個市場規(guī)模的迅速擴張。
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CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動在全球功率半導體領(lǐng)域的增長
2025年2月19日 英國劍橋- 氮化鎵(GaN)功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國企業(yè)發(fā)展基金(BGF)、劍橋創(chuàng)新資本公司(CIC)、英國展望集團(Foresight Group)和 IQ Capital 的支持。
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羅姆功率半導體產(chǎn)品概要
近年來，全球耗電量逐年增加，在工業(yè)和交通運輸領(lǐng)域的增長尤為顯著。另外，以化石燃料為基礎(chǔ)的火力發(fā)電和經(jīng)濟活動所產(chǎn)生的CO2(二氧化碳)排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此，為了實現(xiàn)零碳社會，努力提高能源利用效率并實現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標。
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蔚華科與恩艾（艾默生/NI）擴大結(jié)盟合作 共建亞太區(qū)首座功率半導體動態(tài)可靠度驗證實驗室
新竹2025年1月14日 /美通社/ -- 半導體封裝測試解決方案專業(yè)品牌蔚華科技（TWSE: 3055）與經(jīng)銷合作伙伴恩艾（艾默生/NI）宣布將共同建置亞太區(qū)首座功率半導體動態(tài)可靠度驗證實驗室，瞄準亞太地區(qū)功率半導體芯片在車規(guī)驗證的需求，為亞太地區(qū)半導體制造業(yè)客戶就近提供驗證服...
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邁向更綠色的未來：GaN技術(shù)的變革性影響
過去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長[1]。
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安森美榮獲2024年亞洲金選車用電子解決方案供應商獎及年度最佳功率半導體獎
彰顯安森美在汽車工程界的領(lǐng)先地位及對功率半導體技術(shù)的杰出貢獻
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徠木股份攜創(chuàng)新產(chǎn)品亮相2024年慕尼黑國際電子展
上海2024年11月14日 /美通社/ -- 11月12日-15日，2024年慕尼黑國際電子展在德國慕尼黑展覽中心舉行。上海徠木電子股份有限公司（以下簡稱"徠木股份"）攜一系列創(chuàng)新產(chǎn)品參展（展位號：C6 375），全面展示公司在全球汽車電子、通信、光伏儲能、功率半導體等多個領(lǐng)域的...
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英飛凌攜手AWL-Electricity通過氮化鎵功率半導體優(yōu)化無線功率
【2024年10月21日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布與總部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作關(guān)系，后者是兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸技術(shù)的領(lǐng)導者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN? GS61008P，幫助該公司開發(fā)先進的無線功率解決方案，為各行各業(yè)開辟解決功率難題的新途徑。
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是德科技推出適用于功率半導體的3kV高壓晶圓測試系統(tǒng)
是德科技(Keysight Technologies, Inc.)近日推出全新的 4881HV 高壓晶圓測試系統(tǒng)，進一步擴展了其半導體測試產(chǎn)品組合。該解決方案通過在一次性測試中高效完成高達3kV的高低壓參數(shù)測試，從而顯著提升了功率半導體制造商的生產(chǎn)效率。
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英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術(shù)，推動行業(yè)變革
憑借這一突破性的?300 mm GaN技術(shù)，英飛凌將推動GaN市場快速增長 利用現(xiàn)有的大規(guī)模300 mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率 300 mm GaN的成本將逐漸與硅的成本持平 德國慕尼黑和奧地利菲拉赫2024年9月12日 /美...
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英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術(shù)，推動行業(yè)變革
【2024年9月11日，德國慕尼黑和奧地利菲拉赫訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項300 mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項突破將極大地推動GaN功率半導體市場的發(fā)展。相較于 200 mm晶圓，300 mm晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進，也因為晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的芯片數(shù)量增加了 2.3 倍，效率也顯著提高。
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英飛凌于馬來西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導體晶圓廠
馬來西亞總理、吉打州州務大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項目的生產(chǎn)運營啟動儀式。 新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導體市場的領(lǐng)導地位。 強有力的客戶支持與承諾以及重要的設(shè)計訂單為持續(xù)擴建提供了支撐。 居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采...
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英飛凌于馬來西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導體晶圓廠
?馬來西亞總理、吉打州州務大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項目的生產(chǎn)運營啟動儀式。 ?新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導體市場的領(lǐng)導地位。 ?強有力的客戶支持與承諾以及重要的設(shè)計訂單為持續(xù)擴建提供了支撐。 ?居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采取先進的節(jié)能和可持續(xù)舉措。
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安森美選址捷克共和國打造端到端碳化硅生產(chǎn)，供應先進功率半導體
這項棕地投資將為當?shù)貛砀吣苄酒圃炷芰?，助力電氣化、可再生能源和人工智能的未來發(fā)展
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英飛凌：穩(wěn)居全球功率和汽車半導體之首， 首次拿下全球汽車微控制器NO.1
英飛凌位列2023全球半導體供應商第九，穩(wěn)居全球功率和汽車半導體之首。2023年英飛凌汽車MCU銷售額較上年增長近44%，約占全球市場的29%，首次拿下全球汽車MCU市場份額第1。
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安森美推出提高數(shù)據(jù)中心能效的完整電源解決方案
最新的功率半導體技術(shù)可實現(xiàn)大幅節(jié)能，功耗降低達 10 太瓦
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TrendForce集邦咨詢：預估2028年Micro LED芯片產(chǎn)值將達5.8億美元，聚焦頭戴裝置與車用領(lǐng)域
Jun. 3, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢的《2024 Micro LED市場趨勢與技術(shù)成本分析報告》，Micro LED芯片的成本壓縮與尺寸微縮化工程仍在進行。包括LGE、BOE和Vistar等廠商在大型顯示應用上的持續(xù)投入，以及AUO在手表產(chǎn)品的開發(fā)等，新型顯示應用也逐步擴展到頭戴裝置與車用需求。因此，預計到2028年，Micro LED芯片的產(chǎn)值將達到5.8億美元，2023年至2028年的復合年增長率(CAGR)為84%。
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羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導體擴大SiC晶圓供應合同
全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)和為各種電子設(shè)備提供半導體的全球著名半導體制造商意法半導體(以下簡稱“ST”)宣布，羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH(以下簡稱“SiCrystal”)將擴大目前已持續(xù)多年的150mm SiC晶圓長期供應合同。
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英飛凌為麥田能源提供功率半導體，助力提升儲能應用效率
【2024年4月17日，德國慕尼黑和中國上海訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)為快速成長的綠色能源行業(yè)領(lǐng)導者、逆變器及儲能系統(tǒng)制造商——麥田能源提供功率半導體器件，共同推動綠色能源發(fā)展。英飛凌將為麥田能源提供 CoolSiCTM MOSFET 1200 V功率半導體器件， 配合EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器用于工業(yè)儲能應用。 同時，麥田能源的組串式光伏逆變器將使用英飛凌的 IGBT7 H7 1200 V功率半導體器件。
