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基礎知識：連續(xù)模式PFC功率MOSFET電流有效值、平均值計算
中大功率的ACDC電源都會采用有源功率因數(shù)校正PFC電路來提高其功率因數(shù)，減少對電網(wǎng)的干擾。在PFC電路中，常用的結構是BOOST電路，功率MOSFET工作在開關狀態(tài)，將輸入的電流斬波為和輸入正弦波電壓同相位的、具有正弦波包絡線的開關電流波形，從而提高輸入的功
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為什么超結高壓功率MOSFET輸出電容的非線性特性更嚴重？
功率MOSFET的輸出電容Coss會隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，超結結構的高壓功率MOSFET采用橫向電場的電荷平衡技術，如圖1所示。相對于傳統(tǒng)的平面結構，超結結構將P型體區(qū)下沉，這樣在其內部形成P柱，和N區(qū)非常寬的接觸面產生寬的耗盡層，
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超結高壓功率MOSFET驅動參數(shù)對開關特性的影響
劉松 劉瞻 艾結華 曹雪 張龍 ? 新一代的超結結構的功率MOSFET中有一些在關斷的過程中溝道具有提前關斷的特性，因此，它們的關斷的特性不受柵極驅動電阻的控制，但是，并不是所有的超結結構的功率MOSFET都具有這樣的特性，和它們內部結構、單元尺寸以及電壓額
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功率MOSFET管Rds負溫度系數(shù)對負載開關設計影響
摘要：本文論述了功率MOSFET管導通電阻的正溫度系數(shù)和負溫度系數(shù)的雙重特性以及相對應的VGS的轉折電壓，功率MOSFET管在開通和關斷時要跨越這兩個區(qū)域的工作過程。說明了負載開關電路通過延長米勒平臺的時間來限制輸入浪涌電流的工作特點，分析了由于米勒平臺
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理解MOSFET時間相關及能量相關輸出電容Coss(tr)和Coss(er)
摘要：本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中靜態(tài)輸出電容Coss、時間相關輸出電容Coss(tr)和能量相關輸出電容Coss(er)的具體定義以及測量的方法，特別說明了在實際的不同應用中，采用不同的輸出電容的原因。諧振變換器必須采用時間相關輸出電容Coss(tr)來計算死區(qū)時間
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功率MOSFET安全工作區(qū)，真的安全嗎？
摘要：本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中安全工作區(qū)每條曲線的含義，詳細說明最大的脈沖漏極電流的定義。分析了基于環(huán)境溫度、最大允許結溫和功耗計算的安全工作區(qū)不能作為實際應用中MOSFET是否安全的標準原因。特別說明了功率MOSFET完全工作在線性區(qū)或較長的時間
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超結高壓功率MOSFET的零電壓ZVS關斷特性
1、功率MOSFET常規(guī)的開關特性 功率MOSFET在開通的過程中，當VGS的驅動電壓從VTH上升到米勒平臺VGP時間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流，VGS和ID保持由跨導GFS所限制的傳輸特性曲線的關系，而VDS的電壓保持不變，這一個時間區(qū)域稱為di/dt，主要由
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基礎知識：功率MOSFET輸出電容為何會隨著外加電壓增加而降低？
功率MOSFET的輸出電容是非常重要的一個參數(shù)，讀過功率MOSFET數(shù)據(jù)表的工程師應該注意到：輸出電容Coss會隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，那么為什么會有這樣的特性？ ? 眾所周知，當電容二端的電壓增加時，就會形成對電容的充電電流，電容二
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周末隨想：PFC中功率MOSFET常見的一種失效形式
TV、戶外LED照明等功率比較大的電源系統(tǒng)中，通常輸入端使用PFC功率因素校正電路。系統(tǒng)反復起動的過程中，如系統(tǒng)動態(tài)老化Burn In測試、輸入打火測試，由于PFC控制芯片的供電VCC電源建立過程比較慢，特別是使用PFC的電感繞組給PFC控制芯片供電的情況，會導致功
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功率MOSFET關斷dV/dT的區(qū)別，你知道嗎？
你知道什么是功率MOSFET關斷dV/dT?中、高功率的電源電路經(jīng)常使用有源功率因素校正PFC電路，提高電路的功率因素，減小諧波。PFC的高壓功率MOSFET的開通和關斷的狀態(tài)，不但影響系統(tǒng)和效率，而且影響系統(tǒng)的EMI，和EMI相關的一個最重要的參數(shù)就是MOSFET開通和關斷dV/dt。
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“器件大師”的經(jīng)驗！MOSFET器件選型的3大法則
俗話說“人無遠慮必有近憂”，對于電子設計工程師，在項目開始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項目的成功。 功率MOSFET恐怕是工程師們最常用的器件之一了，但你知道嗎？關于MOSFET的器件選型要考慮方方面面的因素
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穩(wěn)健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性
意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
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從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式
1.概述 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用
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東芝車規(guī)級40V N溝道功率MOSFET TPHR7904PB
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款采用小型低電阻SOP Advance (WF)封裝的新MOSFET產品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”，這兩款產品是汽車用40V N溝道功率MOSFET系列的最新產品。批量生產即日啟動。
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Vishay公布2017年新“Super 12”明星產品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，公布2017年的“Super 12”明星產品。每一年，Vishay都會精選出12個采用新技術或改進技術，能夠顯著提高終端產品和系統(tǒng)
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Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并減小封裝電感
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出3顆采用小尺寸PowerPAK® SO-8L封裝的N溝道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E，擴充其600V和6
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ST推出新款功率MOSFET，實現(xiàn)更小、更環(huán)保的汽車電源
21ic電源網(wǎng)訊 意法半導體(ST)針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產品通過AEC-Q101汽車測試認證，采用意法半導體最先進、內置快速恢復二極管的MDmeshTM DM2超
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ST推出世界首款1500V超結功率MOSFET 實現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應用
意法半導體(STMicroelectronics)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現(xiàn)產品效能最大化，同時提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產品是世界首款兼?zhèn)涑Y技術優(yōu)點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。
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東芝推出汽車N通道功率MOSFET，60V，40A產品：TK40S06N1L
東芝已推出了一款車用60V N通道功率MOSFET產品：TK40S06N1L。通過安裝由U-MOSVIII-H系列工藝所開發(fā)的采用了低電阻DPAK+封裝的MOSFET芯片，該產品實現(xiàn)了業(yè)內領先*1的低導通電阻特性。它采用的結構具有低導通電阻，從而
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意法半導體（ST）的先進60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制
意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的槽柵結構低壓MOSFETs STripFET F7系列將新增60V的產品線，可協(xié)助電信、服務器和臺式PC機的電源以及工業(yè)電源和太陽能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉換器達到嚴格的能效標準要求，最大限度提升電源功率密度。
