半導(dǎo)體材料

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半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

未來半導(dǎo)體材料的新寵石墨烯被爆有毒

根據(jù)美國布朗大學(xué)(BrownUniversity)研究人員的研究發(fā)現(xiàn)，石墨烯(grapheme)──這種被譽(yù)為未來半導(dǎo)體材料的新寵──可能會(huì)破壞活細(xì)胞功能。如果布朗大學(xué)的毒性研究結(jié)果進(jìn)一步經(jīng)過多方研究證實(shí)的話，石墨烯最終可能會(huì)像

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2013-07-26

半導(dǎo)體材料石墨烯 AN 模擬
未來半導(dǎo)體材料的新寵石墨烯被懷疑有毒

根據(jù)美國布朗大學(xué)(BrownUniversity)研究人員的研究發(fā)現(xiàn)，石墨烯(grapheme)──這種被譽(yù)為未來半導(dǎo)體材料的新寵──可能會(huì)破壞活細(xì)胞功能。如果布朗大學(xué)的毒性研究結(jié)果進(jìn)一步經(jīng)過多方研究證實(shí)的話，石墨烯最終可能會(huì)像

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-07-26

半導(dǎo)體材料石墨烯 AN 模擬
IC業(yè)十大“芯”結(jié)求解：產(chǎn)業(yè)生態(tài)難成氣候?

“萬物并作，吾以觀復(fù)?！比缤匀唤缟鷳B(tài)要和諧共處才能生生不息一樣，半導(dǎo)體業(yè)的生態(tài)系統(tǒng)更是“俱榮俱損”的關(guān)系，當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)步入多元且全面的商業(yè)競爭時(shí)代，競爭已不局限于單純的產(chǎn)品和技術(shù)，而在于誰能構(gòu)建完整的

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2013-07-23

生態(tài)系統(tǒng) 半導(dǎo)體設(shè)備 IC 半導(dǎo)體材料
應(yīng)材：半導(dǎo)體材料改善對芯片性能提升至關(guān)重要

半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)材(Applied Materials)的磊晶設(shè)備部門主管Schubert Chu表示，半導(dǎo)體材料的改善在每個(gè)制程節(jié)點(diǎn)對 IC性能提升的貢獻(xiàn)度達(dá)近90%，該數(shù)字在2000年時(shí)僅15%。Chu在近日于美國舉行的Semicon West 展會(huì)上接受

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-07-16

芯片電晶體 MOS 半導(dǎo)體材料
2013 LED應(yīng)用技術(shù)及市場發(fā)展論壇

同期：第十五屆中國國際光電博覽會(huì)(CIOE)LED展 (中國·深圳會(huì)展中心 2013年9月4日-7日) 主辦單位：國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA) 中國國際光電博覽會(huì)組委會(huì)(CIOE) 支持單位：中國科學(xué)技術(shù)部中國科學(xué)技術(shù)

顯示光電
2013-07-03

LED 應(yīng)用技術(shù) 半導(dǎo)體照明半導(dǎo)體材料
崇越郭智輝：業(yè)績增一成 20納米明年發(fā)酵

電子材料通路商崇越(5434)今天召開股東常會(huì)，崇越董事長郭智輝表示，由于崇越在半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)耕耘多年，而今年隨著客戶產(chǎn)能開出，帶動(dòng)崇越穩(wěn)健成長，目前看來，今年前三季業(yè)績逐季成長的態(tài)勢不會(huì)變，下季業(yè)績將可望

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-06-19

電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 半導(dǎo)體材料
美開發(fā)厚度為單原子直徑的半導(dǎo)體薄膜

美國北卡州立大學(xué)研究人員日前表示，他們開發(fā)出制造高質(zhì)量原子量級半導(dǎo)體薄膜(薄膜厚度僅為單原子直徑)的新技術(shù)。材料科學(xué)和工程助理教授曹林友(音譯)說，新技術(shù)能將現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)的規(guī)?？s小到原子量級，包括激光器

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2013-05-31

半導(dǎo)體薄膜發(fā)光二極管半導(dǎo)體材料
華立看好明年面板產(chǎn)品線表現(xiàn)

面板產(chǎn)業(yè)受到大尺寸電視與iTV帶動(dòng)，近幾個(gè)月出現(xiàn)需求回升態(tài)勢，明年整體面板產(chǎn)業(yè)可望好轉(zhuǎn)，而半導(dǎo)體材料通路商華立(3010)旗下代理的日系LCD時(shí)序控制晶片也在第四季再度打入新客戶，加上新增的驅(qū)動(dòng)IC與Flash產(chǎn)品線效應(yīng)

顯示光電
2013-04-14

LCD Flash 時(shí)序控制半導(dǎo)體材料
臺(tái)灣半導(dǎo)體市場蟬聯(lián)世界最大材料市場寶座

半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)(SEMI)發(fā)布最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，2012年全球半導(dǎo)體材料市場(Material Market)產(chǎn)值在連續(xù)3年實(shí)現(xiàn)正向成長后，2012年首度出現(xiàn)2%的微幅下滑，總產(chǎn)值為471.1億美元。盡管如此，臺(tái)灣半導(dǎo)體材料市場則逆勢

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2013-04-12

晶片半導(dǎo)體市場封裝半導(dǎo)體材料
中國在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域全面超越美國

大蕭條高峰時(shí)期以來，全球微芯片廠商所消費(fèi)的原材料總價(jià)值首次下滑，降低到了471.1億美元，降幅為2%。不過，這一數(shù)據(jù)只是來自于許多來源中的一個(gè)，是由國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）編纂的。如果將國際半導(dǎo)體設(shè)

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2013-04-12

半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體設(shè)備微芯片半導(dǎo)體材料
中國在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域全面超越美國

大蕭條高峰時(shí)期以來，全球微芯片廠商所消費(fèi)的原材料總價(jià)值首次下滑，降低到了471.1億美元，降幅為2%。不過，這一數(shù)據(jù)只是來自于許多來源中的一個(gè)，是由國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)編纂的。如果將國際半導(dǎo)體設(shè)備

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2013-04-11

半導(dǎo)體制造微芯片 MDASH 半導(dǎo)體材料
中國在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域全面超越美國

大蕭條高峰時(shí)期以來，全球微芯片廠商所消費(fèi)的原材料總價(jià)值首次下滑，降低到了471.1億美元，降幅為2%。不過，這一數(shù)據(jù)只是來自于許多來源中的一個(gè)，是由國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)編纂的。如果將國際半導(dǎo)體設(shè)

消費(fèi)電子
2013-04-11

半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體設(shè)備微芯片半導(dǎo)體材料
“沉睡的巨人”：中國在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域全面超越北美

大蕭條高峰時(shí)期以來，全球微芯片廠商所消費(fèi)的原材料總價(jià)值首次下滑，降低到了471.1億美元，降幅為2%。不過，這一數(shù)據(jù)只是來自于許多來源中的一個(gè)，是由國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)編纂的。如果將國際半導(dǎo)體設(shè)備

半導(dǎo)體
2013-04-11

半導(dǎo)體制造微芯片 MDASH 半導(dǎo)體材料
中國在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域全面超越美國

大蕭條高峰時(shí)期以來，全球微芯片廠商所消費(fèi)的原材料總價(jià)值首次下滑，降低到了471.1億美元，降幅為2%。不過，這一數(shù)據(jù)只是來自于許多來源中的一個(gè)，是由國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)編纂的。如果將國際半導(dǎo)體設(shè)備

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-04-11

半導(dǎo)體制造微芯片 MDASH 半導(dǎo)體材料
2012年全球半導(dǎo)體材料市場471億美元

SEMI Material MarketData Subscription (MMDS)最新研究報(bào)告指出，全球半導(dǎo)體材料市場營收在創(chuàng)下連續(xù)三年的佳績后，2012年首度出現(xiàn)微幅下滑，總營收為471億美元，較前年減少2%。SEMI表示，就市場區(qū)隔來看，晶圓制造以

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-04-11

封裝晶圓制造 SEMI 半導(dǎo)體材料
鍺/III-V元素可成為矽材料替代品

半導(dǎo)體制程的演進(jìn)一直是媒體爭相報(bào)道的焦點(diǎn)，然而半導(dǎo)體材料的更迭卻也同樣不容忽視。近日，臺(tái)灣媒體報(bào)道稱業(yè)界發(fā)現(xiàn)鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升晶片效能與省電效益，將有希望成

消費(fèi)電子
2013-03-19

電子晶片 PI 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素

半導(dǎo)體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導(dǎo)體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(I

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2013-03-18

晶片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) PI 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素

半導(dǎo)體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導(dǎo)體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(I

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2013-03-18

電子晶片 PI 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素

半導(dǎo)體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導(dǎo)體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(I

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-03-18

晶片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) PI 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料掀革命　10nm制程改用鍺/III-V元素

半導(dǎo)體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導(dǎo)體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族

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2013-03-15

電子晶片 PI 半導(dǎo)體材料

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半導(dǎo)體材料

未來半導(dǎo)體材料的新寵石墨烯被爆有毒

未來半導(dǎo)體材料的新寵石墨烯被懷疑有毒

IC業(yè)十大“芯”結(jié)求解：產(chǎn)業(yè)生態(tài)難成氣候?

應(yīng)材：半導(dǎo)體材料改善對芯片性能提升至關(guān)重要

2013 LED應(yīng)用技術(shù)及市場發(fā)展論壇

崇越郭智輝：業(yè)績增一成 20納米明年發(fā)酵

美開發(fā)厚度為單原子直徑的半導(dǎo)體薄膜

華立看好明年面板產(chǎn)品線表現(xiàn)

臺(tái)灣半導(dǎo)體市場蟬聯(lián)世界最大材料市場寶座

中國在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域全面超越美國

中國在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域全面超越美國

中國在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域全面超越美國

“沉睡的巨人”：中國在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域全面超越北美

中國在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域全面超越美國

2012年全球半導(dǎo)體材料市場471億美元

鍺/III-V元素可成為矽材料替代品

半導(dǎo)體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素

半導(dǎo)體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素

半導(dǎo)體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素

半導(dǎo)體材料掀革命　10nm制程改用鍺/III-V元素

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