半導(dǎo)體材料

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半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

聚合物太陽電池研究項(xiàng)目入選科技部2012年度“中國科學(xué)十大進(jìn)展”

日前，由華南理工大學(xué)吳宏濱教授和中國科學(xué)院曹鏞院士首創(chuàng)并具有自主知識產(chǎn)權(quán)的水/醇溶性聚合物太陽電池界面調(diào)控材料與技術(shù)的基礎(chǔ)上，通過在氧化銦錫表面引入水(醇)溶性共軛

電源-能源動(dòng)力
2013-03-12

太陽電池充電器半導(dǎo)體材料可再生能源
第三代半導(dǎo)體材料雙雄面臨直接競爭

進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。SiC早在

消費(fèi)電子
2012-12-17

功率器件 GAN SIC 半導(dǎo)體材料
第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下

進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。Si

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2012-12-13

MOSFET 功率器件 GAN 半導(dǎo)體材料
第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下

進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料

21ic專訪
2012-12-12

功率器件 GAN SIC 半導(dǎo)體材料
印度推出國家電子產(chǎn)業(yè)振興政策

印度《商業(yè)標(biāo)準(zhǔn)報(bào)》10月26日報(bào)道，印度內(nèi)閣25日批準(zhǔn)了國家電子產(chǎn)業(yè)振興政策，希望通過財(cái)政激勵(lì)措施大力興建電子制造產(chǎn)業(yè)園區(qū)，促進(jìn)電子產(chǎn)品制造業(yè)發(fā)展與振興。報(bào)道稱，印政府希望通過新政策實(shí)施，在電子設(shè)備制造業(yè)領(lǐng)

半導(dǎo)體
2012-10-31

芯片設(shè)計(jì) 電子產(chǎn)業(yè) 電子產(chǎn)品制造半導(dǎo)體材料
TFT-LCD背板爆發(fā)性增長 2012年全球LTPS面板產(chǎn)量將增150%

智慧手機(jī)和平板電腦爆發(fā)式成長，使得LTPS低溫多晶硅技術(shù)和IGZO組成的非結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體技術(shù)等生產(chǎn)高解析度顯示器技術(shù)更為重要。這些TFT技術(shù)采用高移動(dòng)速率半導(dǎo)體材料以減小TFT維度，提高光穿透率。解析度超過每英寸

顯示光電
2012-10-29

平板電腦 LTPS TFT-LCD 半導(dǎo)體材料
對日招商再添佳績　半導(dǎo)體材料商N(yùn)amics2.86億銅鑼建廠

記者曹逸雯／臺(tái)北報(bào)導(dǎo) 對日招商再添佳績！日本半導(dǎo)體材料世界級領(lǐng)導(dǎo)廠商納美仕（Namics）公司26日在銅鑼廠舉行新建工程動(dòng)土典禮，Namics公司社長小田嶋并親自來臺(tái)主持，初期將投資新臺(tái)幣2.86億元，預(yù)計(jì)明（2013）

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2012-10-27

相機(jī) 封裝 IC 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料業(yè)發(fā)展十年實(shí)現(xiàn)大跨越

近期，SEMI機(jī)構(gòu)公布了世界半導(dǎo)體材料銷售市場的統(tǒng)計(jì)結(jié)果。從數(shù)據(jù)中看到，2011年全世界半導(dǎo)體材料市場的銷售額達(dá)到478.6億美元，比2010年增長6.7%。其中中國內(nèi)地的半導(dǎo)體材料市場銷售額在2011年年增長率最高，達(dá)到12.

消費(fèi)電子
2012-10-23

半導(dǎo)體封裝單晶硅 EMC 半導(dǎo)體材料
臺(tái)積擴(kuò)產(chǎn) 本土設(shè)備廠沾光

臺(tái)積電（2330）明年將持續(xù)擴(kuò)增28與20奈米產(chǎn)能，市場預(yù)期資本支出也將再往沖高，為了降低設(shè)備的投資成本，臺(tái)積電近年來開始積極扶植本土設(shè)備廠商，包括無塵室、自動(dòng)化等相關(guān)設(shè)備廠漢唐（2404）、盟立（2464）、家登（

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2012-09-17

先進(jìn)制程臺(tái)積電 BORDER 半導(dǎo)體材料
臺(tái)積擴(kuò)產(chǎn) 本土設(shè)備廠沾光

【楊喻斐╱臺(tái)北報(bào)導(dǎo)】臺(tái)積電（2330）明年將持續(xù)擴(kuò)增28與20奈米產(chǎn)能，市場預(yù)期資本支出也將再往沖高，為了降低設(shè)備的投資成本，臺(tái)積電近年來開始積極扶植本土設(shè)備廠商，包括無塵室、自動(dòng)化等相關(guān)設(shè)備廠漢唐（2404）、

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2012-09-17

先進(jìn)制程 Circuit 臺(tái)積電半導(dǎo)體材料
臺(tái)灣后段設(shè)備規(guī)模14億美元

SEMI預(yù)估，臺(tái)灣今年后段設(shè)備市場規(guī)模達(dá)到約14億美元；日月光、矽品和力成持續(xù)在臺(tái)加碼投資建置先進(jìn)封裝設(shè)備。臺(tái)灣半導(dǎo)體設(shè)備與材料大展(Semicon Taiwan2012)今天起到7日在臺(tái)北世貿(mào)南港展覽館盛大登場，主辦單位國

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2012-09-06

封裝半導(dǎo)體設(shè)備 SEMI 半導(dǎo)體材料
Q2臺(tái)灣電子材料產(chǎn)值季成長10%

工研院IEKITIS計(jì)畫日前發(fā)表2012年第二季臺(tái)灣電子材料產(chǎn)業(yè)回顧與展望報(bào)告，調(diào)查顯示當(dāng)季臺(tái)灣電子材料產(chǎn)值新臺(tái)幣749億元，較2012年第一季成長10.1%，但較2011年同期退6.4%。第二季應(yīng)逐步進(jìn)入電子材料產(chǎn)業(yè)的旺季，但PCB

消費(fèi)電子
2012-08-28

電子電子產(chǎn)業(yè) PCB 半導(dǎo)體材料
Q2臺(tái)灣電子材料產(chǎn)值季成長10%

工研院IEKITIS計(jì)畫日前發(fā)表2012年第二季臺(tái)灣電子材料產(chǎn)業(yè)回顧與展望報(bào)告，調(diào)查顯示當(dāng)季臺(tái)灣電子材料產(chǎn)值新臺(tái)幣749億元，較2012年第一季成長10.1%，但較2011年同期退6.4%。第二季應(yīng)逐步進(jìn)入電子材料產(chǎn)業(yè)的旺季，但PCB

消費(fèi)電子
2012-08-28

電子電子產(chǎn)業(yè) PCB 半導(dǎo)體材料
DENSO傳研發(fā)次世代半導(dǎo)體材料SiC晶圓 2年后量產(chǎn)

日經(jīng)新聞23日報(bào)導(dǎo)，全球汽車零組件巨擘DENSO已攜手昭和電工、日本新能源暨產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合開發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)共同研發(fā)出環(huán)保車高性能晶片用次世代半導(dǎo)體材料「碳化矽(SiC)晶圓」。報(bào)導(dǎo)指出，和現(xiàn)行矽晶圓相比，SiC晶圓結(jié)晶困

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2012-08-24

晶片晶圓 SIC 半導(dǎo)體材料
日本：DISCO欲將半導(dǎo)體制造裝置產(chǎn)能提高一倍

據(jù)日本媒體報(bào)道，DISCO于8月7日發(fā)布消息稱，將在主力的桑畑工廠(廣島縣吳市)建設(shè)新廠房，力爭將半導(dǎo)體制造及研磨裝置的產(chǎn)能提高一倍。投資額約為110億日元(約合1.4009億美元)，預(yù)計(jì)于2014年10月竣工。DISCO此次提高產(chǎn)

半導(dǎo)體
2012-08-11

硅片控制半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體材料
LED背光源介紹

LED的基本結(jié)構(gòu)是一塊發(fā)光半導(dǎo)體材料，其核心部分是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的晶片，在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間有一個(gè)過渡層，稱為PN結(jié)。發(fā)光二極管的伏安特性與普通二極管相似，只是死區(qū)電壓比普通二極管要大，約

顯示光電
2012-08-10

液晶顯示器白光LED LED背光源半導(dǎo)體材料
日本研制新有機(jī)電池，未來壁紙衣服都可發(fā)電

經(jīng)歷了福島第一核電站的事故，人們對自然能源、尤其是對太陽能發(fā)電的期待越來越高。三菱化學(xué)于2011年4月宣布，該公司的作為有望成為“新一代太陽能電池”的“有機(jī)薄膜太陽能電池”的能源轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了世界最高值——

測試測量
2012-07-04

電池機(jī)電薄膜太陽能電池半導(dǎo)體材料
封測/驅(qū)動(dòng)IC拉貨旺利機(jī)Q2營收估季增15-25%

半導(dǎo)體材料商利機(jī)(3444) 第一季營收和獲利受傳統(tǒng)淡季以及記憶體產(chǎn)品線表現(xiàn)不佳影響，均較去年第四季衰退。展望第二季，受惠于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對景氣看法樂觀，推升封測產(chǎn)品拉貨狀況，以及卷軸驅(qū)動(dòng)IC出貨量增挹注，公司表示

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2012-05-05

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) EPS 驅(qū)動(dòng)IC 半導(dǎo)體材料
封測/驅(qū)動(dòng)IC拉貨旺利機(jī)Q2營收估季增15-25%

半導(dǎo)體材料商利機(jī) (3444)第一季營收和獲利受傳統(tǒng)淡季以及記憶體產(chǎn)品線表現(xiàn)不佳影響，均較去年第四季衰退。展望第二季，受惠于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對景氣看法樂觀，推升封測產(chǎn)品拉貨狀況，以及卷軸驅(qū)動(dòng)IC出貨量增挹注，公司表示

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2012-05-04

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) EPS 驅(qū)動(dòng)IC 半導(dǎo)體材料
“十二五”末半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達(dá)5000億

在昨日舉行的2012上海國際新光源與新能源照明展覽會(huì)上，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟常務(wù)副秘書長阮軍透露，國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)日前召開了半導(dǎo)體照明標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)小組第一次工作會(huì)議，涉及國家發(fā)改委、科技部、工

顯示光電
2012-04-27

半導(dǎo)體照明照明產(chǎn)業(yè) 半導(dǎo)體材料

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半導(dǎo)體材料

聚合物太陽電池研究項(xiàng)目入選科技部2012年度“中國科學(xué)十大進(jìn)展”

第三代半導(dǎo)體材料雙雄面臨直接競爭

第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下

第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下

印度推出國家電子產(chǎn)業(yè)振興政策

TFT-LCD背板爆發(fā)性增長 2012年全球LTPS面板產(chǎn)量將增150%

對日招商再添佳績　半導(dǎo)體材料商N(yùn)amics2.86億銅鑼建廠

半導(dǎo)體材料業(yè)發(fā)展十年實(shí)現(xiàn)大跨越

臺(tái)積擴(kuò)產(chǎn) 本土設(shè)備廠沾光

臺(tái)積擴(kuò)產(chǎn) 本土設(shè)備廠沾光

臺(tái)灣后段設(shè)備規(guī)模14億美元

Q2臺(tái)灣電子材料產(chǎn)值季成長10%

Q2臺(tái)灣電子材料產(chǎn)值季成長10%

DENSO傳研發(fā)次世代半導(dǎo)體材料SiC晶圓 2年后量產(chǎn)

日本：DISCO欲將半導(dǎo)體制造裝置產(chǎn)能提高一倍

LED背光源介紹

日本研制新有機(jī)電池，未來壁紙衣服都可發(fā)電

封測/驅(qū)動(dòng)IC拉貨旺利機(jī)Q2營收估季增15-25%

封測/驅(qū)動(dòng)IC拉貨旺利機(jī)Q2營收估季增15-25%

“十二五”末半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達(dá)5000億

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