半導體材料
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歐盟有害物質管理新規(guī) 把GaAs、InP列入管制范圍
歐洲化學品管理局風險評估委員會(REACH)新近出臺的有關有害物質管理的一項動議，把GaAs、InP 等重要化合物半導體材料列入了管制范圍。這一動議一旦被接受成為法律，預計將對歐洲的化合物半導體材料以及芯片制造商帶
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2010年全球半導體材料市場比上年增長25％，達到436億美元
分地區(qū)來看，臺灣、韓國和中國大陸創(chuàng)下了比上年增長30％左右的增長率紀錄，其他地區(qū)也達到了20％左右的增長率。對此SEMI表示，由于引線鍵合使用的金（Au）的價格高漲，如果后工序的產(chǎn)能較高，則該地區(qū)的市場就有望擴
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矽品3月營收50.4億元 Q1季減6.5%
封測大廠矽品(2325-TW)今(6)日公布 3 月合并營收，達50.4億元，較 2 月成長14.2%，較去年同期成長8.5%，第 1 季合并營收達133.1億元，較去年第 4 季下滑6.5%，較去年同期也下滑7.8%。矽品 3 月非合并營收為46.07億元
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2010年全球半導體材料市場同比增長25％
國際半導體制造裝置材料協(xié)會(SEMI)宣布，2010年全球半導體材料市場比上年增長25%，達到435億5000萬美元。其中晶圓處理工序(前工序)用材料為比上年增長29%的179億美元，封裝組裝工序(后工序)用材料為比上年增長21%的2
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2010年全球半導體材料銷售額創(chuàng)下新高
由于半導體產(chǎn)業(yè)出貨量創(chuàng)新高，2010年全球半導體材料市場較2009年增長25%，超過了2007年426.7億美元的高位。2010年全球半導體材料市場收入總共為435.5億美元。晶圓制造材料和封裝材料分別為229.3億美元和206.3億美元，
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2011臺灣半導體材料支出將以96億美元奪冠
SEMI發(fā)表研究報告指出，2010年全球半導體材料市場達435.5億美元，臺灣占91億元。并預估2011年臺灣半導體材料支出，將以96億美元奪冠。SEMI Material Market Data Subscription(MMDS)最新研究報告指出，根據(jù)半導體產(chǎn)業(yè)
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BGA錫球供應最大廠千住金屬恢復生產(chǎn)
黃銘章／DIGITIMES 半導體上游材料產(chǎn)業(yè)成長率低于半導體產(chǎn)業(yè)，相較于DRAM、Flash Memory等半導體產(chǎn)品，屬于波動較小的半導體子產(chǎn)業(yè)之一。由于需要先進的化學及材料技術，因此盡管日本在半導體市場的占有率逐年下降，
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矽晶圓營運旺，保利協(xié)鑫能源躍為華立前3大供應商
半導體材料代理商華立(3010)代理的中國保利協(xié)鑫能源（3800HK）矽晶圓營運蒸蒸日上，已是華立前三大供應商之一，躍為節(jié)能環(huán)保的通路商。 受到日本311重創(chuàng)日本東北地區(qū)，由于該地區(qū)為日本半導體材料主要供應區(qū)，國內代
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半導體材料與設備業(yè)創(chuàng)新需政策助力
從2010年開始，中國集成電路市場步入新一輪成長期，但市場的發(fā)展速度將不會再現(xiàn)前幾年的高速增長態(tài)勢，平穩(wěn)增長將成為未來中國集成電路市場發(fā)展的主旋律。未來3年中國集成電路市場發(fā)展速度將保持在10%以上。因此，國
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新型聚光光伏電池效率達到50%
新電池可以使太陽能更好地匹配太陽光譜，價格低于每千瓦小時10美分。有一家新創(chuàng)公司名為太陽能交*公司（SolarJunction），這家公司說，它的先導制造工廠正在生產(chǎn)太陽能電池組，這些電池的效率超過目前市場上最好的產(chǎn)
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瑞士開發(fā)新半導體材料“輝鉬礦” 稱功耗為硅的十萬分之一
有一種新開發(fā)的半導體材料輝鉬礦(molybdenite，MoS2)，其功耗據(jù)說僅有硅材料的十萬分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶體管。瑞士洛桑理工學院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人員并指出，這
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瑞士開發(fā)新半導體材料“輝鉬礦” 稱功耗為硅的十萬分之一
有一種新開發(fā)的半導體材料輝鉬礦(molybdenite，MoS2)，其功耗據(jù)說僅有硅材料的十萬分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶體管。瑞士洛桑理工學院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人員并指出，這
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新一代半導體材料：輝鉬材料異軍突起
近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院（EPFL）納米電子學與結構（LANES）實驗室稱，用一種名為輝鉬（MoS2）的單分子層材料制造半導體，或用來制造更小、能效更高的電子芯片，在下一代納米電子設備領域，將比傳統(tǒng)的
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輝鉬材料異軍突起 或成為新一代半導體材料
近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院（EPFL）納米電子學與結構（LANES）實驗室稱，用一種名為輝鉬（MoS2）的單分子層材料制造半導體，或用來制造更小、能效更高的電子芯片，在下一代納米電子設備領域，將比傳統(tǒng)的硅材料或富勒
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2010年矽晶圓營收成長43.0% 達101.9億美元
根據(jù)國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)的最新預測報告， 2010年由供應商出貨給各家晶圓廠的矽晶圓(silicon wafer)營收成長了43.0%，達到101.9億美元；估計該數(shù)字在 2011年還可成長5.9%。但整體半導體IC市場 2010年營
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輝鉬材料異軍突起 或成為新一代半導體材料
近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院（EPFL）納米電子學與結構（LANES）實驗室稱，用一種名為輝鉬（MoS2）的單分子層材料制造半導體，或用來制造更小、能效更高的電子芯片，在下一代納米電子設備領域，將比傳統(tǒng)的硅材料或富勒
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除半導體材料和工藝開發(fā) 2010全球集成電路工業(yè)創(chuàng)新情況整體下降
根據(jù)Thomson Reuters最近出爐的“2010年創(chuàng)新報告-12個關鍵科技領域的創(chuàng)新評估”，航空航天工業(yè)的創(chuàng)新活動最為活躍，以有效IP和專利申請數(shù)的增長率來衡量，其創(chuàng)新度較2009年提高了25%，這一領域有關航天飛船和人造衛(wèi)星
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Dow Corning加入imec GaN研發(fā)項目
Dow Corning正式簽署協(xié)議，加入imec的關于GaN半導體材料和器件技術的多方研發(fā)項目。該項目關注于下一代GaN功率器件和LED的發(fā)展。Dow Corning和imec的合作將致力于將硅晶圓上外延GaN技術帶入制造階段。
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德國半導體和太陽能跨行業(yè)研發(fā)新型半導體材料
隨著全球能源需求的不斷攀升，提高效源效率成為降低二氧化碳排放，確保能源可靠供應的重要手段。為此，德國半導體和太陽能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯(lián)邦教育與研究部（BMBF）資助，旨在
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德國NEULAND項目旨在打造能耗減半的新型半導體材料
隨著全球能源需求的不斷攀升，提高效源效率成為降低二氧化碳排放，確保能源可靠供應的重要手段。為此，德國半導體和#LINKKEYWORD0#行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯(lián)邦教育與研究部（BMBF）資
