半導(dǎo)體材料

我要報(bào)錯(cuò)

半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年資本支出最高達(dá)160億美元日媒稱(chēng)日本供應(yīng)商將受益

1月17日消息，臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年資本支出最高達(dá)160億美元，日媒報(bào)道稱(chēng)，日本供應(yīng)商將從中受益。臺(tái)積電臺(tái)積電在去年第四季度財(cái)報(bào)中預(yù)計(jì)，今年資本支出在150億美元到160億美元之間，高于上一年。資本支

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2020-02-12

半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體設(shè)備臺(tái)積電芯片資本支出
美國(guó)杜邦擬在韓國(guó)生產(chǎn)半導(dǎo)體材料光刻膠首先投入2800萬(wàn)美元

1月10日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)化工巨頭杜邦日前宣布，擬在韓國(guó)生產(chǎn)半導(dǎo)體材料光刻膠。杜邦杜邦將擴(kuò)建位于韓國(guó)中部天安市的現(xiàn)有工廠(chǎng)，生產(chǎn)涂覆在半導(dǎo)體基板上的感光劑“光刻膠”。杜邦計(jì)劃首先投入2

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2020-01-23

美國(guó) 半導(dǎo)體光刻膠杜邦半導(dǎo)體材料
日本昭和電工擬建設(shè)上海第二工廠(chǎng) 增產(chǎn)半導(dǎo)體材料

1月9日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本昭和電工日前宣布，計(jì)劃建設(shè)上海第二工廠(chǎng)，增產(chǎn)半導(dǎo)體材料。昭和電工株式會(huì)社（簡(jiǎn)稱(chēng)昭和電工）表示，為了強(qiáng)化電子材料用高純度氣體事業(yè)，決定在上海的生產(chǎn)基地-上海昭和電子化

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2020-01-22

半導(dǎo)體昭和電工日本昭和電工半導(dǎo)體材料
集成電路用大尺寸硅材料規(guī)?；a(chǎn)項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)封頂儀式圓滿(mǎn)舉行

近期，山東有研半導(dǎo)體一期項(xiàng)目——集成電路用大尺寸硅材料規(guī)?；a(chǎn)項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)封頂儀式在德州舉行。該項(xiàng)目于 2018 年 7 月由德州與有研科技集團(tuán)半導(dǎo)體材料公

嵌入式動(dòng)態(tài)
2019-12-19

集成電路硅片 5G 行業(yè)資訊有研半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料
2018年全球半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)分析

9月17日，近日，前瞻產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布《中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略規(guī)劃和企業(yè)戰(zhàn)略咨詢(xún)報(bào)告》，重點(diǎn)分析了2018年全球半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)情況。報(bào)告指出，半導(dǎo)體材料處于整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游環(huán)節(jié)，對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起

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2019-10-03

半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體材料
LED顯示屏解析

繁華的城市離不開(kāi)LED燈的裝飾，相信大家都見(jiàn)過(guò)LED，它的身影已經(jīng)出現(xiàn)在了我們的生活的各個(gè)地方，也照亮著我們的生活。在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時(shí)會(huì)把多余的能量以光的形式釋放出來(lái)，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2019-09-29

電源技術(shù)解析 led顯示屏三色屏半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體｜三星電子啟動(dòng)非日本產(chǎn)氟化氫性能試驗(yàn)

7月17日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子已啟動(dòng)非日本產(chǎn)氟化氫性能試驗(yàn)。三星電子外媒報(bào)道稱(chēng)，三星電子在半導(dǎo)體工廠(chǎng)試驗(yàn)新材料的生產(chǎn)線(xiàn)上，開(kāi)始投入日本以外廠(chǎng)商的氟化氫進(jìn)行試驗(yàn)，這些產(chǎn)品被認(rèn)為來(lái)自中國(guó)大

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2019-07-30

半導(dǎo)體三星三星電子氟化氫半導(dǎo)體材料
日本出口管制半導(dǎo)體材料，傳言李在鎔赴日找對(duì)策

集微網(wǎng)消息，日本政府加強(qiáng)管制3項(xiàng)關(guān)鍵電子原料出口韓國(guó)，三星電子的半導(dǎo)體生產(chǎn)恐受影響。三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在鎔今天前往日本，外界分析他將與有生意往來(lái)的日本材料商討論對(duì)策。日本政府4日起加強(qiáng)管制含氟聚醯亞胺（

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2019-07-26

半導(dǎo)體材料
韓半導(dǎo)體材料耗盡之時(shí)或面臨停工危機(jī)

日韓貿(mào)易爭(zhēng)端近期不斷發(fā)酵。韓國(guó)時(shí)間昨晚 9 點(diǎn)左右，三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕抵達(dá)韓國(guó)，結(jié)束了長(zhǎng)達(dá) 6 天的日本之行。相關(guān)內(nèi)容我們連線(xiàn)了在首爾的財(cái)經(jīng)頻道特約記者張小娟，她給我們介紹了韓國(guó)如何評(píng)價(jià)對(duì)此次李在镕

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2019-07-26

半導(dǎo)體材料
韓政府：擬就日本限制對(duì)韓出口半導(dǎo)體材料等提交WTO訴訟

7月1日，據(jù)媒體報(bào)道，韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部長(zhǎng)官成允模表示，韓國(guó)政府將對(duì)日本限制對(duì)韓出口半導(dǎo)體原材料等貿(mào)易措施提交世界貿(mào)易組織（WTO）訴訟，并將依照國(guó)際法以及國(guó)內(nèi)法原則采取必要措施進(jìn)行反制。成允模在

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2019-07-24

半導(dǎo)體材料
6萬(wàn)億韓元！韓加大半導(dǎo)體材料研發(fā)，應(yīng)對(duì)日本對(duì)韓出口管制

據(jù)媒體報(bào)道，韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：產(chǎn)業(yè)部）3日決定對(duì)半導(dǎo)體材料、零部件、設(shè)備研發(fā)投入6萬(wàn)億韓元（約合人民幣352.9億元）的預(yù)算，以應(yīng)對(duì)日本限制對(duì)韓出口。至于這6萬(wàn)億韓元怎么分配，韓國(guó)產(chǎn)業(yè)部

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2019-07-23

半導(dǎo)體材料
日本宣布對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體材料的出口進(jìn)行管制

在美國(guó)還沒(méi)有正式宣布禁止使用華為等中國(guó)企業(yè)的產(chǎn)品時(shí)，早在2018年12月10日，日本就先聲奪人，由官房長(zhǎng)官菅義偉親自宣布禁止企業(yè)使用華為等中國(guó)企業(yè)制造的通訊設(shè)備。日本曾經(jīng)是個(gè)半導(dǎo)體大國(guó)，也做過(guò)通訊設(shè)備方面的世界第一把交椅，對(duì)相關(guān)行業(yè)有著超乎尋常的理解，在美國(guó)之前早就已決定“排除”華為了。日本在“排除”了華為之后，7月2日，日本宣布對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體材料的出口進(jìn)行管制，時(shí)間從7月4日開(kāi)始。

智能硬件
2019-07-11

日本韓國(guó) 半導(dǎo)體材料
日本核心材料對(duì)韓國(guó)管控：三星李在镕開(kāi)始行動(dòng)

據(jù)悉，除了跟日本一些公司談判外，三星和其他芯片制造商正面臨為這些材料尋找替代供應(yīng)商的困難，行業(yè)消息人士透露，庫(kù)存只剩下幾天的供應(yīng)量。

半導(dǎo)體
2019-07-08

三星 OLED 半導(dǎo)體材料
韓國(guó)要求日本撤回半導(dǎo)體材料出口管制措施

據(jù)媒體報(bào)道，韓國(guó)外交部第一次官(副部長(zhǎng))趙世暎7月1日召見(jiàn)日本駐韓國(guó)大使長(zhǎng)嶺安政，要求日本撤回對(duì)韓國(guó)出口半導(dǎo)體材料的管制措施。據(jù)韓國(guó)外交部介紹，趙世暎指出，日方此次措施不僅不利于相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，也可能對(duì)兩

半導(dǎo)體
2019-07-03

半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料
IGZO顯示技術(shù)與AMOLED技術(shù)對(duì)比

——IGZO(indium gallium zinc oxide)為銦鎵鋅氧化物的縮寫(xiě)，非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶體管技術(shù)中的溝道層材料

顯示光電
2019-05-05

液晶面板顯示器半導(dǎo)體材料
我國(guó)半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r不盡相同，高端領(lǐng)域缺口大

2018年，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料在各方共同努力下，部分領(lǐng)域取得了可喜成績(jī)，但中高端領(lǐng)域用關(guān)鍵材料本土化上進(jìn)展緩慢，取得的突破較少，總體情況不容樂(lè)觀(guān)。

半導(dǎo)體
2019-03-12

硅片電子信息半導(dǎo)體材料
第三屆半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性研究交流會(huì)在上海召開(kāi)

2018年11月7-8日，第三屆半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性研究交流會(huì)在上海召開(kāi)，由泰克公司攜手復(fù)旦大學(xué)，聯(lián)合南京大學(xué)、中科院上海技術(shù)物理研究所、中國(guó)科學(xué)院納米中心共同舉辦。本屆會(huì)議旨在加強(qiáng)全國(guó)各相關(guān)領(lǐng)域研究隊(duì)伍的交流、提供學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界相互分享最新研究成果的機(jī)會(huì)，推動(dòng)我國(guó)先進(jìn)電子材料與器件的發(fā)展，促進(jìn)杰出青年科學(xué)家的迅速成長(zhǎng)和協(xié)同創(chuàng)新。

單片機(jī)
2018-11-14

集成電路電子材料半導(dǎo)體材料
院士郝躍：我國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展缺乏“從0到1”的原始創(chuàng)新

2018年11月7-8日，第三屆半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性研究交流會(huì)在上海召開(kāi)，本屆會(huì)議旨在加強(qiáng)全國(guó)各相關(guān)領(lǐng)域研究隊(duì)伍的交流、提供學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界相互分享最新研究成果的機(jī)會(huì)，推動(dòng)我國(guó)先進(jìn)電子材料與器件的發(fā)展，促進(jìn)杰出青年科學(xué)家的迅速成長(zhǎng)和協(xié)同創(chuàng)新。

半導(dǎo)體
2018-11-14

半導(dǎo)體院士郝躍半導(dǎo)體材料
寬禁帶半導(dǎo)體是什么？多為專(zhuān)家為你解讀！

第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子，新能源汽車(chē)，光伏，機(jī)車(chē)牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，被業(yè)界一直看好。

模擬
2018-09-28

寬禁帶半導(dǎo)體微波通訊半導(dǎo)體材料
漲價(jià)缺貨的野火擴(kuò)散至CMOS傳感器

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，漲價(jià)缺貨的野火如今已擴(kuò)散到CMOS圖像感測(cè)元件上，今年電子關(guān)鍵零組件及半導(dǎo)體材料接二連三調(diào)漲售價(jià)，有錢(qián)也拿不到貨，前車(chē)之鑒，讓代理商及客戶(hù)端一聽(tīng)到缺貨就害怕，而這一波CMOS供貨吃緊，就是在這樣的氛圍下醞釀成形，且有跡可尋，早在今年第2季，中國(guó)大陸高端鏡頭馬達(dá)就已傳出供貨吃緊情況。

工業(yè)控制
2018-08-13

MOSFET cmos傳感器半導(dǎo)體材料

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半導(dǎo)體材料

臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年資本支出最高達(dá)160億美元日媒稱(chēng)日本供應(yīng)商將受益

美國(guó)杜邦擬在韓國(guó)生產(chǎn)半導(dǎo)體材料光刻膠首先投入2800萬(wàn)美元

日本昭和電工擬建設(shè)上海第二工廠(chǎng) 增產(chǎn)半導(dǎo)體材料

集成電路用大尺寸硅材料規(guī)?；a(chǎn)項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)封頂儀式圓滿(mǎn)舉行

2018年全球半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)分析

LED顯示屏解析

半導(dǎo)體｜三星電子啟動(dòng)非日本產(chǎn)氟化氫性能試驗(yàn)

日本出口管制半導(dǎo)體材料，傳言李在鎔赴日找對(duì)策

韓半導(dǎo)體材料耗盡之時(shí)或面臨停工危機(jī)

韓政府：擬就日本限制對(duì)韓出口半導(dǎo)體材料等提交WTO訴訟

6萬(wàn)億韓元！韓加大半導(dǎo)體材料研發(fā)，應(yīng)對(duì)日本對(duì)韓出口管制

日本宣布對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體材料的出口進(jìn)行管制

日本核心材料對(duì)韓國(guó)管控：三星李在镕開(kāi)始行動(dòng)

韓國(guó)要求日本撤回半導(dǎo)體材料出口管制措施

IGZO顯示技術(shù)與AMOLED技術(shù)對(duì)比

我國(guó)半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r不盡相同，高端領(lǐng)域缺口大

第三屆半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性研究交流會(huì)在上海召開(kāi)

院士郝躍：我國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展缺乏“從0到1”的原始創(chuàng)新

寬禁帶半導(dǎo)體是什么？多為專(zhuān)家為你解讀！

漲價(jià)缺貨的野火擴(kuò)散至CMOS傳感器

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