Veeco Instruments Inc. 與 ALLOS Semiconductors GmbH 8日宣布取得又一階段的合作成果,雙方共同努力,致力于為microLED生產(chǎn)應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的
電信行業(yè)連接著全球數(shù)十億人和數(shù)百萬家企業(yè)。電信行業(yè)的增長是以新技術(shù)為基礎(chǔ)的。這些新技術(shù)使互聯(lián)互通成為可能,為用戶提供頗具吸引力的新功能,并證明升級和擴大蜂窩網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的投資是合理的。伴隨著早期 4G LTE 技術(shù)支持的數(shù)據(jù)通信的出現(xiàn),通信服務(wù)呈爆
什么是寬帶多級硅基氮化鎵功率放大器模塊?它有什么作用?2019年2月14日,美國馬薩諸塞州洛厄爾 – 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊,擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產(chǎn)品組合。
化合物半導(dǎo)體以不同于硅材料等傳統(tǒng)半導(dǎo)體的物理特性,擁有高頻、高功率、抗高溫、抗高輻射、光電性能優(yōu)異等特點,特別適合于制造射頻通信器件、光電子器件、電力電子器件等,在現(xiàn)今最火熱的5G通信、新能源等市場中具有明確而可觀的前景,是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要的發(fā)展方向。
近日,世強與國產(chǎn)品牌英諾賽科(Innoscience)簽約,代理其全線產(chǎn)品。本次簽約,不僅意味著世強進(jìn)一步拓展了功率和射頻器件的產(chǎn)品線,還意味著英諾賽科的產(chǎn)品采購、資料下載、技術(shù)支持等服務(wù)內(nèi)容均可由世強元件電商支持。
陳鈺林透露,國產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進(jìn)展,100V、150V、650V三個GaN新品將于2018年12月底試產(chǎn),2019年正式量產(chǎn)。目前,英諾賽科已有5個產(chǎn)品(40V、60V、100V等)實現(xiàn)小批量生產(chǎn)并有接到訂單,這些產(chǎn)品均采用了目前行業(yè)領(lǐng)先的8寸Fab產(chǎn)線制造。
數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
Veeco 公司 (Nasdaq: VECO)今日宣布和ALLOS Semiconductors (ALLOS)達(dá)成了一項戰(zhàn)略舉措,展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍(lán)/綠光microLED的生產(chǎn)。維易科和ALLOS合作將其專有外延技術(shù)轉(zhuǎn)移到Propel® 單晶圓MOCVD系統(tǒng),從而在現(xiàn)有的硅生產(chǎn)線上實現(xiàn)生產(chǎn)micro-LED。
近日,日本東芝(Toshiba)宣布將于2015年度末(2016年3月底)退出白光LED領(lǐng)域。而去年7月,東芝宣布計劃在2014~2016年度期間投資500億日元引進(jìn)新設(shè)備,旨在于2016年結(jié)束前將白光LED的月產(chǎn)能擴增至15億件,占據(jù)全球白光L
近日,日本東芝(Toshiba)宣布將于2015年度末(2016年3月底)退出白光LED領(lǐng)域。而去年7月,東芝宣布計劃在2014~2016年度期間投資500億日元引進(jìn)新設(shè)備,旨在于2016年結(jié)束前將白
核心提示:日本住友電氣工業(yè)株式會社所屬Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (SEDI)已訂購一套4 英寸晶圓規(guī)格AIXTRON 愛思強CRIUS? MOCVD 系統(tǒng),以推動用于高頻數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的碳化硅基氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)
據(jù)外媒EETasia報道,統(tǒng)計機構(gòu)HIS預(yù)測稱2020年硅基氮化鎵LED市場占有率將達(dá)到40%,目前該種LED市場占有率僅為1%據(jù)HIS的統(tǒng)計數(shù)據(jù),硅基氮化鎵(GaN-on-Si)晶片在LED市場2013-2020年間復(fù)合年滲透增長率將會達(dá)到69%,屆
據(jù)外媒EETasia報道,統(tǒng)計機構(gòu)HIS預(yù)測稱2020年硅基氮化鎵LED市場占有率將達(dá)到40%,目前該種LED市場占有率僅為1%據(jù)HIS的統(tǒng)計數(shù)據(jù),硅基氮化鎵(GaN-on-Si)晶片在LED市場2013-2
LEDinside譯 英國普萊思半導(dǎo)體(Plessey)宣布推出新一代硅基氮化鎵LED。型號為PLW114050,目前正在出樣,這是Plessey該系列中首款入門級LED照明產(chǎn)品。Plessey提供被鋸成晶圓裸片形式的藍(lán)光PLB010050。
英國普萊思半導(dǎo)體(Plessey)宣布推出新一代硅基氮化鎵LED。型號為PLW114050,目前正在出樣,這是Plessey該系列中首款入門級LED照明產(chǎn)品。Plessey提供被鋸成晶圓裸片形式的藍(lán)光PLB010050。該0.2W器件的光通量最高可達(dá)
據(jù)報道,德國半導(dǎo)體制造商Azzurro展示了‘1-bin’波長的LED晶圓,該技術(shù)可以做到少于3nm波長一致性生產(chǎn)數(shù)值,并在開發(fā)中得到1nm的結(jié)果。該公司表示,該破紀(jì)錄的1nm成功表明AZZURRO的技術(shù)有能力做出‘
據(jù)外媒報道,東芝已經(jīng)開始出售硅基氮化鎵白光LED封裝產(chǎn)品,期待利用成本競爭優(yōu)勢替代目前市面上的LED器件。LED芯片通常是在昂貴的藍(lán)寶石襯底上制作2英寸或4英寸的晶圓。東芝與普瑞公司已經(jīng)開發(fā)出一種更低成本的制程—
東芝公司(ToshibaCorporation)宣布推出第二代采用硅基氮化鎵(GaN-on-Si)工藝打造的白色LED產(chǎn)品。“TL1F2系列”是在200mm硅晶圓上使GaN結(jié)晶生長制造而成。新產(chǎn)品計劃于2013年11月投入量產(chǎn)。此前,東芝于2012年12月
東芝電子歐洲(TEE)近日推出采用硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制程研發(fā)的第二代LETERASTM白光LED,相比當(dāng)下的LED器件,1W TL1F2系列的LED是具有成本競爭優(yōu)勢的,可為通用和工業(yè)LED照明制造商降低成本。 高性能白光LED通常被
2012通用照明成為最大的LED封裝應(yīng)用領(lǐng)域,LED這種取代性技術(shù)將是增長趨勢延續(xù)到2018年。除了照明領(lǐng)域,其他LED應(yīng)用市場也在快速發(fā)展。當(dāng)下,封裝LED市場為139億美元,未來五年增速平緩,并將在2018年達(dá)到峰值——160