比利時(shí)納米電子研究中心IMEC與Veeco正在進(jìn)行項(xiàng)目合作,旨在降低生產(chǎn)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。 IMEC的首席科學(xué)家Barun Dutta評論說,“Veeco MOCVD設(shè)備的生產(chǎn)力,可重復(fù)性,均勻性和
2012通用照明成為最大的LED封裝應(yīng)用領(lǐng)域,LED這種取代性技術(shù)將是增長趨勢延續(xù)到2018年。除了照明領(lǐng)域,其他LED應(yīng)用市場也在快速發(fā)展。 2018年LED封裝市場將達(dá)到160億美元 當(dāng)下,封裝LED市場為139億美元,未來五年增速
2013年9月5日,首屆“第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會(huì)”在深圳成功召開,來自中科院半導(dǎo)體研究所、南京大學(xué)、北京大學(xué)、科銳公司、西安電子科技大學(xué)等研究機(jī)構(gòu)以及企業(yè)的近百名人士參加了此次會(huì)議。&
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 9月5日,由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)、中國國際光電博覽會(huì)共同主辦的“首屆第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會(huì)”在深圳成功召開,來自中科院半導(dǎo)體研究所、南京大學(xué)、北
比利時(shí)納米電子研究中心IMEC與Veeco正在進(jìn)行項(xiàng)目合作,旨在降低生產(chǎn)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。IMEC的首席科學(xué)家BarunDutta評論說,“VeecoMOCVD設(shè)備的生產(chǎn)力,可重復(fù)性,均勻性和晶體質(zhì)量為我們在
據(jù)報(bào)道,德國半導(dǎo)體制造商Azzurro展示了‘1-bin’波長的LED晶圓,該技術(shù)可以做到少于3nm波長一致性生產(chǎn)數(shù)值,并在開發(fā)中得到1nm的結(jié)果。該公司表示,該破紀(jì)錄的1nm成功表明AZZURRO的技術(shù)有能力做出‘1bin’硅基氮化鎵
比利時(shí)納米電子研究中心IMEC與Veeco正在進(jìn)行項(xiàng)目合作,旨在降低生產(chǎn)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件和LED的成本。 IMEC的首席科學(xué)家Barun Dutta評論說,“Veeco MOCVD設(shè)備的生產(chǎn)力,可重復(fù)性,均勻性和晶體質(zhì)量為我們
英國普萊塞半導(dǎo)體(PlesseySemiconductors)宣布推出其基于硅基氮化鉀制造平臺的產(chǎn)品。新產(chǎn)品在420mA的條件下可以提供350mW的輻射功率。早在今年4月,普萊思就宣布將推出可論證硅基氮化鎵技術(shù)的PL111010LED產(chǎn)品,這些
英國普萊塞半導(dǎo)體(Plessey Semiconductors)宣布推出其基于硅基氮化鉀制造平臺的產(chǎn)品。新產(chǎn)品在420mA的條件下可以提供350mW的輻射功率。 早在今年4月,普萊思就宣布將推出可論證硅基氮化鎵技術(shù)的PL111010LED產(chǎn)品,這些
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底大功率
除了從系統(tǒng)角度強(qiáng)化散熱性能外,隨著LED照明的應(yīng)用普及,對于散熱基板的要求日趨嚴(yán)苛,LED基板材料及技術(shù)在近年的開發(fā)也有所進(jìn)展,目前最新的趨勢是對于硅基氮化鎵(GaN-on-Silicon)的研發(fā)?;旧?,由于藍(lán)寶石基板面
除了從系統(tǒng)角度強(qiáng)化散熱性能外,隨著LED照明的應(yīng)用普及,對于散熱基板的要求日趨嚴(yán)苛,LED基板材料及技術(shù)在近年的開發(fā)也有所進(jìn)展,目前最新的趨勢是對于硅基氮化鎵(GaN-on-Silicon)的研發(fā)。基本上,由于藍(lán)寶石基板面
日本東芝公司日前宣布,已經(jīng)與美國照明行業(yè)巨頭普瑞公司(Bridgelux)達(dá)成協(xié)議,將收購普瑞公司白色LED芯片業(yè)務(wù)相關(guān)資產(chǎn),同時(shí)將其旗下的研發(fā)部門和研究人員一并接納。東芝稱與普瑞公司達(dá)成的協(xié)議包括技術(shù)和資產(chǎn)購買,
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項(xiàng)目,共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項(xiàng)目,共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項(xiàng)目,共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導(dǎo)熱性的特性,使其非
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項(xiàng)目,共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功
21ic訊 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項(xiàng)目,共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導(dǎo)熱性的特性
領(lǐng)先的LED照明技術(shù)及解決方案開發(fā)商和制造商普瑞光電公司與世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商東芝公司今日宣布,在年初兩家公司達(dá)成合作協(xié)議短短幾個(gè)月后,兩家公司共同研發(fā)出了行業(yè)頂級8英寸硅基氮化鎵LED芯片。該芯片僅1.1毫