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力晶呼吁美光Flash技轉(zhuǎn)臺(tái)塑　臺(tái)廠勿再死守DRAM

力晶亟欲與標(biāo)準(zhǔn)型DRAM劃清界限的同時(shí)，也積極往NAND Flash產(chǎn)業(yè)靠攏，董事長(zhǎng)黃崇仁表示，不要再說(shuō)臺(tái)灣沒(méi)有內(nèi)存自有技術(shù)了，力晶的NAND Flash技術(shù)目前臺(tái)灣唯一自產(chǎn)自銷，同時(shí)也呼吁美光(Micron)趕快把NAND Flash技術(shù)

消費(fèi)電子
2011-11-11

DRAM Flash 美光 NAND
美光新帝封測(cè)大單力成笑納

存儲(chǔ)器封測(cè)大廠力成科技（6239）接單再傳捷報(bào)，拿下美光（Micron）及新帝（SanDisk）NAND快閃存儲(chǔ)器封測(cè)大單！，加上原大客戶東芝加碼釋單，力成第4季營(yíng)收可望優(yōu)于第3季由于智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、Ultrabook等

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2011-11-02

存儲(chǔ)器東芝美光 NAND
美光、三星將聯(lián)合研發(fā)“夾心餅干”內(nèi)存

之前我們?cè)?jīng)提到過(guò)美光開(kāi)發(fā)的“夾心餅干”內(nèi)存技術(shù)即HMC(Hyper Memory Cube)，該公司還聯(lián)合Intel在IDF 2011舊金山開(kāi)發(fā)者論壇上展示了相關(guān)樣品。10月6日，美光宣布將和存儲(chǔ)芯片業(yè)界龍頭韓國(guó)三星電子一起研發(fā)HMC這種新

消費(fèi)電子
2011-10-12

三星內(nèi)存 HM 美光
三星與美光結(jié)盟推動(dòng)新一代內(nèi)存規(guī)格

三星電子（Samsung Electronics）與美光（Micron）近日宣布成立「混合內(nèi)存立方體」（Hybrid Memory Cube，HMC）協(xié)會(huì)，以用來(lái)開(kāi)發(fā)與部署此一新一代HMC內(nèi)存技術(shù)的開(kāi)放接口規(guī)格。根據(jù)雙方的聲明，成立該協(xié)會(huì)的關(guān)鍵因素，

消費(fèi)電子
2011-10-12

三星內(nèi)存 HM 美光
三星與美光結(jié)盟推動(dòng)新一代內(nèi)存規(guī)格

三星電子（SamsungElectronics）與美光（Micron）近日宣布成立「混合內(nèi)存立方體」（HybridMemoryCube，HMC）協(xié)會(huì)，以用來(lái)開(kāi)發(fā)與部署此一新一代HMC內(nèi)存技術(shù)的開(kāi)放接口規(guī)格。根據(jù)雙方的聲明，成立該協(xié)會(huì)的關(guān)鍵因素，也

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2011-10-11

三星內(nèi)存 HM 美光
眾廠商督促芯片界轉(zhuǎn)用新型內(nèi)存技術(shù)

三星目前正聯(lián)合競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光督促芯片界向新型堆疊式內(nèi)存(stackable memory)芯片技術(shù)過(guò)渡，此舉旨在降低能耗使用、加速電腦運(yùn)行速度。三星和美光在共同聲明中表示，DRAM芯片制造商應(yīng)該開(kāi)始向名為“hybrid-cube”的混合

消費(fèi)電子
2011-10-09

芯片內(nèi)存內(nèi)存芯片美光
三星、美光督促芯片界轉(zhuǎn)用新型內(nèi)存技術(shù)

三星目前正聯(lián)合競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光督促芯片界向新型堆疊式內(nèi)存(stackablememory)芯片技術(shù)過(guò)渡，此舉旨在降低能耗使用、加速電腦運(yùn)行速度。三星和美光在共同聲明中表示，DRAM芯片制造商應(yīng)該開(kāi)始向名為“hybrid-cube”的混合

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2011-10-08

三星芯片內(nèi)存美光
三星、美光督促芯片界轉(zhuǎn)用新型內(nèi)存技術(shù)

三星目前正聯(lián)合競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光督促芯片界向新型堆疊式內(nèi)存(stackable memory)芯片技術(shù)過(guò)渡，此舉旨在降低能耗使用、加速電腦運(yùn)行速度。三星和美光在共同聲明中表示，DRAM芯片制造商應(yīng)該開(kāi)始向名為“hybrid-cube&r

智能硬件
2011-10-08

三星芯片內(nèi)存美光
Rambus指控美光和海力士串謀打壓其芯片技術(shù)

9月20日消息，Rambus律師周一在法庭上表示，微芯片制造商美光和海力士串謀打壓Rambus高端芯片技術(shù)，以阻止Rambus技術(shù)成為業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)。不過(guò)美光和海力士在加州法庭上回?fù)舴Q：“Rambus的RDRAM內(nèi)存芯片技術(shù)失敗的原因

半導(dǎo)體
2011-09-20

芯片技術(shù) RAM 海力士美光
第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

據(jù)IHSiSuppli公司的閃存市場(chǎng)報(bào)告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場(chǎng)意外下滑。根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場(chǎng)降幅大于預(yù)期，主要是因?yàn)?/p>
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2011-09-05

東芝海力士 NAND閃存美光
第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%，廠商份額明顯變化

據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)報(bào)告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場(chǎng)意外下滑。根據(jù)最終數(shù)據(jù)，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場(chǎng)降幅大于預(yù)期，主要是因?yàn)?/p>
智能硬件
2011-08-30

東芝海力士 NAND閃存美光
英特爾稱RDRAM沒(méi)成為標(biāo)準(zhǔn)只能怪Rambus自己

8月30日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，與Rambus合作的英特爾高管表示，RDRAM沒(méi)有成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，Rambus只能怪自己，而不是芯片廠商。英特爾工程師保羅·法希(Paul Fahey)在加利福尼亞州高等法院的庭審中為海力士(Hynix

智能硬件
2011-08-30

英特爾 MIDDOT DRAM 美光
DRAM低潮期廠商整并好時(shí)機(jī)

由于市場(chǎng)需求仍持續(xù)低迷，以現(xiàn)階段DRAM總投片約1300K為基準(zhǔn)來(lái)計(jì)算，至少需減產(chǎn)20%，才有機(jī)會(huì)讓市場(chǎng)供需平衡，但再加上DRAM廠先前放入WaferBank中的庫(kù)存，甚至加上目前通路中所累積的DRAM顆粒，DRAM價(jià)格至少到明年第2

消費(fèi)電子
2011-08-29

三星 PC DRAM 美光
美光：DRAM掀整并風(fēng)

茂德有望引進(jìn)新合作伙伴，再度掀起DRAM業(yè)界“整并說(shuō)”。美光執(zhí)行長(zhǎng)愛(ài)波頓認(rèn)為，市況不好，但并非供過(guò)于求，預(yù)期景氣下修幅度不會(huì)如以往劇烈，前景很快就會(huì)明朗化，業(yè)界也將掀起整并風(fēng)。外電報(bào)導(dǎo)，美光認(rèn)為，標(biāo)準(zhǔn)型存

消費(fèi)電子
2011-08-26

存儲(chǔ)器 DRAM 美光
英利能源擬為美光伏電站提供55000塊多晶硅組件

LincolnRenewableEnergy公司(LRE)日前選擇英利綠色能源(YingliGreenEnergy，NYSE:YGE)為其位于新澤西州坎伯蘭縣FairfieldTownship的10MW光伏新電站提供55000塊YGE-235系列多晶硅組件。該項(xiàng)目被稱為新澤西橡樹(shù)光

消費(fèi)電子
2011-08-26

多晶硅組件光伏電站美光
DRAM明年Q2才看到春燕低潮期正是廠商整并好時(shí)機(jī)

由于市場(chǎng)需求仍持續(xù)低迷，以現(xiàn)階段DRAM總投片約1300K為基準(zhǔn)來(lái)計(jì)算，至少需減產(chǎn)20%，才有機(jī)會(huì)讓市場(chǎng)供需平衡，但再加上DRAM廠先前放入WaferBank中的庫(kù)存，甚至加上目前通路中所累積的DRAM顆粒，DRAM價(jià)格至少到明年第2

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2011-08-26

三星 PC DRAM 美光
第三季度及下半年剩余時(shí)間DRAM價(jià)格預(yù)計(jì)下挫

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)報(bào)告，第三季度DRAM市場(chǎng)將面臨供應(yīng)嚴(yán)重過(guò)剩和價(jià)格下滑的局面，導(dǎo)致下半年DRAM供應(yīng)商陷入困境。主流DRAM產(chǎn)品——2Gb DDR3的平均銷售價(jià)格預(yù)計(jì)第三季度將降到1.60美元，比第

智能硬件
2011-08-19

MDASH BSP DRAM 美光
第三季度及下半年剩余時(shí)間DRAM價(jià)格預(yù)計(jì)下挫

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)報(bào)告，第三季度DRAM市場(chǎng)將面臨供應(yīng)嚴(yán)重過(guò)剩和價(jià)格下滑的局面，導(dǎo)致下半年DRAM供應(yīng)商陷入困境。主流DRAM產(chǎn)品——2Gb DDR3的平均銷售價(jià)格預(yù)計(jì)第三季度將降到1.60美元，比第二季度

智能硬件
2011-08-17

MDASH BSP DRAM 美光
DRAM廠：不應(yīng)以變動(dòng)成本作為衡量減產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)

DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌勢(shì)完全止不住，報(bào)價(jià)瀕臨跌破變動(dòng)成本1美元邊緣，爾必達(dá)(Elpida)上周開(kāi)第1槍宣布減產(chǎn)，引發(fā)力晶和瑞晶跟進(jìn)，讓業(yè)界再度陷入是否應(yīng)該減產(chǎn)的討論聲浪中；然而，有DRAM廠提出另一個(gè)觀點(diǎn)表示，DRAM廠在評(píng)估

消費(fèi)電子
2011-08-04

爾必達(dá) ELECTRONICS DRAM 美光
DRAM廠：不應(yīng)以變動(dòng)成本作為衡量減產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)

DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)跌勢(shì)完全止不住，報(bào)價(jià)瀕臨跌破變動(dòng)成本1美元邊緣，爾必達(dá)(Elpida)上周開(kāi)第1槍宣布減產(chǎn)，引發(fā)力晶和瑞晶跟進(jìn)，讓業(yè)界再度陷入是否應(yīng)該減產(chǎn)的討論聲浪中；然而，有DRAM廠提出另一個(gè)觀點(diǎn)表示，DRAM廠在評(píng)估

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2011-08-03

爾必達(dá) ELECTRONICS DRAM 美光

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美光

力晶呼吁美光Flash技轉(zhuǎn)臺(tái)塑　臺(tái)廠勿再死守DRAM

美光新帝封測(cè)大單力成笑納

美光、三星將聯(lián)合研發(fā)“夾心餅干”內(nèi)存

三星與美光結(jié)盟推動(dòng)新一代內(nèi)存規(guī)格

三星與美光結(jié)盟推動(dòng)新一代內(nèi)存規(guī)格

眾廠商督促芯片界轉(zhuǎn)用新型內(nèi)存技術(shù)

三星、美光督促芯片界轉(zhuǎn)用新型內(nèi)存技術(shù)

三星、美光督促芯片界轉(zhuǎn)用新型內(nèi)存技術(shù)

Rambus指控美光和海力士串謀打壓其芯片技術(shù)

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%，廠商份額明顯變化

英特爾稱RDRAM沒(méi)成為標(biāo)準(zhǔn)只能怪Rambus自己

DRAM低潮期廠商整并好時(shí)機(jī)

美光：DRAM掀整并風(fēng)

英利能源擬為美光伏電站提供55000塊多晶硅組件

DRAM明年Q2才看到春燕低潮期正是廠商整并好時(shí)機(jī)

第三季度及下半年剩余時(shí)間DRAM價(jià)格預(yù)計(jì)下挫

第三季度及下半年剩余時(shí)間DRAM價(jià)格預(yù)計(jì)下挫

DRAM廠：不應(yīng)以變動(dòng)成本作為衡量減產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)

DRAM廠：不應(yīng)以變動(dòng)成本作為衡量減產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)

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