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DRAM錢坑 臺塑集團(tuán)進(jìn)退兩難
聯(lián)電榮譽(yù)副董事長宣明智暗指臺塑集團(tuán)可以出面集成臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)，南亞科表示，無法評論此事；存儲器業(yè)界則認(rèn)為，臺塑集團(tuán)雖然資金實(shí)力雄厚，但DRAM產(chǎn)業(yè)走到現(xiàn)在已不是資金問題，沒有技術(shù)和專利也是關(guān)鍵，現(xiàn)在就算再投
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DRAM錢坑 臺塑集團(tuán)進(jìn)退兩難
聯(lián)電榮譽(yù)副董事長宣明智暗指臺塑集團(tuán)可以出面集成臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)，南亞科表示，無法評論此事;存儲器業(yè)界則認(rèn)為，臺塑集團(tuán)雖然資金實(shí)力雄厚，但DRAM 產(chǎn)業(yè)走到現(xiàn)在已不是資金問題，沒有技術(shù)和專利也是關(guān)鍵，現(xiàn)在就算再投
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手機(jī)記憶芯片熱銷 美光受惠
美國計算機(jī)記憶芯片大廠美光日前公布會計年度第1季（迄12月2日）財報，由于供智能型手機(jī)使用的記憶芯片需求殷切，不但抵銷了個人計算機(jī)記憶芯片需求下滑的沖擊，更讓公司連續(xù)第5個季度出現(xiàn)獲利。美光第1季度凈利，從
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Rambus控告海力士與美光共謀排擠 索賠129億美元
根據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo)，美國存儲器業(yè)者Rambus于美國時間20日向加州一家法院提起反柯斷訴訟，該公司指控韓國存儲器業(yè)者海力士(Hynix)與美國存儲器廠商美光(Micron)2廠非法共謀，意欲將Rambus排擠出存儲器芯片市場。
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傳爾必達(dá)、美光密談合作 美日聯(lián)手抗韓趨勢難擋
DRAM價格持續(xù)處于跌價泥淖，不只臺系DRAM廠陸續(xù)轉(zhuǎn)型、退出，國際大廠也在尋求長遠(yuǎn)生存之道，近日傳出爾必達(dá)(Elpida)、美光(Micron)、南亞科高層接觸頻繁，為未來可能的合作暖身，其中華亞科成為這次整并的中心點(diǎn)，因
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母廠要先整合 臺DRAM廠才能整并
DRAM產(chǎn)業(yè)走過2008年底的全球金融風(fēng)暴后，仍舊是跌多漲少，即使各廠都把產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做其他產(chǎn)品，如MobileRAM、伺服器DRAM等，PCDRAM仍是面臨持續(xù)崩跌局面，因此整合的議提持續(xù)被討論；金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)即表示
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海力士美光稱Rambus手段可恥 將失敗歸結(jié)他人
（中濤）北京時間6月22日消息，據(jù)國外媒體報道，計算機(jī)內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)和美光科技(Micron Technology)周二表示，Rambus在PC內(nèi)存芯片市場的一些手段“非?？蓯u”，并將其市場失敗的
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Rambus指責(zé)海力士美光非法共謀 索賠129億美元
（明軒）北京時間6月21日消息，據(jù)國外媒體報道，美國存儲芯片制造商Rambus在周一加利福尼亞州開審的反壟斷訴訟案中指出，韓國存儲芯片制造商海力士和美國存儲芯片制造商美光科技曾使用了“非法的陰謀”，欲將Ramb
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臺DRAM廠：母廠要先整合 臺廠才能整并
DRAM產(chǎn)業(yè)走過2008年底的全球金融風(fēng)暴后，仍舊是跌多漲少，即使各廠都把產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做其他產(chǎn)品，如MobileRAM、伺服器DRAM等，PCDRAM仍是面臨持續(xù)崩跌局面，因此整合的議提持續(xù)被討論；金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)即表示
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Rambus指控海力士美光合謀壟斷索賠129億美元
Rambus指控海力士美光合謀壟斷索賠129億美元
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美光和IV簽署IP授權(quán)合約
美系存儲器大廠美光科技和高智發(fā)明宣布雙方已簽署智能財產(chǎn)授權(quán)合約，未來美光可取得高智發(fā)明旗下所擁有高達(dá)3萬多種的智能專利組合(IP)的使用權(quán)，高智發(fā)明也可向美光取得專利權(quán)，擴(kuò)展智能財產(chǎn)權(quán)組合。高智發(fā)明創(chuàng)立于2
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韓存儲器芯片微細(xì)制程比重占優(yōu)勢
據(jù)韓國媒體報道，韓國半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲器芯片業(yè)者競爭力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢，維持在全球DRAM市場的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級微細(xì)制程擴(kuò)大，使韓國企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯成績，其它DRA
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美光NAND封測釋單 力成最樂
美國存儲器大廠美光科技（Micron）25納米NAND快閃存儲器上半年開出大量，為了提升后段封測產(chǎn)能的運(yùn)用彈性，美光首度將NAND芯片封測委外釋單，包括力成（6239）、矽品（2325）、南茂等3家封測廠均獲認(rèn)證通過。 其中
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芯片巨頭強(qiáng)者恒強(qiáng) 持續(xù)整合改寫格局
市場調(diào)研公司ICInsights日前公布了2011年第一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商排名，英特爾仍然保持霸主地位，并且擴(kuò)大了與排名第二的三星電子的優(yōu)勢。其第一季度的芯片銷售收入為95億美元，比三星電子71億美元的芯片銷售收入高出44
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韓DRAM微細(xì)制程比重高 占市場優(yōu)勢
據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲器芯片業(yè)者競爭力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢，維持在全球DRAM市場的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級微細(xì)制程擴(kuò)大，使韓國企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯成績，其
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韓DRAM微細(xì)制程比重高 占市場優(yōu)勢
據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲器芯片業(yè)者競爭力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢，維持在全球DRAM市場的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級微細(xì)制程擴(kuò)大，使韓國企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯成績，其它
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韓DRAM微細(xì)制程比重高 占市場優(yōu)勢
據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，南韓半導(dǎo)體業(yè)者在衡量記憶體晶片業(yè)者競爭力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢，維持在全球DRAM市場的主導(dǎo)權(quán)，尤其40奈米等級微細(xì)制程擴(kuò)大，使南韓企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫下不錯成績，其他
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DRAM產(chǎn)業(yè)為徹底復(fù)蘇爭取時間
茂德在2010年已將新竹12?晶圓廠賣給旺宏，是賣廠止血的第1步，當(dāng)時出售價格超過新臺幣80億元，業(yè)界認(rèn)為此價格對茂德算有利；之后DRAM價格進(jìn)入二度崩盤，業(yè)界也點(diǎn)名重慶渝德廠應(yīng)該是下一個處分目標(biāo)，因此市場對于茂德
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DRAM產(chǎn)業(yè)賣廠爭取時間 治標(biāo)難治本
據(jù)DIGITIMES Research，中國大陸早在1988年就有由恩智浦(NXP)與上?；瘜W(xué)工業(yè)區(qū)投資實(shí)業(yè)合資成立第1家IC制造廠商上海先進(jìn)半導(dǎo)體(ASMC)，其后尚有首鋼日電(SGNEC)、無錫華潤上華(CSMC)、華虹NEC (HH NEC)等晶圓代工廠
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Z-RAM始祖關(guān)門大吉，美光受益
成立于2002年的Innovative Silicon公司，開發(fā)了一種稱為Z- RAM的浮體單晶體管存儲技術(shù)，當(dāng)時它宣稱比傳統(tǒng)DRAM更好。然而今天，公司已經(jīng)關(guān)門大吉。公司即將卸任的首席營運(yùn)官M(fèi)ichael Van Buskirk，在他的LinkedIn的個人
