ASMl

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

Semico：明年2月半導(dǎo)體衰退將觸底

科技市調(diào)機(jī)構(gòu)Semico Research Corp.總裁Jim Feldhan上周在韓國(guó)廠商Dongbu HiTekCo.舉辦的模擬半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者論壇(Analog Semiconductor LeadersForum)上指出，自今(2011)年夏季開始陷入衰退的半導(dǎo)體業(yè)市況可望在明年2月

消費(fèi)電子
2011-10-20

SEMI 半導(dǎo)體 IC ASML
ASML認(rèn)為明年芯片產(chǎn)業(yè)可能放緩

荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備商ASML日前公布第3季財(cái)報(bào)，雖然獲利成長(zhǎng)，但預(yù)測(cè)明年芯片業(yè)成長(zhǎng)放緩而拒絕作出財(cái)測(cè)。該公司認(rèn)為只有跟平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)相關(guān)的芯片設(shè)備明年才會(huì)見到成長(zhǎng)。ASML第3季凈利年增32％至3.552億歐元，優(yōu)

模擬
2011-10-14

芯片平板芯片產(chǎn)業(yè) ASML
分析師稱英特爾明年資本支出減少20億

9月1日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，由于個(gè)人電腦(PC)需求減少，華爾街分析師認(rèn)為英特爾將削減今明兩年的資本支出?；ㄆ旒瘓F(tuán)(Citigroup)分析師Timothy Arcuri表示，英特爾已改變意圖，未來計(jì)劃讓Fab24直接轉(zhuǎn)至14或10納米工

消費(fèi)電子
2011-09-02

英特爾 RC ASML
IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓

IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國(guó)XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plas

半導(dǎo)體
2011-07-20

晶圓 EUV MDASH ASML
IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置成功曝光晶圓

IMEC宣布，成功利用ASML的EUV（extremeultraviolet）曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國(guó)XTREMEtechnologiesGmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP（laserassisteddischargeproducedplasma）

模擬
2011-07-19

晶圓 EUV ADT ASML
IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置成功曝光晶圓

IMEC宣布，成功利用ASML的EUV（extreme ultraviolet）曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國(guó)XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP（laser assisted discharge produced p

模擬
2011-07-19

晶圓 EUV ADT ASML
IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置曝光晶圓

比利時(shí)IMEC宣布，成功利用荷蘭阿斯麥（ASML Holding N.V.）公司生產(chǎn)的試制及少量生產(chǎn)用（Pre-Production Tool：PPT）EUV（extreme ultraviolet）曝光裝置“NXE:3100”在晶圓上進(jìn)行了曝光。該EUV曝光裝置配備了日本

模擬
2011-07-18

晶圓 EUV ADT ASML
臺(tái)積電擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì) 加速20納米制程開發(fā)

被臺(tái)積電視為下世代主力的20納米制程，目前研發(fā)工作主要需克服的困難，在于良率提升和成本下降，希望能在下一季將良率快速提升。為加速20納米制程研發(fā)工作，臺(tái)積電將研發(fā)單位集中到新竹12廠，并擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì)，包含許

消費(fèi)電子
2011-07-14

40納米臺(tái)積電半導(dǎo)體設(shè)備 ASML
諾基亞西門子與私募談判失敗售股交易告吹

（林靖東）北京時(shí)間7月13日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，諾基亞和西門子與私募公司進(jìn)行了12個(gè)月的售股談判近日以失敗告終，兩家公司放棄了將所持諾西網(wǎng)絡(luò)公司股份出售出去的打算。兩家公司在周三公布了談判失敗的消息

消費(fèi)電子
2011-07-14

西門子諾基亞手機(jī)市場(chǎng) ASML
臺(tái)積電擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì) 加速20納米制程開發(fā)

被臺(tái)積電視為下世代主力的20納米制程，目前研發(fā)工作主要需克服的困難，在于良率提升和成本下降，希望能在下一季將良率快速提升。為加速20納米制程研發(fā)工作，臺(tái)積電將研發(fā)單位集中到新竹12廠，并擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì)，包含許

模擬
2011-07-14

40納米臺(tái)積電半導(dǎo)體設(shè)備 ASML
荷蘭芯片設(shè)備供應(yīng)商ASML Q2凈利同比增長(zhǎng)81%

荷蘭芯片設(shè)備供應(yīng)商ASML公司在本周三表示，該公司今年第二財(cái)季的凈利潤(rùn)比去年同期增長(zhǎng)了近81%至4.32億歐元（合6.07億美元），去年同期該公司的凈利潤(rùn)為2.39億歐元。ASML公司第二財(cái)季的銷售額比去年同期增長(zhǎng)了53%至15

模擬
2011-07-14

芯片 ASML
臺(tái)積電擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì)　加速20奈米制程開發(fā)

蘇芳禾／臺(tái)北被臺(tái)積電視為下世代主力的20奈米制程，目前研發(fā)工作主要需克服的困難，在于良率提升和成本下降，希望能在下一季將良率快速提升。為加速20奈米制程研發(fā)工作，臺(tái)積電將研發(fā)單位集中到新竹12廠，并擴(kuò)大研發(fā)

模擬
2011-07-13

工程師臺(tái)積電半導(dǎo)體設(shè)備 ASML
光源供應(yīng)商看好EUV導(dǎo)入量產(chǎn)時(shí)程

盡管紫外光微影(EUV)的一再延遲，已讓人對(duì)于它的實(shí)際商用時(shí)程產(chǎn)生疑問，但 EUV 光源供應(yīng)商 Cymer 表示，隨著可提高晶圓產(chǎn)出的新一代光源技術(shù)日漸成熟，預(yù)估最快在14nm節(jié)點(diǎn)， EUV 將可望導(dǎo)入晶圓的量產(chǎn)中。Cymer迄今已

模擬
2011-07-06

晶片節(jié)點(diǎn) EUV ASML
瑞晶成為30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺(tái)灣DRAM廠

瑞晶董事會(huì)日前通過30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案，并沖刺單月產(chǎn)能到年底達(dá)到8.8萬(wàn)片，成為邁向30納米制程進(jìn)展最快的臺(tái)系DRAM廠。此外，董事會(huì)也通過，向臺(tái)灣歐力士公司申請(qǐng)機(jī)器設(shè)備售后租回融資約10億元，

消費(fèi)電子
2011-07-04

DRAM 爾必達(dá) 半導(dǎo)體 ASML
瑞晶成30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺(tái)灣DRAM廠

瑞晶董事會(huì)日前通過30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案，并沖刺單月產(chǎn)能到年底達(dá)到8.8萬(wàn)片，成為邁向30納米制程進(jìn)展最快的臺(tái)系DRAM廠。此外，董事會(huì)也通過，向臺(tái)灣歐力士公司申請(qǐng)機(jī)器設(shè)備售后租回融資約10億元，

智能硬件
2011-07-04

DRAM 爾必達(dá) BSP ASML
臺(tái)積電臺(tái)聯(lián)電分別拋出設(shè)備大訂單

日本東京電子(TEL)日前收到來自聯(lián)電的一筆后繼設(shè)備訂單，價(jià)值約為三千零五十萬(wàn)美元，這是TEL今年迄今為止收到的來自聯(lián)電的最大一筆設(shè)備訂單，TEL接獲來自聯(lián)電的上一筆訂單是在今年四月，價(jià)值為一千九百十萬(wàn)美元。與此

半導(dǎo)體
2011-06-30

聯(lián)電臺(tái)積電 TE ASML
臺(tái)積電加入EIDEC聯(lián)盟

臺(tái)積電與日本瑞薩電子(Renesas)決定加入以研發(fā)次世代半導(dǎo)體制造技術(shù)為目標(biāo)的EUVL基板開發(fā)中心(EIDEC)。EIDEC是由東芝(Toshiba)領(lǐng)軍，由11間日本企業(yè)共同出資設(shè)立，致力于研究深紫外線(EUV)微影技術(shù)。目前EIDEC已經(jīng)和

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-06-15

東芝臺(tái)積電 IDE ASML
ASML單價(jià)近一億美元的EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺(tái)　預(yù)計(jì)2012年開始正式交貨

2010年浸潤(rùn)式微米光刻機(jī)臺(tái)設(shè)備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米工藝的天險(xiǎn)，隨著缺貨問題解決，ASML針對(duì)20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機(jī)臺(tái)，目前已有10臺(tái)訂單在手，預(yù)計(jì)2012年將正式交貨；不過，

模擬
2011-05-19

DRAM EUV光刻機(jī) EUV ASML
ASML單價(jià)近一億美元的EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺(tái)　預(yù)計(jì)2012年開始正式交貨

2010年浸潤(rùn)式微米光刻機(jī)臺(tái)設(shè)備(ImmersionScanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米工藝的天險(xiǎn)，隨著缺貨問題解決，ASML針對(duì)20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機(jī)臺(tái)，目前已有10臺(tái)訂單在手，預(yù)計(jì)2012年將正式交貨；不過，對(duì)

模擬
2011-05-18

DRAM EUV光刻機(jī) EUV ASML
ASML單價(jià)近一億美元EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺(tái)

2010年浸潤(rùn)式微米光刻機(jī)臺(tái)設(shè)備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米工藝的天險(xiǎn)，隨著缺貨問題解決，ASML針對(duì)20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機(jī)臺(tái)，目前已有10臺(tái)訂單在手，預(yù)計(jì)2012年將正式交貨;不過，對(duì)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-05-18

DRAM EUV光刻機(jī) EUV ASML

首頁(yè) 上一頁(yè) 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 下一頁(yè) 尾頁(yè)

ASMl

Semico：明年2月半導(dǎo)體衰退將觸底

ASML認(rèn)為明年芯片產(chǎn)業(yè)可能放緩

分析師稱英特爾明年資本支出減少20億

IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓

IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置成功曝光晶圓

IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置成功曝光晶圓

IMEC利用配備LA-DPP光源的EUV曝光裝置曝光晶圓

臺(tái)積電擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì) 加速20納米制程開發(fā)

諾基亞西門子與私募談判失敗售股交易告吹

臺(tái)積電擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì) 加速20納米制程開發(fā)

荷蘭芯片設(shè)備供應(yīng)商ASML Q2凈利同比增長(zhǎng)81%

臺(tái)積電擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊(duì)　加速20奈米制程開發(fā)

光源供應(yīng)商看好EUV導(dǎo)入量產(chǎn)時(shí)程

瑞晶成為30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺(tái)灣DRAM廠

瑞晶成30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺(tái)灣DRAM廠

臺(tái)積電臺(tái)聯(lián)電分別拋出設(shè)備大訂單

臺(tái)積電加入EIDEC聯(lián)盟

ASML單價(jià)近一億美元的EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺(tái)　預(yù)計(jì)2012年開始正式交貨

ASML單價(jià)近一億美元的EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺(tái)　預(yù)計(jì)2012年開始正式交貨

ASML單價(jià)近一億美元EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺(tái)

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動(dòng)

課程視頻