CMOS工藝

基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescopic放大器設(shè)計

近年來，軟件無線電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經(jīng)過放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高，技術(shù)上所限難以實現(xiàn)，而多采用中頻采樣的方法。而對

光通信芯片將趨向于采用CMOS工藝

在3G之后，F(xiàn)TTx將是光通信建設(shè)的又一高潮，我們將進(jìn)入一個全新的寬帶時代。從目前三大運營商對FTTx的部署來看，光節(jié)點會越來越多，可預(yù)見不久的將來出現(xiàn)光通信新一輪井噴式的發(fā)展。EPON、GPON是目前FTTx的主流網(wǎng)絡(luò)方

SoC與SiP各有千秋 兩者之爭仍將繼續(xù)

對生命周期相對較長的產(chǎn)品來說，SoC將繼續(xù)作為許多產(chǎn)品的核心；而若對產(chǎn)品開發(fā)周期要求高、生命周期短、面積小、靈活性較高，則應(yīng)使用SiP。 現(xiàn)代集成技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越了過去40年中一直以摩爾定律發(fā)展的CMOS(互補(bǔ)

東芝推出用于40nm CMOS工藝的新平臺技術(shù)

東芝宣布基于與NEC Electronics共同開發(fā)的45納米工藝技術(shù)的40納米 CMOS平臺技術(shù)。新平臺用于生產(chǎn)系統(tǒng)芯片以滿足功率關(guān)鍵的移動應(yīng)用，它消耗的功率不足65納米級的大規(guī)模集成電路的一半。該公司還宣布，它預(yù)計將于2008

基于0.18μm RF CMOS工藝的低相噪寬帶LC VCO設(shè)計

壓控振蕩器(VCO)是射頻集成電路(RF-ICs)中的關(guān)鍵模塊之一。近年來隨著無線通信技術(shù)的快速發(fā)展，射頻收發(fā)機(jī)也有了新的發(fā)展趨勢，即單個收發(fā)機(jī)要實現(xiàn)寬頻率多標(biāo)準(zhǔn)的覆蓋，例如用于移動數(shù)字電視接收的調(diào)諧器一般要實現(xiàn)T-DMB、DMB-T等多個標(biāo)準(zhǔn)，并能覆蓋VHF、UHF和LBAND等多個頻段。本文所介紹的VCO設(shè)計采用如圖1(a)所示的交叉耦合電感電容結(jié)構(gòu)，相對于其他結(jié)構(gòu)的VCO來說該結(jié)構(gòu)更加易于片上集成和實現(xiàn)低功耗設(shè)計，并且利用LC諧振回路的帶通濾波特性，能獲得更好的相位噪聲性能。 本設(shè)計采用TSMC的0.18μm、5層金屬的RFCMOS工藝，所用無源器件全部片內(nèi)集成，其中螺旋電感由第5層金屬制成。由于該金屬層較厚因而具有較低的寄生串聯(lián)電阻，保證了螺旋電感具有足夠高的Q值。該VCO用于覆蓋VHF、UHF和LBAND三個頻段的零中頻結(jié)構(gòu)接收機(jī)(ZERO-IFtuner)。實測結(jié)果表明，在1.8 V電源供電的情況下，僅消耗2.7 mA的電流，輸出頻率實現(xiàn)了在1.65～2.45 GHz的超寬范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。在1.65 GHz工作頻率下，20 kHz頻偏處的相位噪聲僅為-87.88 dBc／Hz，完全滿足接收機(jī)的系統(tǒng)要求。

基于CMOS工藝的數(shù)字步進(jìn)衰減器的設(shè)計

本文基于Peregrine(派更)半導(dǎo)體公司的單片數(shù)字步進(jìn)衰減器(DSA，Digital Step Attenuator)產(chǎn)品系列，闡述了DSA通用設(shè)計方法、RF CMOS工藝以及這些器件的性能。

射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點

射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點

射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點

支持手機(jī)功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認(rèn)為是中國無線通信和3G產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年，國內(nèi)兩家領(lǐng)先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下

射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點

支持手機(jī)功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認(rèn)為是中國無線通信和3G產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年，國內(nèi)兩家領(lǐng)先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下

Avago 推出采用65nmCMOS工藝的17Gbps SerDes

Avago Technologies(安華高科技)今日宣布，已經(jīng)在65納米(nm) CMOS工藝技術(shù)上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能輸出。

TD射頻芯片：融合成趨勢 穩(wěn)定量產(chǎn)須努力

TD射頻芯片：融合成趨勢 穩(wěn)定量產(chǎn)須努力

IC：模擬與數(shù)字有四大不同