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TrendForce集邦咨詢: 服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%
Nov. 26, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2024年第三季DRAM(內(nèi)存)產(chǎn)業(yè)營收為260.2億美元，季增13.6%。受到大陸手機(jī)制造商去化庫存及部分DRAM供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)影響，盡管前三大DRAM原廠LPDDR4及DDR4出貨量下降，但供應(yīng)數(shù)據(jù)中心的DDR5及HBM(高帶寬內(nèi)存)需求上升。平均銷售單價(jià)部分，三大原廠延續(xù)前一季的上漲趨勢，加上HBM持續(xù)擠壓整體DRAM產(chǎn)能，合約價(jià)于第三季達(dá)成8%至13%的漲幅。
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TrendForce集邦咨詢: 需求展望疲弱、庫存和供給上升，預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌
Nov. 18, 2024 ---- 第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價(jià)的關(guān)鍵時(shí)期，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應(yīng)充足、需求減弱，目前價(jià)格已呈現(xiàn)跌勢。DDR5與LPDDR5X等先進(jìn)制程產(chǎn)品的需求展望尚不明確，加上部分買賣方庫存水位偏高，價(jià)格不排除于今年第四季底開始下跌。
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TrendForce集邦咨詢: 在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
Nov. 6, 2024 ---- DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價(jià)格回升，價(jià)格動(dòng)能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應(yīng)商在今年獲利后展開新增產(chǎn)能規(guī)劃，預(yù)估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長幅度較2024年大。
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三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計(jì)算
新款GDDR7提供了業(yè)界出眾的容量和超過40Gbps的速度，極大提升了圖形DRAM的性能，為未來應(yīng)用注入強(qiáng)勁動(dòng)力 今年將攜手主要GPU客戶進(jìn)行驗(yàn)證，并計(jì)劃于明年年初投入生產(chǎn) 深圳2024年10月17日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布，已成功開發(fā)出其首款24Gb GDDR7...
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TrendForce集邦咨詢: 買方優(yōu)先去庫存，2024年第四季度存儲(chǔ)器價(jià)格漲幅放緩
Oct. 9, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2024年第三季之前，消費(fèi)型產(chǎn)品終端需求依然疲軟，由AI 服務(wù)器支撐起存儲(chǔ)器主要需求，加上HBM排擠現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品產(chǎn)能，供應(yīng)商對合約價(jià)格漲幅保持一定的堅(jiān)持。然而，近期雖有服務(wù)器OEM維持拉貨動(dòng)能，但智能手機(jī)品牌仍在觀望，TrendForce集邦咨詢預(yù)估第四季存儲(chǔ)器均價(jià)漲幅將大幅縮減，其中，一般型DRAM (Conventional DRAM)漲幅為0%至5%之間，但由于HBM比重逐漸提高，DRAM整體平均價(jià)格估計(jì)上漲8%至13%，較前一季漲幅明顯收斂。
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TrendForce集邦咨詢: HBM3e 12hi面臨良率和驗(yàn)證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過剩仍待觀察
Sep. 30, 2024 ---- 近期市場對于2025年HBM可能供過于求的擔(dān)憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進(jìn)HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學(xué)習(xí)曲線長，目前尚難判定是否會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能過剩局面。
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新興存儲(chǔ)器MRAM與ReRAM在嵌入式市場的崛起
隨著科技的飛速發(fā)展，尤其是物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛、人工智能等領(lǐng)域的蓬勃興起，對存儲(chǔ)技術(shù)的需求日益增長。傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器如DRAM和Flash雖已占據(jù)市場主流，但其在性能、功耗、耐久性和可靠性等方面已逐漸接近物理極限。因此，新興存儲(chǔ)器技術(shù)如磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)和電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)開始嶄露頭角，特別是在嵌入式市場中展現(xiàn)出巨大的潛力。
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TrendForce集邦咨詢: 2024年第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增24.8%，預(yù)期第三季合約價(jià)將上調(diào)
Aug. 15, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴(kuò)張帶動(dòng)多數(shù)業(yè)者營收成長，2024年第二季整體DRAM(內(nèi)存)產(chǎn)業(yè)營收達(dá)229億美元，季增24.8%。價(jià)格方面，合約價(jià)于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預(yù)估Conventional DRAM(一般型內(nèi)存)合約價(jià)漲幅將高于先前預(yù)期。
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TrendForce集邦咨詢：服務(wù)器支撐下半年需求，預(yù)估DRAM價(jià)格第三季漲幅達(dá)8-13%
Jun. 27, 2024 ---- 根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇，加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應(yīng)商將延續(xù)漲價(jià)態(tài)度，第三季DRAM均價(jià)將持續(xù)上揚(yáng)。DRAM價(jià)格漲幅達(dá)8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。
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TrendForce集邦咨詢：云端CSPs將擴(kuò)大邊緣AI發(fā)展，帶動(dòng)2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達(dá)7%
Jun. 25, 2024 ---- 全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢觀察，2024年大型云端CSPs，如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠商，將仍為采購高階主打訓(xùn)練用AI server的主力客群，以作為LLM及AI建?；A(chǔ)。待2024年CSPs逐步完成建置一定數(shù)量AI訓(xùn)練用server基礎(chǔ)設(shè)施后，2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展，包含發(fā)展較為小型LLM模型，以及建置邊緣AI server，促其企業(yè)客戶在制造、金融、醫(yī)療、商務(wù)等各領(lǐng)域應(yīng)用落地。
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TrendForce集邦咨詢：合約價(jià)上漲抵消淡季效應(yīng)，推升DRAM第一季營收季增5.1%
Jun. 13, 2024 ---- 根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)主流產(chǎn)品合約價(jià)走揚(yáng)、且漲幅較2023年第四季擴(kuò)大，帶動(dòng)營收較前一季度成長5.1%，達(dá)183.5億美元，推動(dòng)多數(shù)業(yè)者營收延續(xù)季增趨勢。
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TrendForce集邦咨詢：第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%;NAND Flash約15~20%
May 7, 2024 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%;NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。
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TrendForce集邦咨詢：2025年HBM價(jià)格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成
May 6, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM(Conventional DRAM)高出數(shù)倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。
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新唐科技推出適用于工業(yè)邊緣設(shè)備的 MA35D0 微處理器系列
雙核心，出色安全性功能、內(nèi)部堆棧DRAM、豐富的外圍
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投資5.3 萬億！SK 海力士官宣DRAM生產(chǎn)基地
業(yè)內(nèi)消息，近日韓國存儲(chǔ)芯片巨頭SK 海力士宣布，為應(yīng)對用于 AI 的半導(dǎo)體需求劇增，決定擴(kuò)充 AI 基礎(chǔ)設(shè)施（Infra）的核心產(chǎn)品即 HBM 等新一代 DRAM 的生產(chǎn)能力（Capacity） 。
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TrendForce集邦咨詢：DRAM廠陸續(xù)恢復(fù)生產(chǎn)，預(yù)估對第二季總DRAM位元產(chǎn)出影響低于1%
Apr. 10, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢于403震后對DRAM產(chǎn)業(yè)影響的最新調(diào)查，各供貨商所需檢修及報(bào)廢晶圓數(shù)量不一，且廠房設(shè)備本身抗震能力均能達(dá)到一定的抗震效果，因此整體沖擊較小。美光、南亞科、力積電、華邦電等，均大致恢復(fù)100%的產(chǎn)線運(yùn)作，其中僅有美光已經(jīng)轉(zhuǎn)進(jìn)至先進(jìn)制程，多為1alpha與1beta nm，預(yù)估將影響整體DRAM產(chǎn)出位元占比;其余DRAM廠仍停留在38、25nm，產(chǎn)出占比相對小。整體而言，預(yù)期本次地震對第二季DRAM產(chǎn)出位元影響仍可控制在1%以內(nèi)。
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43億追加投資啟動(dòng)！美光西安新封測廠奠基，踐行對中國長期投資的承諾
2024年3月27日上午，美光西安新封測廠奠基儀式成功召開。
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美光西安封裝和測試工廠擴(kuò)建項(xiàng)目破土動(dòng)工
美光首個(gè)可持續(xù)發(fā)展卓越中心彰顯了公司對中國運(yùn)營及本地社區(qū)的不懈承諾
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羅徹斯特電子攜手Intelligent Memory提供傳統(tǒng)存儲(chǔ)解決方案
DRAM和NAND產(chǎn)品的可持續(xù)供貨渠道
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TrendForce集邦咨詢：供應(yīng)商欲積極拉高合約價(jià)，然需求能見度仍不佳，預(yù)估第二季DRAM價(jià)格漲幅將收斂至3~8%
Mar. 26, 2024 ---- 目前觀察DRAM供應(yīng)商庫存雖已降低，但尚未回到健康水位，且在虧損狀況逐漸改善的情況下，進(jìn)一步提高產(chǎn)能利用率。不過，由于今年整體需求展望不佳，加上去年第四季起供應(yīng)商已大幅度漲價(jià)，預(yù)期庫存回補(bǔ)動(dòng)能將逐漸走弱。因此，TrendForce集邦咨詢預(yù)估， 第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將收斂至3~8%。
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