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山東天岳及韓國(guó)SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國(guó)和中國(guó)為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM 2013”（日本

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2013-10-10

晶圓 SIC 元件功率半導(dǎo)體
昭和電工開始量產(chǎn)并銷售功率半導(dǎo)體用6英寸SiC外延晶圓

昭和電工2013年9月30日宣布確立了6英寸SiC外延晶圓的量產(chǎn)化技術(shù)。該公司從2013年年初就開始提供該晶圓的樣品，此次確立了量產(chǎn)化技術(shù)，從10月份開始設(shè)定產(chǎn)品性能參數(shù)、正式展開銷售。據(jù)介紹，6英寸產(chǎn)品適于降低元件成

半導(dǎo)體
2013-10-10

晶圓 SIC 元件功率半導(dǎo)體
昭和電工開始量產(chǎn)并銷售功率半導(dǎo)體用6英寸SiC外延晶圓

昭和電工日前宣布確立了6英寸SiC外延晶圓的量產(chǎn)化技術(shù)。該公司從2013年年初就開始提供該晶圓的樣品，此次確立了量產(chǎn)化技術(shù)，從10月份開始設(shè)定產(chǎn)品性能參數(shù)、正式展開銷售。據(jù)介紹，6英寸產(chǎn)品適于降低元件成本，也適合

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-10-09

晶圓 SIC 元件功率半導(dǎo)體
6英寸SiC晶圓接連出現(xiàn)，各公司紛紛公布供貨時(shí)間

在關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體的國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM 2013”（2013年9月29日～10月4日，日本宮崎縣Phoenix Seagaia Resort）的展示會(huì)場(chǎng)內(nèi)，多家SiC基板廠商展示了直徑為6英寸（150mm）的晶圓。這種晶圓是現(xiàn)行3～4英寸（75mm～100

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2013-10-09

基板 CRYSTAL 晶圓 SIC
昭和電工開始量產(chǎn)并銷售功率半導(dǎo)體用6英寸SiC外延晶圓

昭和電工2013年9月30日宣布確立了6英寸SiC外延晶圓的量產(chǎn)化技術(shù)。該公司從2013年年初就開始提供該晶圓的樣品，此次確立了量產(chǎn)化技術(shù)，從10月份開始設(shè)定產(chǎn)品性能參數(shù)、正式展開銷售。據(jù)介紹，6英寸產(chǎn)品適于降低元件成

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2013-10-08

晶圓 SIC 元件功率半導(dǎo)體
美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管為航空應(yīng)用提供無與倫比的高功率性能

新器件適用于商用和軍事、地面和機(jī)載、二次監(jiān)視雷達(dá)，以及防撞空中交通管制設(shè)備21ic訊美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF晶體管擴(kuò)展其基于碳化硅(silic

功率器件
2013-09-30

美高森美功率晶體管 GAN SIC
利用SiC和GaN實(shí)現(xiàn)AC-AC轉(zhuǎn)換器薄型化

最近，采用可大幅削減電力損耗的新一代功率元件的試制示例接連出現(xiàn)。此次邀請(qǐng)了安川電機(jī)，針對(duì)采用SiC功率元件的AC-AC轉(zhuǎn)換器以及采用GaN功率元件的功率調(diào)節(jié)器，介紹有關(guān)技術(shù)

電源AC/DC
2013-09-27

轉(zhuǎn)換器 AC GAN SIC
【技術(shù)講座】利用SiC和GaN大幅削減電力轉(zhuǎn)換裝置的體積

最近，采用可大幅削減電力損耗的新一代功率元件的試制示例接連出現(xiàn)?！度战?jīng)電子》此次邀請(qǐng)了安川電機(jī)，針對(duì)采用SiC功率元件的AC-AC轉(zhuǎn)換器以及采用GaN功率元件的功率調(diào)節(jié)器，介紹有關(guān)技術(shù)和取得的效果。（《日經(jīng)電子》

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2013-09-18

電力轉(zhuǎn)換器 GAN SIC
異質(zhì)結(jié)國(guó)際學(xué)會(huì)“TWHM” GaN

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 9月2~5日“Topical Workshopon Heterostructure Microelectronics（TWHM 2013）”在日本函館舉行。據(jù)了解，該會(huì)議每隔一年舉辦一次，2013年迎來了第十屆。此次會(huì)議是討論采用不同材料的構(gòu)

顯示光電
2013-09-17

RF GAN HM SIC
全球第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)部署重點(diǎn)及方向分析

在首屆第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國(guó)際研討會(huì)上，Transphorm公司的技術(shù)營(yíng)銷高級(jí)經(jīng)理黃贊先生對(duì)第三代半導(dǎo)體材料各國(guó)研發(fā)部署重點(diǎn)及方向進(jìn)行了主題報(bào)告，系統(tǒng)闡述了美國(guó)、日本等國(guó)的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)相關(guān)項(xiàng)目、進(jìn)

半導(dǎo)體
2013-09-13

OLED 半導(dǎo)體材料功率密度 SIC
全球第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)部署重點(diǎn)及方向分析

在首屆第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國(guó)際研討會(huì)上，Transphorm公司的技術(shù)營(yíng)銷高級(jí)經(jīng)理黃贊先生對(duì)第三代半導(dǎo)體材料各國(guó)研發(fā)部署重點(diǎn)及方向進(jìn)行了主題報(bào)告，系統(tǒng)闡述了美國(guó)、日本等國(guó)的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)相關(guān)項(xiàng)目、進(jìn)

消費(fèi)電子
2013-09-12

OLED 半導(dǎo)體材料功率密度 SIC
全球第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)部署重點(diǎn)及方向分析

在首屆第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國(guó)際研討會(huì)上，Transphorm公司的技術(shù)營(yíng)銷高級(jí)經(jīng)理黃贊先生對(duì)第三代半導(dǎo)體材料各國(guó)研發(fā)部署重點(diǎn)及方向進(jìn)行了主題報(bào)告，系統(tǒng)闡述了美國(guó)、日本等國(guó)的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)相關(guān)項(xiàng)目、進(jìn)

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2013-09-11

OLED 半導(dǎo)體材料功率密度 SIC
日商AIR WATER選用愛思強(qiáng)系統(tǒng)生產(chǎn)GaN-on-SiC-on-Si

德國(guó)AIXTRON愛思強(qiáng)29日宣布，日本安曇野市的愛沃特株式會(huì)社（AIRWATER）告稱已成功安裝一套8x6英寸規(guī)格的全自動(dòng)的愛思強(qiáng)AIXG5HT行星式反應(yīng)器，用于氮化鎵外延層的生長(zhǎng)。AIRWATER之所以選用愛思強(qiáng)MOCVD系統(tǒng)，是基于該

半導(dǎo)體
2013-09-02

GAN AIR WATER SIC
SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”？

SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別。”這是因?yàn)?，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布，在學(xué)會(huì)和展會(huì)的舞臺(tái)上，這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)

消費(fèi)電子
2013-07-18

電源技術(shù) GAN SIC 功率半導(dǎo)體
GT Advanced Technologies推出碳化硅爐新產(chǎn)品線

21ic訊 GT Advanced Technologies今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長(zhǎng)技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑

功率器件
2013-07-09

碳化硅 ADVANCED TECHNOLOGIES SIC
GT Advanced Technologies推出碳化硅爐新產(chǎn)品線

新罕布什爾州，納舒厄，2013年7月8日—GT Advanced Technologies(納斯達(dá)克：GTAT)今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長(zhǎng)技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大

顯示光電
2013-07-09

碳化硅 ADVANCED TECHNOLOGIES SIC
利用開關(guān)器件提高PFC效率的實(shí)現(xiàn)

為了滿足能源之星(ENERGY STAR)等規(guī)范的要求以及消費(fèi)者降低碳排放的愿望，功率電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)正在不斷努力提高系統(tǒng)效率，以求盡量接近額定100%效率的終極目標(biāo)。此外，目前

功率器件
2013-07-03

肖特基二極管開關(guān)器件 PFC SIC
2013年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)140.7億美元

日本市場(chǎng)調(diào)查公司矢野經(jīng)濟(jì)研究所的調(diào)查顯示，按照廠商的供貨金額計(jì)算，2012年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為135.12億美元，比上年減少11.5%。功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在2009年迅速下滑后，曾在2010年和2011年連續(xù)兩年出現(xiàn)復(fù)蘇，但由

半導(dǎo)體
2013-05-29

半導(dǎo)體市場(chǎng) GAN SIC 功率半導(dǎo)體
LED半導(dǎo)體照明外延及芯片技術(shù)的最新進(jìn)展

自上世紀(jì)90年代初中村修二發(fā)明高亮度藍(lán)光LED以來，基于GaN基藍(lán)光LED和黃色熒光粉組合發(fā)出白光方式的半導(dǎo)體照明技術(shù)在世界范圍內(nèi)得到了廣泛關(guān)注和快速發(fā)展。迄今為止，商品化白光LED的光效已經(jīng)超過150 lm/W，而實(shí)驗(yàn)室

顯示光電
2013-05-29

芯片技術(shù) LED 半導(dǎo)體照明 SIC
中國(guó)“太陽(yáng)神”施正榮的升起和隕落

2010年在澳洲悉尼，中國(guó)太陽(yáng)能面板生產(chǎn)商尚德電力的創(chuàng)始人施正榮給大學(xué)生做了一場(chǎng)演講，現(xiàn)場(chǎng)座無虛席。他在演講中列舉了幫助其事業(yè)成功的幾位重要人物。有兩個(gè)人被特別提到：楊衛(wèi)澤和王榮。兩人都曾任江蘇省無錫市市

消費(fèi)電子
2013-05-28

可再生能源多晶硅 API SIC

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SIC

山東天岳及韓國(guó)SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)

昭和電工開始量產(chǎn)并銷售功率半導(dǎo)體用6英寸SiC外延晶圓

昭和電工開始量產(chǎn)并銷售功率半導(dǎo)體用6英寸SiC外延晶圓

6英寸SiC晶圓接連出現(xiàn)，各公司紛紛公布供貨時(shí)間

昭和電工開始量產(chǎn)并銷售功率半導(dǎo)體用6英寸SiC外延晶圓

美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管為航空應(yīng)用提供無與倫比的高功率性能

利用SiC和GaN實(shí)現(xiàn)AC-AC轉(zhuǎn)換器薄型化

【技術(shù)講座】利用SiC和GaN大幅削減電力轉(zhuǎn)換裝置的體積

異質(zhì)結(jié)國(guó)際學(xué)會(huì)“TWHM” GaN

全球第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)部署重點(diǎn)及方向分析

全球第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)部署重點(diǎn)及方向分析

全球第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)部署重點(diǎn)及方向分析

日商AIR WATER選用愛思強(qiáng)系統(tǒng)生產(chǎn)GaN-on-SiC-on-Si

SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”？

GT Advanced Technologies推出碳化硅爐新產(chǎn)品線

GT Advanced Technologies推出碳化硅爐新產(chǎn)品線

利用開關(guān)器件提高PFC效率的實(shí)現(xiàn)

2013年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)140.7億美元

LED半導(dǎo)體照明外延及芯片技術(shù)的最新進(jìn)展

中國(guó)“太陽(yáng)神”施正榮的升起和隕落

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