21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅(silicon carbide,SiC)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊,它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘
2013年1份月已過去大半,筆者想在此介紹一個(gè)2013年將受關(guān)注的領(lǐng)域。雖然這樣的領(lǐng)域很多,但筆者此次要說的是SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體的動(dòng)向。該領(lǐng)域之所以會(huì)受到關(guān)注,是因?yàn)樵?013年,新一代功率半導(dǎo)體的使用范圍
進(jìn)入21世紀(jì)以來,隨著摩爾定律的失效大限日益臨近,尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后,有兩位脫穎而出,它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。SiC早在
進(jìn)入21世紀(jì)以來,隨著摩爾定律的失效大限日益臨近,尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后,有兩位脫穎而出,它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料
“受制于制造成本和產(chǎn)品良率影響,目前阻礙SiC產(chǎn)品大規(guī)模進(jìn)入市場(chǎng)的主要原因是價(jià)格昂貴,一般是同類Si產(chǎn)品的10倍左右。我個(gè)人認(rèn)為2013年SiC市場(chǎng)將正式啟動(dòng),在未來2-3年SiC BJT器件有可能首先成為最先被市場(chǎng)接受
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,蘋果今天向美國(guó)證券交易委員會(huì)提交的材料顯示,蘋果iTunes、iCloud和Maps業(yè)務(wù)掌門埃迪·庫伊(Eddy Cue)上周出售了1.5萬股股票,平均售價(jià)略低于584美元,套現(xiàn)不到876萬美元。庫伊去年9月份被提
21ic訊 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出了針對(duì)固態(tài)照明系統(tǒng)而設(shè)計(jì)的全新的NSIC20XX系列線性恒流穩(wěn)流器(CCR)。新的NSIC20XX系列CCR提供120伏(V)的最大額定電壓及3瓦(W)功率,能夠承受數(shù)字標(biāo)牌、照明板及裝飾性照明
為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間要求,工業(yè)和功率電子設(shè)計(jì)人員在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而,在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高密度電源、汽
中國(guó)經(jīng)濟(jì)迅速增長(zhǎng)的背后離不開電能的支持,各行各業(yè)對(duì)電能的需求量以及對(duì)電能質(zhì)量的要求正越來越高。隨著電能質(zhì)量治理市場(chǎng)規(guī)模的不斷放大,該市場(chǎng)已成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)之一,因而也成為2012年第十四屆高交會(huì)電子展中
21ic訊 為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間要求,工業(yè)和功率電子設(shè)計(jì)人員在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而,在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高密度
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列,新的二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)廣泛的工業(yè)應(yīng)用,包括太陽能逆變器、電焊機(jī)、等離子切割機(jī)、快速車輛充電、石油勘探
日本京都大學(xué)工學(xué)院須田淳準(zhǔn)教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體二極
對(duì)于來到中國(guó)的外資半導(dǎo)體企業(yè),在需求多變的市場(chǎng)中如何實(shí)現(xiàn)本地化、拓展市場(chǎng)和提升競(jìng)爭(zhēng)力成為他們面臨的共同問題。世界知名半導(dǎo)體制造商羅姆,憑借獨(dú)有的、多元化的高品質(zhì)產(chǎn)品群,在產(chǎn)品線布局上,統(tǒng)籌兼顧、有的放
太陽能的轉(zhuǎn)換效率問題是制約其應(yīng)用的一個(gè)巨大挑戰(zhàn),業(yè)界正在為每一個(gè)進(jìn)步而努力。日前英飛凌高管,負(fù)責(zé)銷售、市場(chǎng)、戰(zhàn)略和兼并的管理委員會(huì)成員Arunjai Mittal對(duì)本刊表示,英飛凌采用先進(jìn)SiC工藝的JFET技術(shù),可以將太
21ic訊 10月2日-10月6日,CEATEC 2012如期召開,本屆CEATEC主題重點(diǎn)關(guān)注:Smart Innovation-豐富多彩的生活和社會(huì)的創(chuàng)造當(dāng)今世界隨著個(gè)人生活、商務(wù)、行業(yè)、社會(huì)系統(tǒng)的全面網(wǎng)絡(luò)技術(shù)活用已在逐步孕育構(gòu)筑高效的智能社
翻頻是一種合理的優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)手段。經(jīng)過平時(shí)長(zhǎng)期地?cái)U(kuò)容調(diào)整和工程建設(shè),網(wǎng)絡(luò)頻率相對(duì)來說比較雜亂,現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)頻點(diǎn)已不適合繼續(xù)應(yīng)用或現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)因不斷的新增建設(shè),導(dǎo)致頻點(diǎn)資源混亂出現(xiàn)干擾,此時(shí)需對(duì)整網(wǎng)頻點(diǎn)重新規(guī)劃,使
GSM翻頻技術(shù)
21ic訊 英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢(shì)壘二極管,壯大其SiC(碳化硅)產(chǎn)品陣容。英飛凌榮獲專利的擴(kuò)散焊接工藝早已應(yīng)用于第三代產(chǎn)品,如今又成功地與更緊湊的全新設(shè)計(jì)和最新的薄晶圓技術(shù)有機(jī)結(jié)合
對(duì)于羅姆,令人印象最深的自然還是它的電阻,但是今天的羅姆,已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線、各類光學(xué)器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導(dǎo)體公司。今天在上海,羅姆的全國(guó)科技巡回展上,我們看到了羅姆新
對(duì)于羅姆,令人印象最深的自然還是它的電阻,但是今天的羅姆,已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線、各類光學(xué)器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導(dǎo)體公司。今天在上海,羅姆的全國(guó)科技巡回展上,我們看到了羅姆新