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晶圓代工大廠退出 SICAS產(chǎn)能統(tǒng)計代表性不再？
美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計報告(wafermanufacturingcapacitystatistics)顯示，2011年第二季全球晶片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%；不過該報告也強調(diào)，與過去的國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計協(xié)會(SIC
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晶圓代工大廠退出 SICAS產(chǎn)能統(tǒng)計代表性不再？
美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計報告(wafermanufacturingcapacitystatistics)顯示，2011年第二季全球芯片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%；不過該報告也強調(diào)，與過去的國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計協(xié)會(SIC
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晶圓代工大廠退出 SICAS產(chǎn)能統(tǒng)計代表性不再？
美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計報告(wafer manufacturing capacity statistics)顯示， 2011年第二季全球晶片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%；不過該報告也強調(diào)，與過去的國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計協(xié)會
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京瓷展示用于SiC功率元件的封裝和基板
容許電流分別為15A（左）和50A（右）的封裝（點擊放大） 封裝的解說板（點擊放大） 可雙芯片封裝SiC功率元件的功率模塊基板（點擊放大） 降低了寄生電感成分的功率模塊基板（點擊放大） 解說板（點擊放
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SiC基板廠商紛紛開發(fā)6英寸產(chǎn)品
晶圓(基板)左右著SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到，很多SiC基板廠商都在手開發(fā)口徑6英寸(150mm)的產(chǎn)品?，F(xiàn)在生產(chǎn)的功率元件SiC基板的最大口徑為4英寸(100mm)。將口徑增大到6英寸，有利于提高SiC制功率元
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SiC基板廠商紛紛開發(fā)6英寸產(chǎn)品
晶圓(基板)左右著SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到，很多SiC基板廠商都在手開發(fā)口徑6英寸(150mm)的產(chǎn)品?，F(xiàn)在生產(chǎn)的功率元件SiC基板的最大口徑為4英寸(100mm)。將口徑增大到6英寸，有利于提高SiC制功率元
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設(shè)計驅(qū)動您的業(yè)務(wù)，業(yè)務(wù)驅(qū)動您的發(fā)展
以極具藝術(shù)氣息的沙畫表演作為開場白，達索析統(tǒng)SolidWorks公司2011年創(chuàng)新日活動拉開了序幕。在2011年9月20日到10月21日這一個月的時間里，中國的45家SolidWorks經(jīng)銷商，將在55個不同城市舉辦85場創(chuàng)新日發(fā)布會，向現(xiàn)
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SiC國際會議：從功率元件到傳感器和集成電路
作為新一代功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注的SiC國際會議“ICSCRM2011”于2011年9月11～16日(當(dāng)?shù)貢r間)在美國俄亥俄州克利夫蘭舉行。會上圍繞著SiC基板(晶圓)、元件工藝、各種元件以及相關(guān)電路應(yīng)用等題目進行了成果發(fā)表。雖
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SiC國際會議：從功率元件到傳感器和集成電路
作為新一代功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注的SiC國際會議“ICSCRM2011”于2011年9月11～16日(當(dāng)?shù)貢r間)在美國俄亥俄州克利夫蘭舉行。會上圍繞著SiC基板(晶圓)、元件工藝、各種元件以及相關(guān)電路應(yīng)用等題目進行了成
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京都大學(xué)：“250℃高溫下工作，電流放大率依然高達127”
圖1：使用SiC的Si面時，BJT的電流放大率（點擊放大） 圖2：使用SiC的C面時，BJT的電流放大率（點擊放大） 日本京都大學(xué)副教授須田淳等的研究小組在SiC國際會議“ICSCRM 2011”上公布了正在研發(fā)的SiC制BJT（bip
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【ICSCRM】SiC基板廠商紛紛宣布支持6英寸產(chǎn)品
SiC晶圓（基板）左右著SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到，很多SiC基板廠商都在手開發(fā)口徑6英寸（150mm）的產(chǎn)品?，F(xiàn)在生產(chǎn)的功率元件SiC基板的最大口徑為4英寸（100mm）。將口徑增大到6英寸，有利于提高S
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浪潮華光立足產(chǎn)學(xué)研 打造一流光電企業(yè)
今年，山東浪潮華光光電子有限公司（簡稱“浪潮華光”）喜訊頻傳：該公司承擔(dān)的國家發(fā)改委信息產(chǎn)業(yè)振興項目半導(dǎo)體照明用外延片、管芯、器件及應(yīng)用產(chǎn)品研發(fā)項目通過國家驗收；承擔(dān)的國家863計劃項目“激光顯示”和山東
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基于TMS320C6416的語音凈化系統(tǒng)
目前針對語音識別提出了很多算法,但是這些研究基本上都是基于較為純凈的語音環(huán)境,一旦待識別的環(huán)境中有噪聲和干擾,語音識別就會受到嚴重影響.如果能實現(xiàn)噪聲和語音的自動分離,即在識別前就獲得較為純凈的語音,可以徹
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基于TMS320C6416的語音凈化系統(tǒng)
基于TMS320C6416的語音凈化系統(tǒng)
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普利司通試制出功率元件用5英寸SiC基板
試制的5英寸SiC基板（點擊放大） 普利司通試制出了SiC功率半導(dǎo)體元件制造（以下稱功率元件）用5英寸口徑SiC基板。該公司此前已在投產(chǎn)功率元件用2～4英寸口徑SiC基板。據(jù)稱此次試制的5英寸品具有與傳統(tǒng)產(chǎn)品“相同水
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臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)值成長率再次下調(diào)
臺灣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值成長率近日再度下修成長率，預(yù)估今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值跌幅將繼續(xù)擴大至-11.3％，其中又以晶圓代工和存儲器的調(diào)降幅度較大。研院IEK系統(tǒng)IC與制程研究部經(jīng)理楊瑞臨指出，8月10日發(fā)表的數(shù)字是IEK協(xié)助
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富士電機擬擴增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線
富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線，未來預(yù)計在2012年春季開始量產(chǎn)。富士電機將
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評測SiC功率模塊封裝材料的產(chǎn)學(xué)合作項目最新進展
開發(fā)的水冷式SiC功率模塊的構(gòu)造（點擊放大） 評測SiC等大電流功率模塊封裝材料的產(chǎn)學(xué)合作項目“KAMOME-PJ”的最新進展，在2011年9月6日于橫濱信息文化中心舉行的YJC（橫濱高度封裝技術(shù)聯(lián)盟）成立5周年紀(jì)念研討會上
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擴增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線 富士電機增大生產(chǎn)規(guī)模
富士電機于2011年會計年度（2010年4月~2011年3月）對功率半導(dǎo)體的投資額高達185億日圓（約2.4億美元），約占該公司總投資額的一半。士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體，并在2012年前于該公司位于日本長野
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富士電機擬擴增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線
富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線，未來預(yù)計在2012年春季開始量產(chǎn)。 富
