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LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)
外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長偏短或偏長等)。良品的外延片就要開始做電極(P極，N極)，接下來就用激
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采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集
人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積
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羅姆“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn)
21ic訊 羅姆株式會(huì)社推出的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）構(gòu)成。 此產(chǎn)品安裝在工業(yè)設(shè)備和太陽能電池等中負(fù)責(zé)電力
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世界首家“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn)
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構(gòu)成。此產(chǎn)品安裝在工業(yè)設(shè)備
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TSic系列高精度溫度傳感器的應(yīng)用
摘要：數(shù)字溫度傳感器因其低成本、易使用、無需校準(zhǔn)等特點(diǎn)近年來得到廣泛應(yīng)用，其中以DS18B20為代表。目前常用的數(shù)字溫度傳感器與傳統(tǒng)的鉑溫度傳感器相比，測量精度還不夠高。本文介紹的TSic系列的精度可達(dá)到±
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羅姆“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn)
21ic訊 羅姆株式會(huì)社推出的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）構(gòu)成。 此產(chǎn)品安裝在工業(yè)設(shè)備和太陽能電池等中負(fù)責(zé)電力
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SiC/GaN功率半導(dǎo)體面臨測試新挑戰(zhàn)
半導(dǎo)體材料最近引來不少關(guān)注。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，硅對(duì)于設(shè)備生產(chǎn)商的運(yùn)行性能已經(jīng)逼近極限。功率半導(dǎo)體用戶需要更高效的、切換時(shí)損失電力不那么多的設(shè)備。 因此功率半導(dǎo)體廠商開始轉(zhuǎn)向替代材料，更具體地說是碳化硅
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國際局勢(shì)撲朔迷離，國內(nèi)廠商應(yīng)抓住新能源機(jī)遇
歐債危機(jī)讓歐洲各國自顧不暇，對(duì)外需求大降；美國失業(yè)率居高不下，又面臨大選，政策搖擺不定；中東局勢(shì)緊張，隨時(shí)可能開火。整體感覺，2012年經(jīng)濟(jì)形勢(shì)不太淡定，從去年下半年開始，傳統(tǒng)行業(yè)需求開始降低，新能源產(chǎn)業(yè)
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瑞薩推出在單一封裝中集成電源轉(zhuǎn)換電路的SiC功率器件系列
21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）復(fù)合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組
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瑞薩推出低損耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡稱“瑞薩”）宣布開發(fā)出了肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款
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瑞薩推出在單一封裝中集成電源轉(zhuǎn)換電路的SiC功率器件系列
21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）復(fù)合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組
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瑞薩推出低損耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡稱“瑞薩”）宣布開發(fā)出了肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款
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國內(nèi)首款數(shù)字高清解碼系統(tǒng)芯片在北部誕生
日前，北部新區(qū)高新科技企業(yè)重慶四聯(lián)微電子有限公司，成功研發(fā)出國內(nèi)第一款高清數(shù)字電視機(jī)頂盒系統(tǒng)主芯片SIC 8008，標(biāo)志著我國第一款高清數(shù)字電視機(jī)頂盒系統(tǒng)主芯片在重慶北部新區(qū)誕生。由北部新區(qū)國資創(chuàng)業(yè)投資公司--
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摩根大通：Leap和MetroPCS或成AT&T收購目標(biāo)
北京時(shí)間12月30日下午消息（艾斯）根據(jù)彭博社報(bào)道，摩根大通公司表示，隨著AT&T 390億美元收購T-Mobile美國宣告失敗，美國移動(dòng)運(yùn)營商Leap Wireless和MetroPCS Communications或許將成為AT&T或T-Mobile的收購目標(biāo)。摩
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在日企中是首次—新日鐵開發(fā)出用于功率元件的6英寸SiC基板
6英寸SiC基板（點(diǎn)擊放大） 發(fā)布會(huì)上（點(diǎn)擊放大） 新日本制鐵（新日鐵）開發(fā)出了用于SiC功率元件的6英寸（150mm）直徑SiC基板。6英寸產(chǎn)品的開發(fā)成果僅次于在SiC基板業(yè)務(wù)中份額居首的美國科銳（Cree）公司，在日
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羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車)及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC
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羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出高速、大電流的SiC溝槽MOS模塊
21ic訊 羅姆株式會(huì)社日前面向EV、HEV車（電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車）及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International（APEI）公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊&l
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羅姆開發(fā)出可在高溫條件下工作的壓鑄模類型SiC功率模塊
21ic訊 羅姆株式會(huì)社日前面向EV/HEV車（電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車）和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng)，開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂，世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃
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全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告出爐
美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告 (wafermanufacturingcapacitystatistics)顯示，2011年第二季全球晶片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%；不過該報(bào)告也強(qiáng)調(diào)，與過去的國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(SI
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晶圓代工大廠退出 SICAS產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)代表性不再
美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)最新公布的全球晶圓制造產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)報(bào)告(wafer manufacturing capacity statistics)顯示， 2011年第二季全球芯片制造產(chǎn)能比第一季減少了14%；不過該報(bào)告也強(qiáng)調(diào)，與過去的國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)
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