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優(yōu)化上料組合、提高生產(chǎn)率

隨著SIPLACE SiCluster Professional優(yōu)化軟件的面世，西門子電子裝配系統(tǒng)有限公司(SEAS)進(jìn)一步擴(kuò)大了其面向電子制造行業(yè)的智能設(shè)換線方案的產(chǎn)品組合范圍。除了能夠根據(jù)產(chǎn)品的特點進(jìn)行分組生產(chǎn)，SIPLACE SiCluster Pr

SICAS認(rèn)為全球半導(dǎo)體業(yè)已停止出售工廠

芯片制造產(chǎn)能的下降及隨著需求市場的增長芯片制造業(yè)開始停止出售工廠。按半導(dǎo)體國際產(chǎn)能統(tǒng)計（SICAS）組織的數(shù)據(jù),在先進(jìn)制程方面的產(chǎn)能利用率已上升到超過90%。全球fab的產(chǎn)能利用率在2009年第三季度的平均值己從第二

垂直分層空時碼系統(tǒng)信號檢測算法的研究

主要介紹了基于多輸入多輸出(MIMO)傳輸方式的垂直分層空時碼系統(tǒng)(V—BLAST)空時碼系統(tǒng)的檢測算法，并把它與傳統(tǒng)的MIMO信號檢測算法進(jìn)行了分析和比較，仿真得出相關(guān)結(jié)論。

SiC元件普及還需突破三大障礙

SiC元件普及還需突破三大障礙 SiC元件價格下降的前景雖然看到，但要確保SiC元件普及，還需解決三大課題。即①進(jìn)一步提高SiC元件的性能；②改善SiC基板的品質(zhì)；③開發(fā)可充分發(fā)揮SiC元件優(yōu)點的周邊技術(shù)。 在①的元件

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

使用國產(chǎn)6H—SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。

新日鐵開展SiC晶圓業(yè)務(wù)，“質(zhì)量不輸美國可瑞”

新日本制鐵(新日鐵)著手開展作為新一代功率半導(dǎo)體底板材料的SiC(碳化硅)晶圓業(yè)務(wù)。將從2009年4月1日起通過子公司新日鐵材料開始銷售直徑2～4英寸(50～100mm)的SiC晶圓。此前新日鐵一直提供試制用晶圓的樣品，而此次

天科合達(dá)將高質(zhì)量碳化硅晶圓價格推向歷史新低

目前，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展再次激發(fā)了現(xiàn)代技術(shù)的革新。作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料，SiC 在熱學(xué)、電學(xué)、抗腐蝕等性能方面優(yōu)越于常用的襯底材料，可廣泛用于制造半導(dǎo)體照明、微電子、電力電子等半導(dǎo)體器件。 根據(jù)權(quán)

第三代碳化硅肖特基二極管（英飛凌）

率先推出碳化硅（SiC）肖特基二極管的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技股份有限公司近日在應(yīng)用電源電子大會暨展覽會（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界

第三代碳化硅肖特基二極管（英飛凌）

率先推出碳化硅（SiC）肖特基二極管的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技股份有限公司近日在應(yīng)用電源電子大會暨展覽會（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界

SICAS：第三季度半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率降至86.9% 先進(jìn)制程需求保持強(qiáng)勁

國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計組織（SICAS）發(fā)布的報告顯示，第三季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能利用率繼續(xù)走低。然而，不同類別產(chǎn)品之間的差異之大讓人吃驚。 第三季度產(chǎn)能利用率從第二季度的88.5%降低至86.9%。這是近兩年來的新低，2

埃及Orascom有意與奧地利電信合并

C114 9月10日消息（張月紅編譯）據(jù)報道，埃及電信運營商Orascom與奧地利電信公司正在談判合并事宜，奧地利電信控股股東是國企OeIAG公司，但其最大的股東是其政府部門。OeIAG執(zhí)有奧地利電信27.37%的股權(quán)，其余的在股票

山東規(guī)劃半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)四大基地

山東《加快半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見》近日出臺。《意見》提出，根據(jù)山東半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和產(chǎn)業(yè)分布，按照有利于發(fā)揮優(yōu)勢，突出特色，產(chǎn)業(yè)合理分工，市場資源合理配置，上、中、下游產(chǎn)業(yè)合理承接，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)聚

半導(dǎo)體產(chǎn)能比上年同期增長16.3％ 開工率提高

全球半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計協(xié)會（SICAS）日前宣布，2007年第三季度（7月～9月）全球半導(dǎo)體產(chǎn)能（MOS IC和雙極IC的總和）比上年同期增長16.3％，達(dá)到210萬2000枚/周（按200mm晶圓的投入量換算）。生產(chǎn)開工率為89.6％，高于上

Si整流器與SiC二極管：誰與爭鋒