SRAM

Crolles2聯(lián)盟開發(fā)的超高密度SRAM單元采用45納米低成本低功率普通CMOS體效應(yīng)技術(shù)

Crolles2聯(lián)盟在京都VLSI研討會(huì)上宣布的論文，為未來的低成本、低功耗、高密度消費(fèi)電路采用超小制程尺寸又添新選擇日本京都 (2005年 VLSI 研討會(huì)) ， 2005年6月15日 - Crolles2聯(lián)盟今天宣讀一篇有關(guān)在正常制造條件下采

Ramtron可替代SRAM的1兆位鐵電存儲(chǔ)器

Atmel推出首個(gè)8-bit高速M(fèi)CU

內(nèi)嵌51MCU的射頻收發(fā)芯片CC1010及其應(yīng)用

簡要介紹內(nèi)嵌8051MCU的射頻收發(fā)芯片CC1010的特性和各引腳功能；分析芯片的功能結(jié)構(gòu)，芯片內(nèi)嵌51MCU的性能和片內(nèi)收發(fā)器的工作原理；給出參考應(yīng)用電路；說明在PCB布線時(shí)應(yīng)當(dāng)注意的一些問題。

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例

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Renesas研制電壓為0.8 V的嵌入式SRAM技術(shù)

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Cypress欲計(jì)劃出售MRAM子公司

Micron 公司將停止生產(chǎn)SRAM產(chǎn)品

在亞洲發(fā)現(xiàn)仿冒Maxim的芯片

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鐵電存儲(chǔ)器在無線公話上的應(yīng)用方案的介紹

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鐵電在電力參數(shù)監(jiān)測中的應(yīng)用

鐵電技術(shù)是一種全新的技術(shù)，用在本系統(tǒng)中大大的減小了線路板的面積，降低了電路的復(fù)雜性，保證數(shù)據(jù)的可靠，有助供電管理部門作出更加合理的決策。

ESRAM產(chǎn)品的應(yīng)用指南

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FRAM在汽車行駛記錄儀中的應(yīng)用的優(yōu)勢

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基于TMS320VC5402的指紋識(shí)別系統(tǒng)

重點(diǎn)介紹以TMS320VC5402為核心的指紋識(shí)別系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)，概括地說明軟件設(shè)計(jì)方法。