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加密貨幣初創(chuàng)公司Nexo推出了一個(gè)加密貨幣現(xiàn)金借貸平臺(tái)
由TechCrunch創(chuàng)始人邁克爾?阿靈頓（Michael Arrington）支持的加密貨幣初創(chuàng)公司Nexo推出了一個(gè)基于加密貨幣的現(xiàn)金借貸平臺(tái)。 該公司的管理合伙人特倫切夫（Anto
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Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品 S5系列IGBT率先登陸Mouser
21ic訊 貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 為首家分銷Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品在175&
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Vishay 推出采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技術(shù)的新Trench IGBT平臺(tái)
600V和650V IGBT具有低 VCE(ON) 、快速和軟開關(guān)特性，可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS、太陽能電池和焊接逆變器21ic電源網(wǎng)訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布采用Punch
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英飛凌展示可滿足客戶高要求的性能一流的IGBT—— 650V TRENCHSTOP™5
英飛凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源管理展覽會(huì)上突出展示了650V TRENCHSTOP™ 5。新一代的薄晶圓IGBT絕緣柵雙極型晶體管&m
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飛兆半導(dǎo)體推出40V N溝道PowerTrench® MOSFET
21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench® MOSFET可幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。FDB9403利用飛兆半導(dǎo)體的屏蔽柵極技術(shù)，改進(jìn)了電阻并降低了電容。 該器件的RDS(ON) 比其最直接競爭
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飛兆半擴(kuò)展PowerTrench MOSFET系列
提升功率密度和輕載效率是服務(wù)器、電信和AC-DC電源設(shè)計(jì)人員的主要考慮問題。此外，這些開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的同步整流需要具有高性價(jià)比的電源解決方案，以便最大限度地減小
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能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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恩智浦推出新型汽車級(jí)TrenchMOS器件
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出全新汽車級(jí)功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導(dǎo)通電阻（RDSon）、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級(jí)MOS
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恩智浦推出新型汽車級(jí)TrenchMOS器件
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出全新汽車級(jí)功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導(dǎo)通電阻（RDSon）、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級(jí)MOS
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華潤上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺(tái)
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管
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華潤上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺(tái)
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管
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飛兆半導(dǎo)體推出P溝道PowerTrench® WL-CSP MOSFET
21ic訊 便攜設(shè)備的設(shè)計(jì)人員面臨著在終端應(yīng)用中節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對(duì)散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢(shì)，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench®薄型
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車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
