Vishay
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新型超高精度Bulk Metal Z 箔電阻（Vishay）
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型超高精度 Bulk Metal® Z 箔電阻 --- E102Z。該款電阻可在 55°C 到 +125°C 的溫度范圍內(nèi)提供達軍品級標準的絕對 TCR 值 (±0.2 ppm/°C)，容差為 ±0.005% (50 ppm)，
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新系列高性能徑向鋁電容器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新系列徑向鋁電容器 --- 146 RTI，這些器件具有極低的阻抗值、高電容及高紋波電流，并可實現(xiàn)高達 +125°C 的高溫運行。 146 RTI 器件可采用 13 種封裝尺寸，從 10 mm ×
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新型SMD紅外接收器系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出用于遙控系統(tǒng)的新型超小型表面貼裝（SMD）紅外接收器系列 --- TSOP75xxx，從而拓寬了其光電子產(chǎn)品系列。TSOP75xxx 系列器件具有 0.15 mW/sqm 的典型輻照度、在 3.3 V 時
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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。Si8422DB 針對手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器及智能電話
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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。Si8422DB 針對手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器及智能電話
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高性能小型SMD紅外接收器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出為傳感器和光障系統(tǒng)應用優(yōu)化的小型 SMD 接收器 --- TSOP5038，拓寬了其光電產(chǎn)品系列。憑借其快速響應時間、不易受電壓波動和 EMI 噪聲影響以及在 5 V 時具有 0.85 mA 典型低電
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新型 3mm 紅外發(fā)射器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出 3mm (T1) 紅外發(fā)射器 --- VSLB3940，拓展了其光電產(chǎn)品系列，且這些新器件的性能特征與領先的 5mm 發(fā)射器相當。新型 VSLB3940 940nm 紅外發(fā)射器在 100 mA 時具有 65 mW/s
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2010 封裝尺寸電流感測電阻（Vishay）
Vishay Intertechnology, Inc.日前推出新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip® 電阻，該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在 –65C 到 +275C 溫度范圍內(nèi)工作的 2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。
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新型表面貼裝紅外發(fā)射器系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出 940nm 表面貼裝紅外（IR）發(fā)射器系列，從而拓展了其光電子產(chǎn)品系列，這些新推出的器件具有遠高于標準發(fā)射器技術的輻射強度。這些新型發(fā)射器采用 1.8mm（T¾）鷗翼式（
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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
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新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。
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新型IHLP超薄大電流電感器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出采用2020 封裝尺寸的新型 IHLP® 超薄大電流電感器 --- IHLP-2020BZ-11。這款小型器件 IHLP-2020BZ-11 具有 2.0mm 超薄厚度、廣泛的電感范圍和較低的 DCR。 憑借高
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新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。
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940nm表面貼裝紅外發(fā)射器系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出 940nm 表面貼裝紅外 (IR) 發(fā)射器系列--- VSMB1940X01、VSMB3940X01、VSMB2020X01、VSMB2000X01。該系列器件的面世，進一步拓展了Vishay光電子產(chǎn)品系列。而更重要的是，這些新
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白光功率 SMD LED系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首個采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍寶石 InGaN/TAG 技術的高強度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84…。該系列器件可降低高容量應用的成本，它們具有 25K/W 的低熱阻以
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新型IHLP薄型高電流電感器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出采用 2020 封裝尺寸的新型 IHLP® 薄型、髙電流電感器 --- IHLP-2020CZ-11。這款小型 IHLP-2020CZ-11 器件具有 3.0mm 的超薄厚度、寬泛的電感范圍及低 DCR。 憑借
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Vishay提供計算電感器開關損失的免費在線計算工具
Vishay Intertechnology, Inc.目前在其網(wǎng)站上提供了計算 IHLP® 電感器開關損失的免費工具，這種易于使用的開關損失計算器可針對各個單獨應用進行定制，從而使設計人員能夠選擇正確的部件以優(yōu)化板設計，同時加速產(chǎn)
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白光功率 SMD LED系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首個采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍寶石 InGaN/TAG 技術的高強度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84…。該系列器件可降低高容量應用的成本，它們具有 25K/W 的低熱阻以
