日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款具有低電容及漏電流的最新小型ESD 保護(hù)陣列--- 2 線路的 VBUS052CD-FAH 和 4 線路的 VBUS054CD-FHI,這些器件可保護(hù)高速數(shù)據(jù)線,以防止瞬態(tài)電壓信號。 具有 0.6 mm 超
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET+肖特基二極管--- SiB800EDK,該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強(qiáng)型 PowerPAK® SC-75 封裝。這款新型器件的推出,意味著Vishay將其
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型有保護(hù)的高端負(fù)載開關(guān)-- SiP4613A/B。隨著該型器件的面世,Vishay進(jìn)一步擴(kuò)充了其電流限制保護(hù)負(fù)載開關(guān)系列。該器件可在 2.4V~5.5V 的電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行,并可處理
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET+肖特基二極管--- SiB800EDK,該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強(qiáng)型 PowerPAK® SC-75 封裝。這款新型器件的推出,意味著Vishay將其
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布推出新系列徑向鋁電容器--- EKX系列器件,這些器件可實現(xiàn) +105°C 的高溫運(yùn)行,且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。 Vishay的EKX 器件采用 14
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件,而且也代表著一個眾所周知的事實——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件,從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET™ 技術(shù),利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件,而且也代表著一個眾所周知的事實——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件,而且也代表著一個眾所周知的事實——硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件,從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET™ 技術(shù),利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP,擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK® SO-8 封裝,在 20V 額定電壓時具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)
盡管目前全球經(jīng)濟(jì)景氣低迷,離散半導(dǎo)體組件與被動組件供貨商Vishay仍計劃采取一系列的收購策略。Vishay董事會執(zhí)行主席、技術(shù)長暨業(yè)務(wù)發(fā)展主管Felix Zandman表示:“我們將繼續(xù)著眼于研發(fā)活動,采取并購以及推動有機(jī)成
Vishay Intertechnology Inc.正在考慮提高對國際整流器公司(IR)的收購報價。原來的出價是17億美元。在Vishay與IR的代理權(quán)之爭中,Vishay和IR就也是互相抨擊。 最近,Vishay發(fā)出了以16億美元股票方式收購IR的非約束性