日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN,其導(dǎo)通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產(chǎn)品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm,只有PowerPAK&
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN,其導(dǎo)通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產(chǎn)品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm,只有PowerPAK&
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款面向航空、國(guó)防和航天(AMS)應(yīng)用的通過(guò)CECC認(rèn)證的新型高精度Bulk Metal®箔電阻 --- RS92N、RS92NA和AN。在-55℃~+155℃、+20℃參考溫度條件下,器件的典型TCR只
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出三款面向航空、國(guó)防和航天(AMS)應(yīng)用的通過(guò)CECC認(rèn)證的新型高精度Bulk Metal®箔電阻 --- RS92N、RS92NA和AN。在-55℃~+155℃、+20℃參考溫度條件下,器件的典型TCR只
2009年4月23日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào):VSH)宣布,推出兩款新型液鉭電容器---M34和M35,新器件是業(yè)界首款采用真正可表面貼裝的模壓封裝產(chǎn)品。M34和M35液鉭電解芯片電容器集中了所有電
日前,Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布了其新款高速光電檢測(cè)器 --- TEMD5080X01,繼續(xù)擴(kuò)展其光電產(chǎn)品線。TEMD5080X01是PIN型光電二極管,與標(biāo)準(zhǔn)PIN光電二極管芯片相比,TEMD5080X01對(duì)400nm紫外線的檢測(cè)靈敏度提高了
Vishay Intertechnology, Inc.面向航空、軍事和航天應(yīng)用的超高精度、卷繞表面貼裝 Bulk Metal®Z 箔(BMZF)電阻新系列目前已可提供,該系列已根據(jù) EEE-INST-002、DSCC 和 EPPL 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行生產(chǎn)后篩選。多種生產(chǎn)后篩
該公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP榮獲《今日電子》雜志的2008年度產(chǎn)品獎(jiǎng)。 《今日電子》的編輯根據(jù)設(shè)計(jì)的創(chuàng)新性、技術(shù)或應(yīng)用的顯著進(jìn)步,以及性價(jià)比顯著提高三個(gè)方面,從2008年發(fā)布的
日前,Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP,該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝,具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ(在
日前,Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP,該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝,具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ(在
Vishay Intertechnology, Inc.公司已增強(qiáng) VFCD1505 表面貼裝倒裝芯片分壓器的功能,器件具有小于 1 秒的幾乎瞬時(shí)熱穩(wěn)定時(shí)間。當(dāng)溫度范圍在 0°C 至 +60°C 和 55°C 至 +125°C(參考溫度為 +25°C)時(shí),該
日前,Vishay推出四款第五代高性能 45 V 和 100V 肖特基二極管 --- 6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 。Vishay此次推出的器件將 D-Pak 的電流能力擴(kuò)展至高達(dá) 20 A,從而確定了業(yè)界的新標(biāo)準(zhǔn)。這些器件采用次
該公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP榮獲《今日電子》雜志的2008年度產(chǎn)品獎(jiǎng)。 《今日電子》的編輯根據(jù)設(shè)計(jì)的創(chuàng)新性、技術(shù)或應(yīng)用的顯著進(jìn)步,以及性價(jià)比顯著提高三個(gè)方面,從2008年發(fā)布的
Vishay Intertechnology, Inc.目前推出采用 Bulk Metal® 箔技術(shù)制造的多款表面貼裝電阻,以實(shí)現(xiàn)最高端領(lǐng)域?qū)ζ骷呖煽啃院透叻€(wěn)定性的嚴(yán)苛要求。這次發(fā)布的器件中,包括新改進(jìn)的 VSMP(0805 至 2512)系列、及VC
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出高功率、高速 830 nm 表面貼裝 PLCC2 和 5 mm (T1¾) 的紅外發(fā)射器 --- VSMG2720和TSHG5510。該兩款器件具有高輻射強(qiáng)度和業(yè)界最低正向電壓,并進(jìn)一步拓寬了其光電產(chǎn)
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP,擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK® SO-8 封裝,在 20V 額定電壓時(shí)具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款新型超高精度Z箔分壓器電阻 --- 300144Z 和 300145Z。這些電阻在55°C~+125°C(參考值為 +25°C)范圍內(nèi)具有±0.2 ppm/°C的低典型 TCR,0.1ppm/°C 的 TCR 跟
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新系列螺釘安裝式高電壓圓盤電容器,這些器件為設(shè)計(jì)人員提供了多種直徑和電容值選擇,其額定電壓為 10kVDC~40kVDC。 憑借低交流與直流系數(shù),以及可忽略的壓電/電致伸縮效
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,該公司已增強(qiáng)了其 SMR1DZ 與 SMR3DZ 超高精度 Z 箔模塑表面貼裝電阻,它們具有不足1秒的幾乎瞬時(shí)的熱穩(wěn)定時(shí)間。這些器件在 0°C~+60°(參考值為 +25°C)范圍內(nèi)提供了±0