Vishay
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高性能 IHLP電感器(Vishay)
Vishay 宣布推出采用6767外殼尺寸、占位面積為17.15mm×17.15mm、厚度為7.0mm的新款I(lǐng)HLP薄厚度、高電流電感器 --- IHLP-6767GZ-11。該款電感器可提供高達(dá)75.5A的電流，0.33μH～100μH的標(biāo)準(zhǔn)感值是復(fù)合表面貼裝電感器
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超高精度氣密Bulk Metal®箔電阻VHP100 （Vishay）
超高精度氣密Bulk Metal®箔電阻VHP100 （Vishay）
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新型20V P溝道功率MOSFET （Vishay）
該器件在4.5V和2.5V電壓下的導(dǎo)通電阻降低了42%，在1.8V電壓下的導(dǎo)通電阻則降低了46%、TrenchFET® Gen III P溝道技術(shù)在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了十億個晶體管單元 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣
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高性能電流檢測電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的VCS1610高精度Bulk Metal®箔表面貼裝電流檢測片式電阻。新器件在-55℃～+125℃溫度范圍內(nèi)、+25℃參考溫度下具有±2.0ppm/℃的絕對TCR，容差為±0.5%。當(dāng)?shù)湫偷?/p>
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60V TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用雙面冷卻、導(dǎo)通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封裝，在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω，比市場上可供比較的最接近器件減
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DFN系列電阻網(wǎng)絡(luò)和分壓電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款精密薄膜表面貼裝電阻網(wǎng)絡(luò)和分壓電阻 --- DFN系列。器件采用引腳間距為0.65mm、厚度為1mm的4mm x 4mm雙平面無鉛封裝。與傳統(tǒng)的5mm x 6mm SOIC 8引線封裝相比，
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超高精度Bulk Metal®箔四電阻網(wǎng)絡(luò)（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有優(yōu)異的負(fù)載壽命、負(fù)載壽命比和貯存壽命穩(wěn)定性特性的超高精度Bulk Metal®箔四電阻網(wǎng)絡(luò) -- SMNH電阻網(wǎng)絡(luò)。新的氣密SMNH電阻網(wǎng)絡(luò)中每個電阻都在0.1W、+70℃下工作
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VISHAY新推128×32 LED圖形顯示屏
配備驅(qū)動電路和+5V HC CMOS電平視頻接口VISHAY（威世）分立半導(dǎo)體推出兩款帶有驅(qū)動電路和+5V HC CMOS電平視頻接口的新型128×32 LED圖形顯示屏——LEE-128G032B和LEE-128G032-1。新的LED顯示屏可替代
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N溝道功率MOSFET（Vishay Siliconix）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴(kuò)大了N溝道TrenchFET®家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件
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N溝道功率MOSFET（Vishay Siliconix）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴(kuò)大了N溝道TrenchFET®家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件
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新款PNM系列精密無磁薄膜電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款PNM系列精密無磁薄膜電阻。在-55℃～+125℃的寬溫范圍內(nèi)，這些器件具有低至±25ppm/℃的標(biāo)準(zhǔn)TCR，經(jīng)過激光微調(diào)后的容差只有±0.1%。今天發(fā)布的新電阻采用性能穩(wěn)定的
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單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未
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新型128x32 LED圖形顯示屏（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款帶有驅(qū)動電路和+5V HC CMOS電平視頻接口的新型128 x 32 LED圖形顯示屏 --- LEE-128G032B和LEE-128G032-1。新的LED顯示屏可替代廣泛使用的APD-128G032等離子顯示模塊
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單片MOSFET和肖特基SkyFET產(chǎn)品（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出使用該公司最新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未
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PLT系列TCR薄膜電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的PLT系列TCR薄膜電阻。在-55℃～+125℃的溫度范圍內(nèi)，新器件的標(biāo)準(zhǔn)TCR為±5ppm/℃，容差低至±0.02%。今天發(fā)布的新電阻采用性能穩(wěn)定的薄膜 --- 在+70℃下經(jīng)過1萬小時
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新型128x32 LED圖形顯示屏（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款帶有驅(qū)動電路和+5V HC CMOS電平視頻接口的新型128 x 32 LED圖形顯示屏 --- LEE-128G032B和LEE-128G032-1。新的LED顯示屏可替代廣泛使用的APD-128G032等離子顯示模塊
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表面貼裝透射式光電傳感器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過AEC-Q101認(rèn)證的TCPT1300X01和TCUT1300X01表面貼裝透射式(斷續(xù)式)光電傳感器，可用于汽車市場。今天推出的傳感器是業(yè)內(nèi)首款達(dá)到+145℃的結(jié)溫等級、-40℃～+125℃的工
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小尺寸、表面貼裝1A整流器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列小尺寸、表面貼裝的1A整流器 --- MUH1Px。整流器的電壓范圍為100V～200V，25ns的超快反向恢復(fù)時間可滿足高頻應(yīng)用的要求。設(shè)計者可根據(jù)所需，從100V(MUH1PB)、150
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小尺寸、表面貼裝1A整流器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列小尺寸、表面貼裝的1A整流器 --- MUH1Px。整流器的電壓范圍為100V～200V，25ns的超快反向恢復(fù)時間可滿足高頻應(yīng)用的要求。設(shè)計者可根據(jù)所需，從100V(MUH1PB)、150
