為增進(jìn)大家對(duì)示波器的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)示波器的主要功能和作用以及示波器的高級(jí)功能予以介紹。
集成電路系統(tǒng)通常由多個(gè)功能模塊組成,包括邏輯門(mén)、觸發(fā)器、譯碼器、存儲(chǔ)器等。這些模塊通過(guò)精細(xì)的布線相互連接,形成一個(gè)完整的電路系統(tǒng)。每個(gè)模塊都承擔(dān)著特定的功能,共同協(xié)作以實(shí)現(xiàn)整體的電路功能。此外,集成電路系統(tǒng)還包含電源管理、信號(hào)傳輸和接口電路等輔助部分,確保系統(tǒng)能夠穩(wěn)定高效地運(yùn)行。
根據(jù)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的控制程序,執(zhí)行部分或全部數(shù)值控制功能,并配有接口電路和伺服驅(qū)動(dòng)裝置的專用計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
Nordic nRF54H20 和 nPM1300 被評(píng)為各自類(lèi)別中最先進(jìn)的低功耗物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,其 nRF Cloud 被評(píng)為最佳云服務(wù)平臺(tái)之一
全新SiWx917Y模塊憑借全球射頻認(rèn)證提供即插即用的簡(jiǎn)便性
【2024年11月27日, 德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出業(yè)界首款用于太空和極端環(huán)境應(yīng)用的512 Mbit抗輻射加固設(shè)計(jì)QSPI NOR閃存 。這款半導(dǎo)體器件采用快速四串行外設(shè)接口(133 MHz),具有極高的密度、輻射和單次事件效應(yīng)(SEE)性能,是一款完全通過(guò)QML認(rèn)證的非易失性存儲(chǔ)器,可與太空級(jí)FPGA和微處理器配合使用。
荷蘭菲爾德霍芬,2024年11月14日——在今日舉辦的2024 年投資者日會(huì)議上,ASML將更新其長(zhǎng)期戰(zhàn)略以及全球市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)分析,確認(rèn)其到2030年的年收入將達(dá)到約440 億至 600 億歐元,毛利率約為56%至 60%。
— 以業(yè)界首款采用 CXL 3.1 及 PCIe Gen6 并支持 LPDDR5 的 FPGA 器件擴(kuò)展第二代 Versal 產(chǎn)品組合,助力快速連接、更高效數(shù)據(jù)遷移并釋放更多內(nèi)存—
在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動(dòng)下,市場(chǎng)對(duì)于高性能存儲(chǔ)解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預(yù)測(cè),2024年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的銷(xiāo)售額有望增長(zhǎng)61.3%,達(dá)到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗,兼具高性能和非易失性的新型存儲(chǔ)器正迎來(lái)市場(chǎng)快速增長(zhǎng)的發(fā)展大時(shí)代,如鐵電存儲(chǔ)器FeRAM和ReRAM,以及磁性存儲(chǔ)器MRAM、阻變式存儲(chǔ)器ReRAM等。
新存儲(chǔ)器兼?zhèn)浯虚W存的讀取速度與EEPROM的字節(jié)級(jí)寫(xiě)操作靈活性,實(shí)現(xiàn)真正的兩全其美
Oct. 9, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,2024年第三季之前,消費(fèi)型產(chǎn)品終端需求依然疲軟,由AI 服務(wù)器支撐起存儲(chǔ)器主要需求,加上HBM排擠現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品產(chǎn)能,供應(yīng)商對(duì)合約價(jià)格漲幅保持一定的堅(jiān)持。然而,近期雖有服務(wù)器OEM維持拉貨動(dòng)能,但智能手機(jī)品牌仍在觀望,TrendForce集邦咨詢預(yù)估第四季存儲(chǔ)器均價(jià)漲幅將大幅縮減,其中,一般型DRAM (Conventional DRAM)漲幅為0%至5%之間,但由于HBM比重逐漸提高,DRAM整體平均價(jià)格估計(jì)上漲8%至13%,較前一季漲幅明顯收斂。
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器無(wú)疑扮演著至關(guān)重要的角色。無(wú)論是智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦,還是大型服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心,存儲(chǔ)器都是這些設(shè)備能夠高效、準(zhǔn)確地執(zhí)行各種任務(wù)的核心組件之一。本文將深入探討存儲(chǔ)器在現(xiàn)代電子設(shè)備中的功能和作用,以及其在技術(shù)進(jìn)步中的演變和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
軟件定義汽車(chē)的設(shè)計(jì)初衷是在汽車(chē)整個(gè)生命周期內(nèi)通過(guò)無(wú)線更新不斷增強(qiáng)?;谠频奶摂M化新技術(shù)允許開(kāi)發(fā)始于芯片量產(chǎn)之前,并延續(xù)到汽車(chē)上路之后。
在快速發(fā)展的電子行業(yè)中,存儲(chǔ)器技術(shù)作為支撐各類(lèi)電子設(shè)備運(yùn)行的核心組件,其性能與可靠性直接關(guān)系到產(chǎn)品的整體表現(xiàn)。在眾多非易失性存儲(chǔ)器中,鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),特別是在代碼存儲(chǔ)器應(yīng)用中的單芯片解決方案,正逐漸成為市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將從FRAM的技術(shù)特點(diǎn)、作為代碼存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)、單芯片解決方案的應(yīng)用實(shí)例以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)等方面進(jìn)行深入探討。
Aug. 29 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,存儲(chǔ)器模組廠從2023年第三季后開(kāi)始積極增加DRAM(內(nèi)存)庫(kù)存,到2024年第二季庫(kù)存水位已上升至11-17周。然而,消費(fèi)電子需求未如預(yù)期回溫,如智能手機(jī)領(lǐng)域已出現(xiàn)整機(jī)庫(kù)存過(guò)高的情況,筆電市場(chǎng)也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購(gòu)買(mǎi),市場(chǎng)繼續(xù)萎縮。這種情況下,以消費(fèi)產(chǎn)品為主的存儲(chǔ)器現(xiàn)貨價(jià)格開(kāi)始走弱,第二季價(jià)格較第一季下跌超過(guò)30%。盡管現(xiàn)貨價(jià)至八月份仍與合約價(jià)脫鉤,但也暗示合約價(jià)的潛在趨勢(shì)。
本屆峰會(huì)以“AI驅(qū)動(dòng),存儲(chǔ)復(fù)蘇”為主題,將匯聚存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈的終端廠商、原廠、平臺(tái)廠商、主控廠商、模組廠商、封測(cè)廠商、設(shè)備廠商、材料廠商等頭部企業(yè)、上市公司以及本土代表性企業(yè),通過(guò)主題演講、資本市場(chǎng)對(duì)接與策略分享、存儲(chǔ)器品牌全球直播、展覽等多種形式,圍繞存儲(chǔ)器市場(chǎng)復(fù)蘇與AI新興應(yīng)用市場(chǎng)帶動(dòng)下的產(chǎn)業(yè)格局與趨勢(shì),分享前沿技術(shù)與最新產(chǎn)品,探討產(chǎn)業(yè)鏈上下游如何協(xié)同創(chuàng)新,構(gòu)建合作共贏的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
Jul. 22, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告,受惠于位元需求成長(zhǎng)、供需結(jié)構(gòu)改善拉升價(jià)格,加上HBM(高帶寬內(nèi)存)等高附加價(jià)值產(chǎn)品崛起,預(yù)估DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash(閃存)產(chǎn)業(yè)2024年?duì)I收年增幅度將分別增加75%和77%。而2025年產(chǎn)業(yè)營(yíng)收將持續(xù)維持成長(zhǎng),DRAM年增約51%、NAND Flash年增長(zhǎng)則來(lái)到29%,營(yíng)收將創(chuàng)歷史新高,并且推動(dòng)資本支出回溫、帶動(dòng)上游原料需求,只是存儲(chǔ)器買(mǎi)方成本壓力將隨之上升。
【2024年7月15日,德國(guó)慕尼黑訊】太空應(yīng)用是英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的一個(gè)重要領(lǐng)域。英飛凌的產(chǎn)品被用于衛(wèi)星、火星探測(cè)器儀器、太空望遠(yuǎn)鏡等,即便在極端惡劣的條件下,這些應(yīng)用也必須具備出色的可靠性。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌近日推出業(yè)界首款抗輻射(rad hard)1 Mb和2 Mb并行接口鐵電RAM(F-RAM)非易失性存儲(chǔ)器。這款存儲(chǔ)器是英飛凌豐富存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合中的新成員,其特點(diǎn)是具有出色的可靠性和耐用性,在85攝氏度條件下的數(shù)據(jù)保存期長(zhǎng)達(dá) 120 年,并且能以總線速度進(jìn)行隨機(jī)存取和全存儲(chǔ)器寫(xiě)入。
DDR3,全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM,即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR3的設(shè)計(jì)特點(diǎn)包括:
隨著嵌入式系統(tǒng)技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)存儲(chǔ)器性能的要求也日益提高。i.MX RT 1024作為一款高性能的嵌入式微控制器,其內(nèi)部集成的閃存(Flash Memory)為開(kāi)發(fā)者提供了便捷且高效的存儲(chǔ)解決方案。然而,在某些應(yīng)用場(chǎng)景中,我們不僅需要從閃存中讀取數(shù)據(jù)以運(yùn)行程序,還需要在程序運(yùn)行時(shí)對(duì)閃存進(jìn)行寫(xiě)操作,即實(shí)現(xiàn)邊讀邊寫(xiě)(Read-While-Write, RWW)的功能。本文將詳細(xì)介紹如何在i.MX RT 1024上配置內(nèi)部閃存以實(shí)現(xiàn)RWW功能。