縱觀此次混合介質(zhì)多層板制造等離子體處理技術(shù)運用,究其類別主要有以下三種:(1)聚四氟乙烯介質(zhì)板和混合介質(zhì)多層抄板的孔金屬化制作前孔壁活化處理;(2)聚四氟乙烯多層板層壓前的內(nèi)層介質(zhì)表面微蝕處理;(3)聚四氟
摘 要: 通過硅通孔技術(shù)實現(xiàn)紅外焦平面電極垂直互連,提高像元占空比,縮短了互連引線長度,降低了信號延遲。用單晶硅濕法刻蝕方法形成通孔,利用直寫技術(shù)將耐高溫Ag-Pd導(dǎo)體漿料填充通孔,實現(xiàn)紅外焦平面陣列底電極與
石明達(dá) 吳曉純(南通富士通微電子股份有限公司江蘇南通市)摘要:本文介紹了多芯片模塊的相關(guān)技術(shù)。消費類電子產(chǎn)品低成本的要求推動了MCM技術(shù)的應(yīng)用。對于必須高密度集成以滿足高性能、小型化且低成本的要求的產(chǎn)品,MCM
Protel技術(shù)大全1.原理圖常見錯誤:(1)ERC報告管腳沒有接入信號:a. 創(chuàng)建封裝時給管腳定義了I/O屬性;b.創(chuàng)建元件或放置元件時修改了不一致的grid屬性,管腳與線沒有連上;c. 創(chuàng)建元件時pin方向反向,必須非pin name
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料,與Si相比,它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙,SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃,而Si器件的最高工作溫度局限在1
日前,在2004年瑞薩科技解決方案研討會中,ITDM(Integrated Technology& Device Manufacturer,半導(dǎo)體專業(yè)生產(chǎn)商)瑞薩發(fā)布了專門為中國半導(dǎo)體用戶提供的系統(tǒng)封裝芯片模組SiP升級版——SIP(Solution Integrated Produ
11 BGA封裝激光重熔釬料凸點制作技術(shù) 11.1 激光重熔釬料合金凸點的特點 BGA/CSP封裝,F(xiàn)lip chip封裝時需要在基板或者芯片上制作釬料合金凸點,釬料合金凸點的制作方法有:釬料濺射/蒸鍍-重熔方法、放置釬料球-重熔方
PCB設(shè)計技術(shù)會對下面三種效應(yīng)都產(chǎn)生影響: 1.靜電放電之前靜電場的效應(yīng)2.放電產(chǎn)生的電荷注入效應(yīng)3.靜電放電電流產(chǎn)生的場效應(yīng)但是,主要是對第三種效應(yīng)產(chǎn)生影響。下面的討論將針對第三條所述的問題給出設(shè)計指南。通常
所謂“CPU封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例,我們實際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌,而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過封裝后的產(chǎn)品。 CPU封裝對于芯片來說是必須的
將物品或機器零部件快速、準(zhǔn)確地放置到規(guī)定位置,是工業(yè)系統(tǒng)中各種制造和裝配常見的一個工序或運行流程。例如,在半導(dǎo)體集成電路封裝中,在半導(dǎo)體封裝技術(shù)中將己經(jīng)制造完成的芯片從劃片薄膜上取下,放置到引線框架或