硅

半導(dǎo)體材料變遷：從鍺到硅奠定當(dāng)代集成電路基礎(chǔ)，后硅時(shí)代Si+新材料蓄勢(shì)待發(fā)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的核心材料變遷，是科技史上一個(gè)很有趣的演化過(guò)程。被稱為半導(dǎo)體教父的張忠謀博士，最先加入TI，從事的便是數(shù)年間的鍺材料的晶體管研發(fā)工作。后來(lái)才升任為硅片部的總經(jīng)理，而后升任職于集成電路部門的掌門人。

ICCAD2024新趨勢(shì)：IP企業(yè)攜手為汽車和桌面等熱點(diǎn)應(yīng)用打造聯(lián)合IP解決方案

2024年12月11日-12日，“上海集成電路2024年度產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇暨中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)（ICCAD 2024）”在上海圓滿落幕，本屆大會(huì)參與人數(shù)超過(guò)了7000人，為歷屆ICCAD大會(huì)之最，再次彰顯了我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展態(tài)勢(shì)和長(zhǎng)三角地區(qū)的產(chǎn)業(yè)高度聚集。在本屆大會(huì)上，國(guó)內(nèi)外硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）提供商十分活躍，與IP直接相關(guān)的分論壇就有三個(gè)全天會(huì)場(chǎng)，并吸引了大量的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)代表和投資人參會(huì)，IP企業(yè)之間越來(lái)越多的合作更是令人關(guān)注。

常用可控硅、雙向可控硅電路設(shè)計(jì)

電力電子系統(tǒng)必須以極高的能效作為其首要要求。換句話說(shuō)，電源電路必須有效，并且它產(chǎn)生的熱量必須由卓越的冷卻系統(tǒng)帶走。

Microchip推出壓接式端子電源模塊SP1F和SP3F 實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化安裝過(guò)程，為大批量生產(chǎn)提供免焊接解決方案

SP1F和SP3F電源模塊采用碳化硅(SiC)或硅 (Si)技術(shù)，可配置性高并適配壓接式端子

華為、哈工大聯(lián)手：基于硅和金剛石的三維集成芯片專利公布

11月21日消息，據(jù)企查查顯示，近日，華為技術(shù)有限公司、哈爾濱工業(yè)大學(xué)申請(qǐng)的“一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法”專利公布。

雙向可控硅型號(hào)及其命名介紹

雙向可控硅是一種重要的半導(dǎo)體器件，可以在交流電路上控制雙向?qū)ê完P(guān)斷。是一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱可控硅T。又由于可控硅最初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。

TrendForce集邦咨詢：光伏上游材料價(jià)格3月進(jìn)入反轉(zhuǎn)態(tài)勢(shì)，下游模塊廠對(duì)后市樂(lè)觀看待

Mar. 8, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，為抑制2022年12月以來(lái)硅料價(jià)格斷崖式的下跌，領(lǐng)頭的一線廠開(kāi)始節(jié)制硅料市場(chǎng)供給量，使硅料價(jià)格在春節(jié)前已開(kāi)始止跌反彈，急速回升至目前每公斤220~240人民幣。但與此同時(shí)，硅料企業(yè)并未明顯下調(diào)開(kāi)工率，已開(kāi)始出現(xiàn)庫(kù)存堆積，價(jià)格也出現(xiàn)停漲，3月起將轉(zhuǎn)跌，月跌幅約3.2%。

從概念到現(xiàn)狀，一文讀懂FD-SOI

全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）是一種平面工藝技術(shù)，依賴于兩項(xiàng)主要技術(shù)創(chuàng)新。首先，在襯底上面制作一個(gè)超薄的絕緣層，又稱埋氧層。

2022年第三季度，全球硅晶圓出貨量創(chuàng)下3741百萬(wàn)平方英寸 (MSI) 的新紀(jì)錄

國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI今天(7日)在其半導(dǎo)體行業(yè)年度硅出貨量預(yù)測(cè)報(bào)告中指出，今年全球硅晶圓出貨量將同比增長(zhǎng)4.8%，達(dá)到近14700百萬(wàn)平方英寸的歷史新高。

硅芯片的巨大突破，格羅方德90nm硅光子工藝

據(jù)業(yè)內(nèi)信息，今年Q1季度的時(shí)候，格羅方德發(fā)布了FotonixTM新平臺(tái)用300mm芯片生產(chǎn)的規(guī)模效率控制工藝，芯片集成了高性能射頻、數(shù)字CMOS以及硅光子(SiPH)電路，而硅光子是硅芯片的巨大突破。

硅晶圓出貨近147億平方英寸，半導(dǎo)體產(chǎn)品創(chuàng)新高

據(jù)業(yè)內(nèi)信息，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)計(jì)今年的硅晶圓出貨量會(huì)達(dá)到146.94億平方英寸，相比于2021年140.17億平方英寸增長(zhǎng)4.8%。

寬帶隙半導(dǎo)體

室溫下，Si的帶隙為1.1eV，GaAs的帶隙為1.43eV，一般把室溫下帶隙大于2.0eV的半導(dǎo)體材料歸類于寬帶隙半導(dǎo)體，寬帶隙半導(dǎo)體在藍(lán)、紫光和紫外光電子器件，高頻、高溫、高功率電子器件及場(chǎng)發(fā)射器件方面應(yīng)用廣泛。

多晶硅及其生產(chǎn)方法

多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。

硅的應(yīng)用領(lǐng)域

高純的單晶硅是重要的半導(dǎo)體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導(dǎo)體

泛林硅部件推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展

通過(guò)推動(dòng)相關(guān)材料的創(chuàng)新，泛林能夠提供更優(yōu)秀的刻蝕設(shè)備，在滿足高深寬比相關(guān)苛刻要求的同時(shí)，保障卓越性能和成本效益。

贏創(chuàng)加入歐盟ReProSolar研究項(xiàng)目，參與光伏組件回收工藝開(kāi)發(fā)

贏創(chuàng)近日宣布加入歐盟ReProSolar研究項(xiàng)目，該項(xiàng)目旨在開(kāi)發(fā)一種高效、特殊的工藝來(lái)回收?qǐng)?bào)廢的光伏組件。

當(dāng)碳化硅變成地?cái)傌?/a>

硅3D集成技術(shù)的新挑戰(zhàn)與新機(jī)遇

從低密度的后通孔TSV硅3D集成技術(shù)，到高密度的引線混合鍵合或3D VSLI CoolCubeTM解決方案，研究人員發(fā)現(xiàn)許多開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品的機(jī)會(huì)。

半導(dǎo)體中的silicon為何翻譯成硅而非矽？這還得從民國(guó)說(shuō)起

提到半導(dǎo)體，大家都知道各種處理器、閃存、內(nèi)存等芯片都是基于半導(dǎo)體技術(shù)的，而我們現(xiàn)在常用的半導(dǎo)體實(shí)質(zhì)上是硅基半導(dǎo)體，硅是這個(gè)行業(yè)最重要的材料。說(shuō)到硅，很多人也見(jiàn)過(guò)另一個(gè)詞矽，為什么國(guó)內(nèi)現(xiàn)在翻譯成硅而不是

中國(guó)研制出垂直結(jié)構(gòu)“硅-石墨烯-鍺晶體管”，超高速晶體管再獲突破

11月10日，記者今天從中國(guó)科學(xué)院金屬研究所獲悉，該所沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家研究中心先進(jìn)炭材料研究部科研人員首次制備出以肖特基結(jié)作為發(fā)射結(jié)的垂直結(jié)構(gòu)晶體管“硅-石墨烯-鍺晶體管”，成功將石墨烯基區(qū)晶體管