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野村：缺成長動(dòng)能，聯(lián)電Q3營收估季增僅0-5%

聯(lián)電 (2303)于9日公布6月營收，微幅月增0.9%來到92.89億元、年增1.13%，為去年5月以來新高，而總計(jì)聯(lián)電第2季營收則是季增16.22 %為276.2億元，亦略優(yōu)于法人先前預(yù)期的15%，表現(xiàn)亮眼。惟關(guān)于聯(lián)電后續(xù)表現(xiàn)，野村證券 (

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2012-07-10

聯(lián)電 FINFET 晶圓廠
聯(lián)電與Lattice策略合作，陸續(xù)推40/28 nm產(chǎn)品

聯(lián)電 (2330)今(10日)宣布與美商萊迪思半導(dǎo)體 ( Lattice Semiconductor Corporation )建立長期技術(shù)伙伴關(guān)系。雙方將在聯(lián)電先進(jìn)制程平臺(tái)上，持續(xù)現(xiàn)有的努力，攜手制造萊迪斯的非揮發(fā)性產(chǎn)品，并進(jìn)而將此合作關(guān)系迅速拓展

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2012-07-10

半導(dǎo)體萊迪思 LATTICE 聯(lián)電
聯(lián)電、萊迪思結(jié)盟長期技術(shù)伙伴

聯(lián)電(2303)今日宣布與美商萊迪思半導(dǎo)體(Lattice)建立長期技術(shù)伙伴關(guān)系。雙方將在聯(lián)華電子先進(jìn)制程平臺(tái)上，持續(xù)現(xiàn)有的努力，攜手制造萊迪斯的非揮發(fā)性產(chǎn)品，并且進(jìn)而將此合作關(guān)系迅速拓展到萊迪思其它的產(chǎn)品線上。萊迪

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2012-07-10

半導(dǎo)體 40納米萊迪思聯(lián)電
聯(lián)電6月營收連3月站上90億元近13個(gè)月高點(diǎn)

聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(9)日公告6月營收凈額為92.89億元，較上月92.06億元小幅增加，連3月站上90億元，來到近13個(gè)月高點(diǎn)，并較去年同期91.85億元增加1.13%，大致符合市場預(yù)期。聯(lián)電4-6月累計(jì)營收凈額來到約276.19億

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2012-07-10

聯(lián)電
聯(lián)電6月營收連3月站上90億元近13個(gè)月高點(diǎn)

聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(9)日公告6月營收凈額為92.89億元，較上月92.06億元小幅增加，連3月站上90億元，來到近13個(gè)月高點(diǎn)，并較去年同期91.85億元增加1.13%，大致符合市場預(yù)期。聯(lián)電4-6月累計(jì)營收凈額來到約276

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2012-07-10

聯(lián)電
三星搶高通28奈米訂單巴克萊陸行之：對(duì)臺(tái)積電沖擊較小

據(jù)《工商時(shí)報(bào)》報(bào)導(dǎo)，三星搶下高通28 奈米Snapdragon S4 晶片組代工訂單，巴克萊陸行之認(rèn)為，高通分散晶圓代工來源是既定政策，過去高通28奈米生意由臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US) 獨(dú)拿的情形，下半年恐將改變，但最終還得

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2012-07-09

三星臺(tái)積電聯(lián)電
聯(lián)電Q2營收季增16%，略優(yōu)于預(yù)期

聯(lián)電 (2303)今(9日)公布6月營收，微幅月增0.9%來到92.89億元、年增1.13%，為去年5月以來新高，累計(jì)聯(lián)電第2季營收則是季增16.22%為276.2億元，略優(yōu)于法人先前預(yù)期的15%。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉先前于法說會(huì)上預(yù)期，受益于

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2012-07-09

臺(tái)積電 RANGE 聯(lián)電
聯(lián)電Q2業(yè)績季增16.2%

(記者張建中新竹9日電)晶圓代工廠聯(lián)電第2季營收達(dá)新臺(tái)幣276.2億元，季增16.2%，表現(xiàn)優(yōu)于原預(yù)期的季增15%目標(biāo)。聯(lián)電原本預(yù)期，第2季在通訊及消費(fèi)性電子市場需求強(qiáng)勁帶動(dòng)下，晶圓出貨量可望季增15%，產(chǎn)品平均售價(jià)將持平

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2012-07-09

通訊晶圓代工電子市場聯(lián)電
Snapdragon S4芯片供不應(yīng)求高通求助于三星和聯(lián)電

7月6日高通的Snapdragon S4芯片憑借其相當(dāng)出色的性能，一經(jīng)推出就獲得了非常不錯(cuò)的市場反響，同時(shí)需求也在日益增加。最近高通為了解決產(chǎn)能不足的問題，將在原來由臺(tái)積電（TSMC）主要完成代工的基礎(chǔ)上，新增三星、聯(lián)電

消費(fèi)電子
2012-07-09

三星芯片聯(lián)電
傳高通與聯(lián)電、三星簽代工合約，28納米短缺明年紓解

因臺(tái)積電(2330)28納米制程供不應(yīng)求，傳高通(Qualcomm)也與聯(lián)電、韓國三星等晶圓代工廠相繼簽定代工合約，預(yù)計(jì)將于今年第四季、明年上半年開始出貨。28納米目前產(chǎn)能吃緊的狀況預(yù)計(jì)明年初將可紓解。據(jù)韓國時(shí)報(bào)(Korea

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2012-07-07

三星臺(tái)積電聯(lián)電
三星、聯(lián)電將為高通制造 Snapdragon S4 芯片

高通的 Snapdragon S4 芯片憑借其出色的性能在推出后獲得了非常好的反響，其市場需求也日益增加。為解決產(chǎn)能不足的問題高通日前做出決定，將在原來由臺(tái)積電（TSMC）主要完成代工的基礎(chǔ)上，新增三星、聯(lián)電（UMC）兩家

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2012-07-06

三星芯片聯(lián)電
臺(tái)聯(lián)電購IBM 3D晶體管技術(shù) 代工前景依然樂觀

近日，臺(tái)灣芯片代工企業(yè)臺(tái)聯(lián)電宣布，其已經(jīng)獲得IBM 20nm COMS處理器的專利授權(quán)，另外還包括FinFET 3D晶體管技術(shù)專利，得以進(jìn)行20nm以及3D芯片的開發(fā)研制。在3D晶體管這一CPU新興熱點(diǎn)上，臺(tái)聯(lián)電獲邁出了重要的一步，這

消費(fèi)電子
2012-07-05

晶體管 IBM 芯片代工聯(lián)電
驍龍S4缺貨有望解決：傳高通與聯(lián)電三星簽訂代工協(xié)議

正如此前高通CEO所預(yù)告的一樣，該公司驍龍Snapdragon S4系列處理器的供應(yīng)短缺狀況將通過更多的代工廠商來解決。今日業(yè)界資訊網(wǎng)站 EETimes援引臺(tái)灣中經(jīng)社旗下《經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)新聞》的報(bào)道稱，高通已經(jīng)和三星以及聯(lián)電（UMC）

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2012-07-05

三星驍龍聯(lián)電
IBM授權(quán)聯(lián)電業(yè)界第二家使用3D晶體管工藝

據(jù)國外媒體報(bào)道，臺(tái)灣芯片代工大廠聯(lián)電（UMC）上周末與IBM簽署了一項(xiàng)協(xié)議，前者將在后者幫助下研發(fā)并推出20nm CMOS制程工藝，并引入FinFET即3D晶體管技術(shù)。聯(lián)電官方表態(tài)稱，IBM將其20nm制程工藝整套設(shè)計(jì)和FinFET

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2012-07-04

晶體管 IBM 聯(lián)電 FINFET
攜手IBM 聯(lián)電可望在晶圓代工扳回一城

聯(lián)電 ( UMC )稍早前宣布，與IBM達(dá)成協(xié)議，將加快其20nm制程及FinFET 3D 電晶體的發(fā)展，而此舉也很可能讓聯(lián)電成為唯一一家在20nm節(jié)點(diǎn)提供FinFET元件的純 ??晶圓代工廠。聯(lián)電正在努力扭轉(zhuǎn)局面。近年來，聯(lián)電和主要競爭

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2012-07-03

IBM 晶圓代工聯(lián)電 FINFET
聯(lián)電Q2財(cái)測(cè)可望樂觀達(dá)陣股價(jià)大漲逾半根停板

市傳臺(tái)積電(2330-TW)(UMC-US)客戶猛追單，訂單外溢讓聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)受惠。法人預(yù)估聯(lián)電第二季業(yè)績目標(biāo)應(yīng)可樂觀達(dá)陣。聯(lián)電ADR罕見隨費(fèi)半強(qiáng)漲后，聯(lián)電今(2)日股價(jià)也隨大盤攻上季線同步挑戰(zhàn)季線反壓，帶量跳空漲

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2012-07-02

通訊晶圓臺(tái)積電聯(lián)電
聯(lián)電攻20奈米杠臺(tái)積獲IBM技術(shù)授權(quán) 加速CMOS制程開發(fā)

晶圓雙雄爭搶20奈米地盤鳴槍起跑! 晶圓代工「二哥」聯(lián)電（2303）攻進(jìn)20奈米，昨（29）日宣布已取得IBM技術(shù)授權(quán)，將以FinFET 3D電晶體，促進(jìn)次世代先進(jìn)20奈米CMOS制程開發(fā)，與最快年底試產(chǎn)的臺(tái)積互別苗頭。聯(lián)電昨

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2012-07-01

IBM CMOS 聯(lián)電 FINFET
訂單外溢？張忠謀：臺(tái)積電仍與高通保持緊密友善合作關(guān)系

市傳臺(tái)積電28奈米制程產(chǎn)能供不應(yīng)求，如高通(QCOM-US)訂單的外溢，轉(zhuǎn)使聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)受惠。對(duì)于高通「變心」傳言，臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)張忠謀表示，與高通保持緊密友善的合作關(guān)系。張忠謀是在中華民國

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2012-07-01

臺(tái)積電 COM 聯(lián)電
高通自蓋晶圓廠張忠謀：我懷疑

臺(tái)積電28奈米制程產(chǎn)能供不應(yīng)求，傳出手機(jī)晶片大廠高通（Qualcomm）下單聯(lián)電，以解決產(chǎn)能短缺問題，甚至揚(yáng)言自己蓋晶圓廠；臺(tái)積電董事長張忠謀昨日表示，「我很懷疑它（高通）會(huì)自己蓋晶圓廠?！怪劣趽?dān)不擔(dān)心聯(lián)電搶單

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2012-07-01

臺(tái)積電聯(lián)電晶圓廠
聯(lián)電、IBM 合攻20納米市場

晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨（29）日宣布與IBM簽訂技術(shù)授權(quán)合約，將以3D架構(gòu)的鰭式場效晶體管（FinFET），促進(jìn)次世代尖端20納米CMOS制程的開發(fā)，以加速聯(lián)電次世代尖端技術(shù)的研發(fā)時(shí)程。根據(jù)聯(lián)電及IBM的協(xié)議，IBM將

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2012-06-30

晶體管 IBM 聯(lián)電 FINFET

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聯(lián)電

野村：缺成長動(dòng)能，聯(lián)電Q3營收估季增僅0-5%

聯(lián)電與Lattice策略合作，陸續(xù)推40/28 nm產(chǎn)品

聯(lián)電、萊迪思結(jié)盟長期技術(shù)伙伴

聯(lián)電6月營收連3月站上90億元近13個(gè)月高點(diǎn)

聯(lián)電6月營收連3月站上90億元近13個(gè)月高點(diǎn)

三星搶高通28奈米訂單巴克萊陸行之：對(duì)臺(tái)積電沖擊較小

聯(lián)電Q2營收季增16%，略優(yōu)于預(yù)期

聯(lián)電Q2業(yè)績季增16.2%

Snapdragon S4芯片供不應(yīng)求高通求助于三星和聯(lián)電

傳高通與聯(lián)電、三星簽代工合約，28納米短缺明年紓解

三星、聯(lián)電將為高通制造 Snapdragon S4 芯片

臺(tái)聯(lián)電購IBM 3D晶體管技術(shù) 代工前景依然樂觀

驍龍S4缺貨有望解決：傳高通與聯(lián)電三星簽訂代工協(xié)議

IBM授權(quán)聯(lián)電業(yè)界第二家使用3D晶體管工藝

攜手IBM 聯(lián)電可望在晶圓代工扳回一城

聯(lián)電Q2財(cái)測(cè)可望樂觀達(dá)陣股價(jià)大漲逾半根停板

聯(lián)電攻20奈米杠臺(tái)積獲IBM技術(shù)授權(quán) 加速CMOS制程開發(fā)

訂單外溢？張忠謀：臺(tái)積電仍與高通保持緊密友善合作關(guān)系

高通自蓋晶圓廠張忠謀：我懷疑

聯(lián)電、IBM 合攻20納米市場

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