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2018年全球十大國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有哪些發(fā)展亮點(diǎn)？本文帶您來(lái)一探究竟
2018年全球十大國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有哪些發(fā)展亮點(diǎn)?它們的核心競(jìng)爭(zhēng)力是什么?本文帶您來(lái)一探究竟。
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FD-SOI：芯片制造工藝向10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展的最佳選擇
按照摩爾定律，芯片可容納的晶體管數(shù)量每?jī)赡晏岣咭槐?。然而，摩爾定律不只是在同一顆芯片上將晶體管數(shù)量增加一倍的技術(shù)問題。摩爾定律暗示，隨著芯片集成密度翻倍，功耗和性能都將會(huì)實(shí)現(xiàn)大幅度改進(jìn)。在過(guò)去50年里，
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FD-SOI：芯片制造工藝向10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展的最佳選擇
按照摩爾定律，芯片可容納的晶體管數(shù)量每?jī)赡晏岣咭槐?。然而，摩爾定律不只是在同一顆芯片上將晶體管數(shù)量增加一倍的技術(shù)問題。摩爾定律暗示，隨著芯片集成密度翻倍，功耗和性能都將會(huì)實(shí)現(xiàn)大幅度改進(jìn)。在過(guò)去50年里，
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FD-SOI：芯片制造工藝向10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展的最佳選擇
按照摩爾定律，芯片可容納的晶體管數(shù)量每?jī)赡晏岣咭槐丁Ｈ欢?，摩爾定律不只是在同一顆芯片上將晶體管數(shù)量增加一倍的技術(shù)問題。摩爾定律暗示，隨著芯片集成密度翻倍，功耗和性能都將會(huì)實(shí)現(xiàn)大幅度改進(jìn)。在過(guò)去50年里，
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硅襯底LED芯片制造工藝分析
目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國(guó)CREE公司壟斷了SiC襯底上 GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國(guó)際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)了國(guó)
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探究下一代半導(dǎo)體芯片制造工藝之間的博弈
根據(jù)最新消息，ARM與臺(tái)積電宣布簽署一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議，兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對(duì)象，探索用FinFET工藝制程技術(shù)來(lái)研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工藝實(shí)現(xiàn)方法。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司合作的技術(shù)領(lǐng)域?qū)⒑w20nm以下工藝技術(shù)節(jié)
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探究下一代半導(dǎo)體芯片制造工藝之間的博弈
根據(jù)最新消息，ARM與臺(tái)積電宣布簽署一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議，兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對(duì)象，探索用FinFET工藝制程技術(shù)來(lái)研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工藝實(shí)現(xiàn)方法。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司合作的技術(shù)領(lǐng)域?qū)⒑w20nm以下工藝技術(shù)節(jié)
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2013年AMD或?qū)⒂?8nm CMOS芯片制造工藝
6月19日消息，據(jù)媒體報(bào)道，AMD公司高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官M(fèi)ark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變
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AMD副總裁：芯片制造工藝2013年將有重大變化
來(lái)自國(guó)外媒體的報(bào)道，AMD高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官馬克佩特馬斯特（MarkPapermaster）日前透露，AMD芯片制造工藝在2013年將迎來(lái)重大變化，或?qū)默F(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nmBulkCMOS工藝。在GPU生產(chǎn)方面，AMD并沒有打
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2013年AMD或?qū)⒂?8nm CMOS芯片制造工藝
6月19日消息，據(jù)媒體報(bào)道，AMD公司高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官M(fèi)ark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產(chǎn)工藝將有重大變化，將完全從現(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變
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AMD副總裁：芯片制造工藝2013年將有重大變化
來(lái)自國(guó)外媒體的報(bào)道，AMD高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官馬克佩特馬斯特（MarkPapermaster）日前透露，AMD芯片制造工藝在2013年將迎來(lái)重大變化，或?qū)默F(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nmBulkCMOS工藝。在GPU生產(chǎn)方面，AMD并沒有打
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AMD副總裁：芯片制造工藝2013年將有重大變化
來(lái)自國(guó)外媒體的報(bào)道，AMD高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官馬克佩特馬斯特（MarkPapermaster）日前透露，AMD芯片制造工藝在2013年將迎來(lái)重大變化，或?qū)默F(xiàn)有的SOI制造工藝切換到28nmBulkCMOS工藝。在GPU生產(chǎn)方面，AMD并沒有打
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AMD副總裁：芯片制造工藝2013年將有重大變化
AMD副總裁：芯片制造工藝2013年將有重大變化
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英特爾計(jì)劃斥資48億美元升級(jí)以色列芯片廠
新浪科技訊 北京時(shí)間6月13日上午消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，以色列工業(yè)貿(mào)易部(Industry and Trade Ministry)表示，英特爾正籌備再度擴(kuò)建位于以色列南部的芯片廠，并尋求政府撥款以解決部分融資問題。 英特爾此次擴(kuò)建和
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IBM三星聯(lián)合開發(fā)智能手機(jī)等產(chǎn)品芯片制造工藝
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，IBM和三星當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三宣布，兩家公司將在新型芯片材料、制造工藝等技術(shù)的基礎(chǔ)研究領(lǐng)域開展合作。IBM和三星表示，根據(jù)協(xié)議，兩家公司將聯(lián)合開發(fā)可以用于智能手機(jī)、通信設(shè)備等產(chǎn)品中的芯片制造工藝。
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英特爾三星東芝聯(lián)手提升芯片制造工藝
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾、東芝和三星電子將聯(lián)手開發(fā)新技術(shù)，在2016年前將芯片制造工藝提升到10納米級(jí)別。據(jù)《日經(jīng)新聞》報(bào)道，全球排名前兩位的NAND閃存制造商三星電子和東芝將與最大的芯片廠商英特爾結(jié)成合作伙伴，
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學(xué)習(xí)臺(tái)積電? AMD代工廠放棄32nm轉(zhuǎn)28nm
GlobalFoundries今天宣布，已經(jīng)取消了32nm Bulk HKMG(高K金屬柵極)制造工藝，改而直接上馬28nm。 當(dāng)然這里說(shuō)的32nm工藝針對(duì)的是圖形和無(wú)線芯片，而面向微處理器的32nm SOI工藝仍將按原計(jì)劃發(fā)展，應(yīng)該會(huì)在明年初批
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TI 發(fā)布45納米芯片制造工藝
TI 發(fā)布45納米芯片制造工藝
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NEC研發(fā)出55納米芯片制造工藝 07年投產(chǎn)
NEC研發(fā)出55納米芯片制造工藝 07年投產(chǎn)
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