未來(lái)幾年,F(xiàn)PGA融合架構(gòu)的演進(jìn)還在持續(xù),而這需硬件和軟件的“鼎力相助”。Misha Burich指出,3D封裝和Open CL將是關(guān)鍵支撐技術(shù)。日前,Altera宣布采用TSMC的CoWoS(基底晶圓芯片生產(chǎn))技術(shù),開(kāi)發(fā)出全球首顆能夠整合多
從最初膠合邏輯發(fā)家,到不斷集成微處理器、DSP、專用IP等,F(xiàn)PGA迎來(lái)了其硅片融合的“黃金時(shí)代”——不僅拓寬了應(yīng)用領(lǐng)域,承擔(dān)起信號(hào)處理和數(shù)據(jù)運(yùn)算的重要功能,還蠶食了ASIC、DSP等的市場(chǎng)份額。FPGA的發(fā)展史就是將“
從最初膠合邏輯發(fā)家,到不斷集成微處理器、DSP、專用IP等,F(xiàn)PGA迎來(lái)了其硅片融合的“黃金時(shí)代”——不僅拓寬了應(yīng)用領(lǐng)域,承擔(dān)起信號(hào)處理和數(shù)據(jù)運(yùn)算的重要功能,還蠶食了ASIC、DSP等的市場(chǎng)份額。FPGA的發(fā)展史就是將“
記憶體封測(cè)廠力成 (6239)在日前宣布,公司已在去年9月22日獲得Toshiba的技術(shù)授權(quán),盡管力成并未針對(duì)該技術(shù)做進(jìn)一步說(shuō)明,法人圈則傳出,認(rèn)為力成與Toshiba的技術(shù)授權(quán)應(yīng)與3D IC封裝有關(guān),初期將強(qiáng)化NAND Flash的同質(zhì)堆
高速晶片設(shè)計(jì)技術(shù)授權(quán)公司Rambus宣布與工研院(ITRI)合作開(kāi)發(fā)互連及3D封裝技術(shù),此外,Rambus加入先進(jìn)堆疊系統(tǒng)與應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟(Ad-STAC),該聯(lián)盟是由工研院領(lǐng)導(dǎo)的跨國(guó)研究協(xié)會(huì)。Rambus與工研院以Ad-STAC成員身分共同運(yùn)
高速晶片設(shè)計(jì)技術(shù)授權(quán)公司Rambus宣布,為了提升Rambus在3D IC封裝的技術(shù)能量,進(jìn)而提供制造商客戶更優(yōu)越的封裝技術(shù),Rambus已與工業(yè)技術(shù)研究院(ITRI)攜手展開(kāi)互連與3D封裝技術(shù)的合作開(kāi)發(fā)。 Rambus技術(shù)開(kāi)發(fā)副總裁Joh
隨著移動(dòng)電話等電子器件的不斷飛速增長(zhǎng),這些器件中安裝在有限襯底面積上的半導(dǎo)體封裝也逐漸變小變薄。3D封裝對(duì)減少裝配面積非常有效。此外,系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)(將二個(gè)或多個(gè)芯片安裝在一個(gè)封裝件中)對(duì)于提高處理速
近日,有兩家公司同時(shí)發(fā)布了在芯片封裝方面的革命性突破:一個(gè)是意法半導(dǎo)體宣布將硅通孔技術(shù)(TSV)引入MEMS芯片量產(chǎn),在意法半導(dǎo)體的多片MEMS產(chǎn)品(如智能傳感器、多軸慣性模塊)內(nèi),硅通孔技術(shù)以垂直短線方式取代傳
近日,有兩家公司同時(shí)發(fā)布了在芯片封裝方面的革命性突破:一個(gè)是意法半導(dǎo)體宣布將硅通孔技術(shù)(TSV)引入MEMS芯片量產(chǎn),在意法半導(dǎo)體的多片MEMS產(chǎn)品(如智能傳感器、多軸慣性模塊)內(nèi),硅通孔技術(shù)以垂直短線方式取代傳
近日,有兩家公司同時(shí)發(fā)布了在芯片封裝方面的革命性突破:一個(gè)是意法半導(dǎo)體宣布將硅通孔技術(shù)(TSV)引入MEMS芯片量產(chǎn),在意法半導(dǎo)體的多片MEMS產(chǎn)品(如智能傳感器、多軸慣性模塊)內(nèi),硅通孔技術(shù)以垂直短線方式取代傳
高通(Qualcomm)先進(jìn)工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出,在使用高密度的硅穿孔(TSV)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片堆疊的量產(chǎn)以前,這項(xiàng)技術(shù)還必須再降低成本才能走入市場(chǎng)。他同時(shí)指出,業(yè)界對(duì)該技術(shù)價(jià)格和商業(yè)模式的爭(zhēng)論,將成為這項(xiàng)技術(shù)
高通(Qualcomm)先進(jìn)工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出,在使用高密度的硅穿孔(TSV)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片堆疊的量產(chǎn)以前,這項(xiàng)技術(shù)還必須再降低成本才能走入市場(chǎng)。他同時(shí)指出,業(yè)界對(duì)該技術(shù)價(jià)格和商業(yè)模式的爭(zhēng)論,將成為這項(xiàng)技術(shù)
高通(Qualcomm)先進(jìn)工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出,在使用高密度的硅穿孔(TSV)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片堆疊的量產(chǎn)以前,這項(xiàng)技術(shù)還必須再降低成本才能走入市場(chǎng)。他同時(shí)指出,業(yè)界對(duì)該技術(shù)價(jià)格和商業(yè)模式的爭(zhēng)論,將成為這項(xiàng)技術(shù)
高通(Qualcomm) 先進(jìn)工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出,在使用高密度的矽穿孔(TSV)來(lái)實(shí)現(xiàn)晶片堆疊的量產(chǎn)以前,這項(xiàng)技術(shù)還必須再降低成本才能走入市場(chǎng)。他同時(shí)指出,業(yè)界對(duì)該技術(shù)價(jià)格和商業(yè)模式的爭(zhēng)論,將成為這項(xiàng)技
林稼弘 USHIO電機(jī)株式會(huì)社針對(duì)半導(dǎo)體Silicon貫通電極(Through-silicon via;TSV)、Silicon Interposer等3D封裝技術(shù),開(kāi)發(fā)出世界首創(chuàng)Φ200 mm(Φ8 inch)全面非接觸型投影曝光設(shè)備「UX4-3Di FFPL200」,并于即日起于臺(tái)
USHIO電機(jī)株式會(huì)社針對(duì)半導(dǎo)體Silicon貫通電極(Through-silicon via;TSV)、Silicon Interposer等3D封裝技術(shù),開(kāi)發(fā)出世界首創(chuàng)Φ200 mm(Φ8 inch)全面非接觸型投影曝光設(shè)備「UX4-3Di FFPL200」,并于即日起于臺(tái)灣市場(chǎng)開(kāi)
電腦制造商IBM已經(jīng)與一個(gè)膠水專家合作,利用膠水把一層層芯片粘在一起,研制 “摩天樓(skyscraper)”電腦。它希望通過(guò)這種方式,可以令手機(jī)和PC的速度提高1000倍。這種產(chǎn)品有望在2013年上市。3M公司還生產(chǎn)
據(jù)英國(guó)《每日電訊報(bào)》9月8日?qǐng)?bào)道,IBM正在和以生產(chǎn)工業(yè)用膠帶著名的3M公司聯(lián)合研發(fā)一種新膠水,將多層硅片層堆疊起來(lái),真正實(shí)現(xiàn)芯片的3D封裝。 科學(xué)家們希望能采用這種3D封裝技術(shù),制造出擁有100層硅的芯片,這種芯
陳妍蓁 Alchimer為奈米薄膜制程中位居領(lǐng)導(dǎo)地位之廠商,其產(chǎn)品廣泛運(yùn)用于3D封裝、半導(dǎo)體導(dǎo)線、微機(jī)電(MEMS)及其他電子產(chǎn)業(yè),該公司于近期宣布推出新產(chǎn)品「AquiVantage」。AquiVantage為全新濕式制程技術(shù),可用于inter
日前,德州儀器(TI)宣布PowerStack封裝技術(shù)產(chǎn)品出貨量已突破3000萬(wàn)套,該技術(shù)可為電源管理器件顯著提高性能,降低功耗,并改進(jìn)芯片密度。PowerStack技術(shù)的優(yōu)勢(shì)是通過(guò)創(chuàng)新型封裝方法實(shí)現(xiàn)的,即在接地引腳框架上堆棧TI