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搶攻FinFET設(shè)計(jì)商機(jī) 益華發(fā)布新Virtuoso平臺(tái)
益華(Cadence)針對(duì)28奈米以下制程及鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程發(fā)布最新版Virtuoso布局(Layout)設(shè)計(jì)套件，該套件具備電子意識(shí)設(shè)計(jì)(Electrically Aware Design, EAD)功能，
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臺(tái)積電后日法說(shuō) 陸行之4問(wèn)張忠謀
臺(tái)積電第二季法說(shuō)會(huì)訂后天（18日）召開(kāi)，臺(tái)股靜候董事長(zhǎng)張忠謀開(kāi)金口論斷下半年科技業(yè)景氣，巴克萊資本證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陸行之昨（15）日指出，會(huì)中將針對(duì)庫(kù)存調(diào)整、先進(jìn)制程、蘋(píng)果訂單、競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手等4大議題
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聯(lián)電攜手新思完成首個(gè)14nm FinFET制程驗(yàn)證工具設(shè)計(jì)定案
聯(lián)電與新思科技(Synopsys)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果，采用新思科技DesignWare邏輯庫(kù)的IP組合，和Galaxy實(shí)作平臺(tái)的一部分寄生StarRC萃取方案，成功完成聯(lián)電第一個(gè)14奈米FinFET制程驗(yàn)證工具的設(shè)計(jì)定案。在雙
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聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片
在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)
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聯(lián)電與Synopsys攜手加速14奈米FinFET制程開(kāi)發(fā)
晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡(jiǎn)稱(chēng)聯(lián)電)與全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造提供軟體、IP與服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商新思科技(Synopsys)共同宣布兩家公司的合作已獲得成果，采用新思科技 DesignWare 邏輯庫(kù)的 IP 組合，和 Galaxy 實(shí)作平臺(tái)的
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聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片
在Synopsys的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)這
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聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片
在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)
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聯(lián)電攜手新思 14nm設(shè)計(jì)定案采用Galaxy平臺(tái)
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與新思科技(Synopsys)(SNPS-US)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果，采用新思科技DesignWare邏輯庫(kù)的IP組合，和Galaxy實(shí)作平臺(tái)的一部分寄生StarRC萃取方案，成功完成聯(lián)電第一個(gè)14奈米FinFET制
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聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片
在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)
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聯(lián)華與新思攜手 加速聯(lián)華電子14奈米FinFET制程研發(fā)
聯(lián)華電子與全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造提供軟件、IP與服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商新思科技(Synopsys)，日前(26日)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果。采用新思科技DesignWare®邏輯庫(kù)的IP組合及 Galaxy™實(shí)作平臺(tái)的一部分-寄生
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聯(lián)電攜手新思 14nm設(shè)計(jì)定案 采用Galaxy平臺(tái)
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與新思科技(Synopsys)(SNPS-US)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果，采用新思科技DesignWare邏輯庫(kù)的IP組合，和Galaxy實(shí)作平臺(tái)的一部分寄生StarRC萃取方案，成功完成聯(lián)電第一個(gè)14奈米FinFET制
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賽靈思：28nm業(yè)界領(lǐng)先 未來(lái)市場(chǎng)進(jìn)一步擴(kuò)大
賽靈思與TSMC強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，再加上與ARM在嵌入式領(lǐng)域的配合，未來(lái)幾年賽靈思的市場(chǎng)份額將進(jìn)一步擴(kuò)大。作為可編程FPGA的發(fā)明者和Fabless半導(dǎo)體業(yè)務(wù)模式的首創(chuàng)者，賽靈思(Xilinx)一直都是行業(yè)的創(chuàng)新先鋒企業(yè)。29年來(lái)，賽靈
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聯(lián)電加入IBM技術(shù)聯(lián)盟 攜手奔向10nm工藝
在半導(dǎo)體行業(yè)，聯(lián)電(UMC)算不上往往與最先進(jìn)的技術(shù)搭不上邊，不過(guò)這一次，臺(tái)灣代工廠準(zhǔn)備走在世界前列了。IBM、聯(lián)電今天共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟，共同參與10nm CMOS工藝的開(kāi)發(fā)。IBM技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟是一個(gè)由
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聯(lián)電加入IBM技術(shù)聯(lián)盟 攜手奔向10nm工藝
在半導(dǎo)體行業(yè)，聯(lián)電(UMC)算不上往往與最先進(jìn)的技術(shù)搭不上邊，不過(guò)這一次，臺(tái)灣代工廠準(zhǔn)備走在世界前列了。IBM、聯(lián)電今天共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟，共同參與10nm CMOS工藝的開(kāi)發(fā)。IBM技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟是一個(gè)由
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如何選擇滿(mǎn)足FPGA設(shè)計(jì)需求的工藝？
FPGA在系統(tǒng)中表現(xiàn)出的特性是由芯片制造的半導(dǎo)體工藝決定的，當(dāng)然它們之間的關(guān)系比較復(fù)雜。過(guò)去，在每一節(jié)點(diǎn)會(huì)改進(jìn)工藝的各個(gè)方面，每一新器件的最佳工藝選擇是尺寸最小的最新工藝?，F(xiàn)在，情況已不再如此。取而代之的
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聯(lián)電、IBM 攜手10納米CMOS
聯(lián)電與IBM昨（13）日共同宣布，聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟共同開(kāi)發(fā)10nm(納米）CMOS制程技術(shù)。 聯(lián)電表示，將指派工程團(tuán)隊(duì)加入位于美國(guó)紐約州阿爾巴尼（Albany, New York）的10納米研發(fā)計(jì)劃，而聯(lián)電14納米FinFET與
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張忠謀：16nm量產(chǎn)更快速，對(duì)臺(tái)積前途非常樂(lè)觀
晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)今(11日)召開(kāi)股東會(huì)，董事長(zhǎng)張忠謀(見(jiàn)附圖)也于股東會(huì)中向股東報(bào)告臺(tái)積未來(lái)在先進(jìn)制程的進(jìn)度。他表示，臺(tái)積于去年11月，即開(kāi)始采用20奈米系統(tǒng)單晶片制程，為客戶(hù)生產(chǎn)測(cè)試晶片，并預(yù)計(jì)于2014
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14納米制程 牽動(dòng)臺(tái)積霸業(yè)
2015年起，晶圓代工產(chǎn)業(yè)在16/14納米制程競(jìng)爭(zhēng)將轉(zhuǎn)趨激烈！巴克萊資本證券陸行之指出，盡管臺(tái)積電在28/20納米龍頭地位仍難以撼動(dòng)，但隨著英特爾14納米產(chǎn)能從明（2014）年下半年開(kāi)出，蘋(píng)果與Altera預(yù)計(jì)將從2015年下半年
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Cadence設(shè)計(jì)工具通過(guò)臺(tái)積電16nm FinFET制程認(rèn)證
益華電腦(Cadence Design Systems)宣布，該公司的系統(tǒng)芯片開(kāi)發(fā)工具已經(jīng)通過(guò)臺(tái)積電(TSMC) 16納米 FinFET 制程的設(shè)計(jì)參考手冊(cè)(design rule manual，DRM)第0.1版與 SPICE 模型工具認(rèn)證。在早期階段就達(dá)成工具認(rèn)證里程碑
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Cadence設(shè)計(jì)工具通過(guò)臺(tái)積電16奈米FinFET制程認(rèn)證
益華電腦(Cadence Design Systems)宣布，該公司的系統(tǒng)晶片開(kāi)發(fā)工具已經(jīng)通過(guò)臺(tái)積電(TSMC) 16奈米 FinFET 制程的設(shè)計(jì)參考手冊(cè)(design rule manual，DRM)第0.1版與 SPICE 模型工具認(rèn)證。在早期階段就達(dá)成工具認(rèn)證里程碑
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