-
Finfet+平面型架構(gòu)混合體：傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)
據(jù)消息來(lái)源透露，Intel公司近期可能會(huì)公開(kāi)其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié)，據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來(lái)源還稱Intel&ldq
-
傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)
據(jù)消息來(lái)源透露，Intel公司近期可能會(huì)公開(kāi)其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié)，據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來(lái)源還稱Intel“很
-
臺(tái)積電宣布已開(kāi)發(fā)出22/20nm Finfet雙門立體晶體管制程
據(jù)electronicsweekly網(wǎng)站報(bào)道，臺(tái)積電公司近日宣稱已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一套采用Finfet雙門立體晶體管技術(shù)制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經(jīng)采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內(nèi)含6個(gè)CMOS微晶體管)，據(jù)稱這種
-
非一般的晶體管
“一個(gè)蝴蝶可以刮起一陣風(fēng)，一個(gè)士兵可以開(kāi)始一場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)”，那么一項(xiàng)偉大的發(fā)明呢？1947年12月，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克萊、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研制出一種點(diǎn)接觸型的鍺晶體管。于是乎，大名鼎鼎的、
-
22nm以后的有力候選：FD-SOI元件與FinFET接近實(shí)用化的不斷發(fā)布
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通道中添加雜質(zhì)，易于控制特性的不均現(xiàn)象
-
臺(tái)積電讓大家感到驚奇的7件事
象過(guò)去多年來(lái)一樣, 在今年的會(huì)上臺(tái)積電也爆出讓人感到驚奇的新工藝技術(shù)。它的新工藝路線圖, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等領(lǐng)域。以下是在一天的會(huì)中對(duì)于會(huì)議的觀察及感受；1,Morris張去年79歲高令重新執(zhí)掌臺(tái)積電, 那時(shí)正
-
ATDF為Elpida開(kāi)展FinFET存儲(chǔ)器研究
Sematech產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的全資子公司Advanced Technology Development Facility(ATDF)已經(jīng)同意為Elpida Memory公司生產(chǎn)基于FinFET以及新型存儲(chǔ)器技術(shù)的晶圓。 ATDF與日本的主要DRAM制造商Elpida公司達(dá)成了兩個(gè)項(xiàng)目協(xié)議，評(píng)
EasierDX
martian618
probigfat
liubeihua
Matthew2018
walk_bird
Fillmore
hu519922633
wudi1219
qinkunkun
liang_fu
張老板
newlcd2008
JasonAPP
呂兒
kingwb
小莊2
huaohui
王林鑫
paderboy
