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臺(tái)積電16納米FinFET制程明年到來(lái)
臺(tái)積電在10月16日的年度大會(huì)中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖。臺(tái)積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來(lái)測(cè)試16nmFinFET制程，并可望在未來(lái)一年內(nèi)推出首款測(cè)試晶片。臺(tái)積電與其合作伙伴們表示，用
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臺(tái)積電16納米FinFET制程明年到來(lái)
臺(tái)積電在10月16日的年度大會(huì)中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖。臺(tái)積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來(lái)測(cè)試16nmFinFET制程，并可望在未來(lái)一年內(nèi)推出首款測(cè)試晶片。臺(tái)積電與其合作伙伴們表示，用
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臺(tái)積電制定20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖
臺(tái)積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nmFinFET的雙重圖形技術(shù)對(duì)晶片設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了極大挑戰(zhàn)。臺(tái)積電的發(fā)展藍(lán)圖大致與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Globalfoundries類(lèi)似，都希望能在明年啟動(dòng)20nm制程，2014開(kāi)始14nmFinFET制程。
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臺(tái)積電擬攜ARM V8進(jìn)軍16nm FinFET
臺(tái)積電在本周二(10月16日)的年度大會(huì)中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖。臺(tái)積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來(lái)測(cè)試16nmFinFET制程，并可望在未來(lái)一年內(nèi)推出首款測(cè)試晶片。臺(tái)積電與其合作伙伴們
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臺(tái)積電擬攜ARM V8進(jìn)軍16nm FinFET
臺(tái)積電在本周二(10月16日)的年度大會(huì)中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖。臺(tái)積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來(lái)測(cè)試16nm FinFET制程，并可望在未來(lái)一年內(nèi)推出首款測(cè)試晶片。臺(tái)積電與其合作伙伴
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臺(tái)積電擬攜ARM V8進(jìn)軍16nm FinFET
臺(tái)積電(TSMC)在本周二(10月16日)的年度大會(huì)中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖。臺(tái)積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來(lái)測(cè)試16nm FinFET制程，并可望在未來(lái)一年內(nèi)推出首款測(cè)試晶片。臺(tái)積電與其合
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GLOBALFOUNDRIES: 14nm準(zhǔn)備好了嗎?
日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù)，其全球銷(xiāo)售和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問(wèn)，對(duì)有關(guān)問(wèn)題進(jìn)行了解讀。 XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫(xiě)，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)
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GLOBALFOUNDRIES: 14nm準(zhǔn)備好了嗎？
日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù)，其全球銷(xiāo)售和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)執(zhí)行副總裁MichaelNoonen近日接受媒體訪問(wèn)，對(duì)有關(guān)問(wèn)題進(jìn)行了解讀。XM是eXtremeMobility的縮寫(xiě)，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)構(gòu)，它真正
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GLOBALFOUNDRIES: 14nm準(zhǔn)備好了嗎？
日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù)，其全球銷(xiāo)售和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問(wèn)，對(duì)有關(guān)問(wèn)題進(jìn)行了解讀。XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫(xiě)，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)構(gòu)，它
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Globalfoundries的14nm節(jié)點(diǎn)僅「小幅微縮」
GlobalFoundries打算在2014年開(kāi)始量產(chǎn)14XMFinFET制程，該制程旨在降低功耗，但就尺寸來(lái)看，與20nm平面塊狀矽CMOS制程相比，新制程所能減小的晶片尺寸非常少，甚至根本沒(méi)有減少。Globalfoundries下一代制程名為XM ，意
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緊咬臺(tái)積電不放 格羅方德后年量產(chǎn)14nm
格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將于2014年量產(chǎn)14nm方案。為與臺(tái)積電爭(zhēng)搶下一波行動(dòng)裝置晶片制造商機(jī)，GLOBALFOUNDRIES將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體(3DFinFET)架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計(jì)明年客戶即可開(kāi)始投片，后年則可望大
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緊咬臺(tái)積電不放 格羅方德后年量產(chǎn)14nm
格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將于2014年量產(chǎn)14奈米(nm)方案。為與臺(tái)積電爭(zhēng)搶下一波行動(dòng)裝置晶片制造商機(jī)，GLOBALFOUNDRIES將率先導(dǎo)入三維鰭式電晶體(3D FinFET)架構(gòu)于14nm制程產(chǎn)品中，預(yù)計(jì)明年客戶即可開(kāi)始投片，后年則
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格羅方德 跟臺(tái)積電有拚
晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries）來(lái)臺(tái)嗆聲，全球營(yíng)銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Michael Noonen表示，已正式推出結(jié)合14納米鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程的14nm-XM技術(shù)，協(xié)助客戶加快行動(dòng)裝置芯片上市時(shí)間。格羅方德指出
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挑戰(zhàn)臺(tái)積電！格羅方德強(qiáng)攻行動(dòng)市場(chǎng)14奈米明年試產(chǎn)
GLOBALFOUNDRIES(格羅方德)近期持續(xù)展現(xiàn)挑戰(zhàn)臺(tái)積電(2330-TW)與英特爾(INTC-US)的企圖心。該公司宣稱(chēng)，3D FinFET導(dǎo)入的14奈米元件將于明年導(dǎo)入試產(chǎn)，直接跳過(guò)28奈米，要與臺(tái)積電所稱(chēng)的20奈米SoC應(yīng)用互別苗頭，并鎖定行
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GF：3D FinFET技術(shù)領(lǐng)先臺(tái)積電
晶圓代工大廠格羅方德（Globalfoundries）昨（28）日宣布，旗下以3D鰭式晶體管（FinFET）導(dǎo)入的14納米元件，預(yù)計(jì)2013年試產(chǎn)，2014年量產(chǎn)，“已可直接與英特爾競(jìng)爭(zhēng)”，技術(shù)層次更領(lǐng)先臺(tái)積電半個(gè)世代。 格羅方德由微
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3D FinFET電晶體 大幅減低電流流失 GlobalFoundries 14nm-XM制程架構(gòu)
針對(duì)行動(dòng)裝置市場(chǎng)，提供更細(xì)小的面積空間以及減低所需功耗，讓行動(dòng)裝置體積得以減少，以及延長(zhǎng)電池續(xù)航行力，半導(dǎo)體廠商 GlobalFoundries 日前宣布將采用 14nm-XM 制程架構(gòu)，并首次引入 3D FinFET 電晶體，為立體 (S
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GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動(dòng)設(shè)備FinFET晶體管架構(gòu)
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移動(dòng)設(shè)備的優(yōu)化的 FinFET 晶體管架構(gòu)。公司的 14 納米路線圖加速客戶使用 FinFET 技術(shù)。GLOBALFOUNDRIES 日前推出一項(xiàng)專(zhuān)為快速增長(zhǎng)的移動(dòng)市場(chǎng)的最新科技，進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線路圖
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GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動(dòng)設(shè)備的FinFET晶體管架構(gòu)
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移動(dòng)設(shè)備的優(yōu)化的 FinFET 晶體管架構(gòu)。公司的 14 納米路線圖加速客戶使用 FinFET 技術(shù)。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一項(xiàng)專(zhuān)為快速增長(zhǎng)的移動(dòng)市場(chǎng)的最新科技，進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線路
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GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動(dòng)設(shè)備的FinFET晶體管架構(gòu)
GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移動(dòng)設(shè)備的優(yōu)化的 FinFET 晶體管架構(gòu)。公司的 14 納米路線圖加速客戶使用 FinFET 技術(shù)。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一項(xiàng)專(zhuān)為快速增長(zhǎng)的移動(dòng)市場(chǎng)的最新科技，進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線路
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GF推出用于下一代移動(dòng)設(shè)備晶體管架構(gòu)
中國(guó)上海，2012年9月21日——GLOBALFOUNDRIES 推出一項(xiàng)專(zhuān)為快速增長(zhǎng)的移動(dòng)市場(chǎng)的最新科技，進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線路圖。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技術(shù)將為客戶展現(xiàn)三維 “FinFET”晶體管的性能和功耗優(yōu)勢(shì)，不僅風(fēng)
小莊2
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王林鑫
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侯森
漩渦銘人
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