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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管
SoC(systemonachip)是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsu
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Imec與新思科技合作 將TCAD應(yīng)用于10nm FinFET制程
比利時(shí)納米電子研發(fā)機(jī)構(gòu)愛美科(Imec)與全球晶片設(shè)計(jì)、驗(yàn)證與制造及電子系統(tǒng)軟體供應(yīng)商新思科技(Synopsys)宣布，雙方將擴(kuò)大合作范圍并將電腦輔助設(shè)計(jì)技術(shù)(Technology Computer Aided Design， TCAD)應(yīng)用于10納米鰭式電
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三星力拼臺(tái)積電 成功試產(chǎn)14nm FinFET測(cè)試芯片
據(jù)國外媒體報(bào)導(dǎo)，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(dǎo)(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作，成第1顆導(dǎo)入3D 鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的14納米測(cè)試芯片，進(jìn)度領(lǐng)先臺(tái)積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢(shì)已定下，三星力拚臺(tái)
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三星領(lǐng)先臺(tái)積 14納米進(jìn)化
三星21日宣布成功試產(chǎn)第1顆導(dǎo)入3D 鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的14納米測(cè)試芯片，進(jìn)度領(lǐng)先臺(tái)積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢(shì)已定下，三星力拚臺(tái)積電的野心只增不減。韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(dǎo)
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Imec與Synopsys攜手將TCAD應(yīng)用于10nm FinFET
比利時(shí)納米電子研發(fā)機(jī)構(gòu)愛美科(Imec)與全球晶片設(shè)計(jì)、驗(yàn)證與制造及電子系統(tǒng)軟體供應(yīng)商新思科技(Synopsys)宣布，雙方將擴(kuò)大合作范圍并將電腦輔助設(shè)計(jì)技術(shù)(Technology Computer Aided Design， TCAD)應(yīng)用于10納米鰭式電
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卡位14/16nm市場(chǎng) 晶圓廠加碼FinFET研發(fā)
全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14納米FinFET后，臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時(shí)程表，希冀藉此一新技術(shù)，提供IC設(shè)計(jì)業(yè)者效能更佳的制造方案
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FDSOI技術(shù)推進(jìn)SoC微細(xì)化至10nm工藝 無需3D晶體管
近日意法半導(dǎo)體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技術(shù)，使得作為智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品心臟的SoC(systemonachip)，在推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管
SoC(systemonachip)是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulat
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愛美科與新思攜手將TCAD應(yīng)用于10奈米FinFET
比利時(shí)奈米電子研發(fā)機(jī)構(gòu)愛美科 ( Imec )與全球晶片設(shè)計(jì)、驗(yàn)證與制造及電子系統(tǒng)軟體供應(yīng)商新思科技( Synopsys )宣布，雙方將擴(kuò)大合作范圍并將電腦輔助設(shè)計(jì)技術(shù)(Technology Computer Aided Design， TCAD)應(yīng)用于10奈米
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管
SoC（systemonachip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fullydepletedsilicononin
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三星領(lǐng)先臺(tái)積 14納米進(jìn)化
三星昨（21）日宣布成功試產(chǎn)第1顆導(dǎo)入3D 鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）的14納米測(cè)試芯片，進(jìn)度領(lǐng)先臺(tái)積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢(shì)已定下，三星力拚臺(tái)積電的野心只增不減。 韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星與安謀 （ARM）、益華
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閱讀秘書／FinFET
3D鰭式晶體管（FinFET）是新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管技術(shù)。相較于傳統(tǒng)晶體管若要控制電流通過閘門，只能選擇在閘門的一側(cè)來控制，屬于平面式的結(jié)構(gòu)；3D FinFET的閘門，是類似魚鰭般的三面立體式的設(shè)計(jì)，能大
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三星領(lǐng)先臺(tái)積 14納米進(jìn)化
三星昨（21）日宣布成功試產(chǎn)第1顆導(dǎo)入3D 鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）的14納米測(cè)試芯片，進(jìn)度領(lǐng)先臺(tái)積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢(shì)已定下，三星力拚臺(tái)積電的野心只增不減。 韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星與安謀 （ARM）、益華（
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三星14nm工藝移動(dòng)芯片測(cè)試成功
據(jù)國外媒體報(bào)道，三星宣布與 ARM 簽署了一項(xiàng)與 14nm FinFET 工藝技術(shù)和 IP 庫相關(guān)的合作協(xié)議，并且還成功研發(fā)了一些基于 14nm FinFET 工藝的測(cè)試處理器芯片。 三星稱 14nm FinFET 技術(shù)是未來發(fā)展的方向， 未來的
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三星成功試產(chǎn)14奈米FinFET技術(shù)芯片
韓國聯(lián)合通訊社(Yonhap)、EETimes報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics Co.)21日宣布，該公司已成功試產(chǎn)出旗下第一顆采用鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的14奈米制程測(cè)試晶片。 三星表示，這款測(cè)試晶片是和安謀(ARM)、C
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管
SoC（systemonachip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fullydepletedsilicononin
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晶圓廠積極推進(jìn)FinFET研發(fā) 爭(zhēng)奪14/16nm市場(chǎng)
鰭式電晶體(FinFET)已成為晶圓制造業(yè)者角逐未來行動(dòng)通訊市場(chǎng)的關(guān)鍵利器。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14納米FinFET后，臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時(shí)程表，希冀藉此一新技術(shù)，提供
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管
SoC（system on a chip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fully depleted silico
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卡位14/16奈米市場(chǎng)晶圓代工廠加碼FinFET研發(fā)
全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后，臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時(shí)程表，希冀借此一新技術(shù)，提供IC設(shè)計(jì)業(yè)者效能更佳的制造方案，
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卡位14/16nm市場(chǎng) 晶圓廠加碼FinFET研發(fā)
全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后，臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時(shí)程表，希冀藉此一新技術(shù)，提供IC設(shè)計(jì)業(yè)者效能更佳的制造方案，
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