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卡位14/16奈米市場(chǎng)晶圓代工廠加碼FinFET研發(fā)
全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14奈米FinFET后，臺(tái)灣晶圓雙雄臺(tái)積電與聯(lián)電亦陸續(xù)公布FinFET制程發(fā)展藍(lán)圖與量產(chǎn)時(shí)程表，希冀借此一新技術(shù)，提供IC設(shè)計(jì)業(yè)者效能更佳的制造方案，
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IC設(shè)計(jì)跨入SoC時(shí)代 重塑價(jià)值鏈引發(fā)后摩爾時(shí)代變革
2012年IC設(shè)計(jì)業(yè)銷售額將達(dá)到680.45億元，同比增長(zhǎng)8.98%。中國(guó)大陸IC設(shè)計(jì)業(yè)在全球產(chǎn)業(yè)中的地位得到進(jìn)一步鞏固，在美國(guó)和我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)之后繼續(xù)保持第三位。在近日舉辦的2012中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)年會(huì)暨重慶集成電路創(chuàng)新發(fā)
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中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)：深度廣度并行 重塑價(jià)值鏈
2012年就要翻頁了，每個(gè)產(chǎn)業(yè)的起伏或冷暖自知。我國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)今年是有驚無險(xiǎn)地渡過了“險(xiǎn)灘”，成為其史上“最艱苦卻又持續(xù)進(jìn)步”的一年。在最近舉辦的2012中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)年會(huì)暨重慶集成電路創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇上，
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下一代FD－SOI制程將跳過20nm直沖14nm
在一場(chǎng)近日于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20奈米節(jié)點(diǎn)，直接往14奈米、接著是10奈米發(fā)
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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
在一場(chǎng)近日于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI(fullydepletedsilicononinsulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOIConsortium所展示的文件顯示，F(xiàn)D-SOI制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點(diǎn)，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。根據(jù)SOICon
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FD-SOI制程藍(lán)圖:跳過20奈米節(jié)點(diǎn)，直沖14奈米
14奈米FD-SOI技術(shù)問世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14奈米FinFET相當(dāng)，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)D-SOI的成本則應(yīng)該會(huì)比FinFET低得多。近日，在一場(chǎng)于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)
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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
在一場(chǎng)近日于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點(diǎn)，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。根
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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm
在一場(chǎng)近日于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20奈米節(jié)點(diǎn)，直接往14奈米、接著是10奈米發(fā)
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臺(tái)積電公布16-10nm FinFET及3D IC提供日程
在“SEMICONJapan2012”（2012年12月5～7日，幕張MESSE國(guó)際會(huì)展中心）開幕當(dāng)天，臺(tái)積電研發(fā)副總經(jīng)理侯永清(CliffHou)登臺(tái)發(fā)表了主題演講，公布了該公司關(guān)于16～10nmFinFET工藝及CoWoS（chiponwaferonsubstrate，晶圓
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明年IC設(shè)計(jì)業(yè)恐現(xiàn)零增長(zhǎng)？ 增強(qiáng)企業(yè)實(shí)力是根本
2012年受歐債危機(jī)等影響，全球經(jīng)濟(jì)持續(xù)低迷，但是國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)業(yè)仍保持了增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)、從產(chǎn)業(yè)規(guī)模與市場(chǎng)開發(fā)角度看，中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)已經(jīng)穩(wěn)居全球集成電路設(shè)計(jì)業(yè)第三位，移動(dòng)通信、存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的產(chǎn)品也從無到有，開始參與市
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臺(tái)積電公布16-10nm FinFET及3D IC提供日程
在“SEMICON Japan 2012”（2012年12月5～7日，幕張MESSE國(guó)際會(huì)展中心）開幕當(dāng)天，臺(tái)積電研發(fā)副總經(jīng)理侯永清(Cliff Hou)登臺(tái)發(fā)表了主題演講，公布了該公司關(guān)于16～10nm FinFET工藝及CoWoS（chip on wafer on substra
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產(chǎn)能跟不上？GF明年上半年試產(chǎn)14nm工藝
AMD當(dāng)年就屢屢被落后的產(chǎn)能所拖累，而在晶圓廠獨(dú)立成GlobalFoundries之后，仍然擺脫不了工藝和產(chǎn)能跟不上的局面，多次導(dǎo)致新產(chǎn)品取消、推遲或者規(guī)格不達(dá)標(biāo)，不過，GF依然在不斷努力宣傳美好的未來，現(xiàn)在又保證明年上
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GF14nm FinFET技術(shù) 明年上半年試產(chǎn)14nm工藝
AMD當(dāng)年就屢屢被落后的產(chǎn)能所拖累，而在晶圓廠獨(dú)立成GlobalFoundries之后，仍然擺脫不了工藝和產(chǎn)能跟不上的局面，多次導(dǎo)致新產(chǎn)品取消、推遲或者規(guī)格不達(dá)標(biāo)，不過，GF依然在不斷努力宣傳美好的未來，現(xiàn)在又保證明年上
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Cadence 試產(chǎn)FinFET制程14nm測(cè)試晶片
Cadence近日宣布，運(yùn)用IBM FinFET制程技術(shù)所設(shè)計(jì)的 ARM Cortex-M0 處理器14nm測(cè)試晶片已投入試產(chǎn)。成功投產(chǎn)14nmSOI FinFET 技術(shù)歸功于三家廠商攜手建立的生態(tài)體系，在以 FinFET 為基礎(chǔ)的 14nm設(shè)計(jì)流程中，克服從設(shè)計(jì)
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運(yùn)用FinFET技術(shù)Cadence已投入試產(chǎn)14nm測(cè)試芯片
近日，Cadence宣布，運(yùn)用IBM FinFET制程技術(shù)所設(shè)計(jì)的 ARM Cortex-M0 處理器14nm測(cè)試晶片已投入試產(chǎn)。成功投產(chǎn)14nmSOI FinFET 技術(shù)歸功于三家廠商攜手建立的生態(tài)體系，在以 FinFET 為基礎(chǔ)的 14nm設(shè)計(jì)流程中，克服從設(shè)
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臺(tái)積Q4試產(chǎn)20nm SoC；明年推16nm FinFET制程
ARM今(23)日舉辦年度技術(shù)研討會(huì)，臺(tái)積電 (2330)技術(shù)長(zhǎng)孫元成(見附圖)獲邀出席，分享臺(tái)積電于先進(jìn)制程的布局。孫元成指出，臺(tái)積電的20 奈米 SoC解決方案預(yù)計(jì)今年Q4即可試產(chǎn)(risk production)，而相隔一年后、明年11
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Cadence試產(chǎn)14nm測(cè)試芯片
近日，Cadence宣布，運(yùn)用IBM FinFET制程技術(shù)所設(shè)計(jì)的 ARM Cortex-M0 處理器14nm測(cè)試晶片已投入試產(chǎn)。成功投產(chǎn)14nmSOI FinFET 技術(shù)歸功于三家廠商攜手建立的生態(tài)體系，在以 FinFET 為基礎(chǔ)的 14nm設(shè)計(jì)流程中，克服從
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Cadence試產(chǎn)14nm測(cè)試芯片
近日，Cadence宣布，運(yùn)用IBM FinFET制程技術(shù)所設(shè)計(jì)的 ARM Cortex-M0 處理器14nm測(cè)試晶片已投入試產(chǎn)。成功投產(chǎn)14nmSOI FinFET 技術(shù)歸功于三家廠商攜手建立的生態(tài)體系，在以 FinFET 為基礎(chǔ)的 14nm設(shè)計(jì)流程中，克服從設(shè)
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布局3D量測(cè)，愛德萬推出晶圓級(jí)測(cè)試系統(tǒng)
測(cè)試設(shè)備大廠愛德萬測(cè)試(Advantest, NYSE: ATE)看準(zhǔn)3D IC技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)，持續(xù)布局高階測(cè)試方案，今宣布推出專為晶圓級(jí)測(cè)試所開發(fā)的多視角量測(cè)掃描式電子顯微鏡 (MVM-SEM)系統(tǒng)E3310。愛德萬指出，該系統(tǒng)可提供高穩(wěn)定
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ASM：邁入FinFET將需要全方位ALD方案
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在轉(zhuǎn)換到3D結(jié)構(gòu)，進(jìn)而導(dǎo)致關(guān)鍵薄膜層對(duì)高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過去在平面元件中雖可使用幾個(gè) PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點(diǎn)而言，過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案
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