FINFET

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inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺積電

在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù)，領(lǐng)先其競爭對手一步。盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在

消費電子
2012-08-14

FET 臺積電聯(lián)電 FINFET
聯(lián)電欲藉由FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先對手臺積電

在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù)，領(lǐng)先其競爭對手一步。盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在

電子設(shè)計自動化
2012-08-14

制程技術(shù) 臺積電聯(lián)電 FINFET
拚FinFET聯(lián)電可能搶先臺積電

在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先其競爭對手一步。盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起FinFET構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與IBM簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在2014年

模擬
2012-08-13

CMOS 臺積電聯(lián)電 FINFET
inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺積電

在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù)，領(lǐng)先其競爭對手一步。盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在

電子設(shè)計自動化
2012-08-13

FET 臺積電聯(lián)電 FINFET
拚FinFET　聯(lián)電可能搶先臺積電

在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù)，領(lǐng)先其競爭對手一步。盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最快

模擬
2012-08-12

CMOS 臺積電聯(lián)電 FINFET
ARM與GLOBALFOUNDRIES合作推出20納米及FinFET 技術(shù)

ARM與GLOBALFOUNDRIES合作推出20納米及FinFET 技術(shù)

嵌入式動態(tài)
2012-08-12

ARM IP GLOBALFOUNDRIES FINFET
探究下一代半導(dǎo)體芯片制造工藝之間的博弈

根據(jù)最新消息，ARM與臺積電宣布簽署一項長期合作協(xié)議，兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對象，探索用FinFET工藝制程技術(shù)來研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工藝實現(xiàn)方法。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司合作的技術(shù)領(lǐng)域?qū)⒑w20nm以下工藝技術(shù)節(jié)

消費電子
2012-08-06

晶體管半導(dǎo)體芯片芯片制造工藝 FINFET
探究下一代半導(dǎo)體芯片制造工藝之間的博弈

根據(jù)最新消息，ARM與臺積電宣布簽署一項長期合作協(xié)議，兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對象，探索用FinFET工藝制程技術(shù)來研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工藝實現(xiàn)方法。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司合作的技術(shù)領(lǐng)域?qū)⒑w20nm以下工藝技術(shù)節(jié)

消費電子
2012-08-06

晶體管半導(dǎo)體芯片芯片制造工藝 FINFET
拼FinFET 聯(lián)電可能搶先臺積電

在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺積電 ( TSMC )之后的聯(lián)電 ( UMC )，可望藉由率先采用FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先其競爭對手一步。盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最

模擬
2012-07-31

CMOS 臺積電聯(lián)電 FINFET
ARM與臺積電合作，針對FinFET技術(shù)最佳化ARM核心

ARM與臺積電(TSMC)合作，針對FinFET制程技術(shù)最佳化下一代64位元ARM核心。這想必讓英特爾感覺頗為自得。畢竟，這驗證了這家晶片巨擘的兩位高階主管──Paul Otellini(歐德寧) 和Brian Krzanich在投資者日(investor da

單片機
2012-07-26

英特爾 ARM 臺積電 FINFET
ARM與臺積公司攜手合作

ARM與臺積公司日前共同宣布一項為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20納米工藝以下，通過臺積公司的FinFET工藝提供ARM的處理器技術(shù)，讓芯片設(shè)計商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域也能擴展其市場領(lǐng)先優(yōu)勢。此項合作將為ARMv8架構(gòu)

消費電子
2012-07-25

ARM SoC IP FINFET
ARM與臺積電合作優(yōu)化下一代64位ARM處理器FinFET工藝

ARM與臺積公司今日共同宣布一項為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20納米工藝以下，通過臺積公司的FinFET工藝提供ARM的處理器技術(shù)，讓芯片設(shè)計商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域也能擴展其市場領(lǐng)先優(yōu)勢。此項合作將為ARMv8架構(gòu)

消費電子
2012-07-25

IP ARM處理器臺積電 FINFET
ARM與臺積電簽署新協(xié)議引入臺積電FinFET工藝

知名芯片設(shè)計廠商ARM公司日前與臺積電公司簽訂了一份為期多年的新協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，雙方將就使用臺積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器產(chǎn)品方面進(jìn)行合作。從新協(xié)議的有效時間看，延伸到了臺積電計劃中的20nm

單片機
2012-07-25

ARM 制程技術(shù) 臺積電 FINFET
ARM與臺積電將雙方合作延續(xù)至20奈米以下制程

處理器核心供應(yīng)商ARM與晶圓代工大廠臺積電 (TSMC)，日前共同宣布一項為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20奈米以下制程，藉由臺積電的FinFET制程提供ARM的處理器技術(shù)，讓晶片設(shè)計商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域也能擴展其市

模擬
2012-07-25

晶片 ARM 臺積電 FINFET
ARM與臺積電簽署新協(xié)議引入臺積電FinFET工藝

知名芯片設(shè)計廠商ARM公司日前與臺積電公司簽訂了一份為期多年的新協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，雙方將就使用臺積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器產(chǎn)品方面進(jìn)行合作。從新協(xié)議的有效時間看，延伸到了臺積電計劃中的20nm

模擬
2012-07-24

ARM 制程技術(shù) 臺積電 FINFET
臺積電和ARM合作范圍擴展至20納米制程以下

昨日，半導(dǎo)體代工廠臺積電和ARM達(dá)成一項多年期的合作協(xié)議，雙方合作的范圍將延續(xù)至20納米制程以下。ARM官方表示，雙方技術(shù)合作的目的，是讓ARM芯片可運用于FinFET （鰭式場效晶體管）上，讓芯片設(shè)計商能繼續(xù)拓展其在

智能硬件
2012-07-24

ARM IC 臺積電 FINFET
ARM攜手臺積公司為下一代64位ARM處理器進(jìn)行優(yōu)化

ARM與臺積公司今日共同宣布一項為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20納米工藝以下，通過臺積公司的FinFET工藝提供ARM的處理器技術(shù)，讓芯片設(shè)計商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域也能擴展其市場領(lǐng)先優(yōu)勢。此項合作將為ARMv8架構(gòu)

電子設(shè)計自動化
2012-07-24

SoC IP ARM處理器 FINFET
ARM與臺積電攜手合作對64位ARM處理器進(jìn)行優(yōu)化

2012年7月23日，ARM與臺積電共同宣布一項為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20納米工藝以下，通過臺積公司的FinFET工藝提供ARM的處理器技術(shù)，讓芯片設(shè)計商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域也能擴展其市場領(lǐng)先優(yōu)勢。此項合作將為

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2012-07-24

IP ARM處理器臺積電 FINFET
ARM與臺積電攜手合作對64位ARM處理器進(jìn)行優(yōu)化

2012年7月23日，ARM與臺積電共同宣布一項為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20納米工藝以下，通過臺積公司的FinFET工藝提供ARM的處理器技術(shù)，讓芯片設(shè)計商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域也能擴展其市場領(lǐng)先優(yōu)勢。此項合作將為

模擬
2012-07-24

IP ARM處理器臺積電 FINFET
臺積電、安謀 20nm以下再續(xù)前緣

臺積電與英商安謀（ARM）昨（23）日共同宣布一項為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20納米制程以下，藉由臺積電16納米3D架構(gòu)的鰭式場效晶體管（FinFET）制程提供ARM的處理器技術(shù)，讓芯片設(shè)計商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域

模擬
2012-07-24

ARM 芯片設(shè)計臺積電 FINFET

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inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺積電

聯(lián)電欲藉由FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先對手臺積電

拚FinFET聯(lián)電可能搶先臺積電

inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺積電

拚FinFET　聯(lián)電可能搶先臺積電

ARM與GLOBALFOUNDRIES合作推出20納米及FinFET 技術(shù)

探究下一代半導(dǎo)體芯片制造工藝之間的博弈

探究下一代半導(dǎo)體芯片制造工藝之間的博弈

拼FinFET 聯(lián)電可能搶先臺積電

ARM與臺積電合作，針對FinFET技術(shù)最佳化ARM核心

ARM與臺積公司攜手合作

ARM與臺積電合作優(yōu)化下一代64位ARM處理器FinFET工藝

ARM與臺積電簽署新協(xié)議引入臺積電FinFET工藝

ARM與臺積電將雙方合作延續(xù)至20奈米以下制程

ARM與臺積電簽署新協(xié)議引入臺積電FinFET工藝

臺積電和ARM合作范圍擴展至20納米制程以下

ARM攜手臺積公司為下一代64位ARM處理器進(jìn)行優(yōu)化

ARM與臺積電攜手合作對64位ARM處理器進(jìn)行優(yōu)化

ARM與臺積電攜手合作對64位ARM處理器進(jìn)行優(yōu)化

臺積電、安謀 20nm以下再續(xù)前緣

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