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臺積電、安謀20奈米以下再續(xù)前緣
臺積電與英商安謀（ARM）昨（23）日共同宣布一項為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20奈米制程以下，藉由臺積電16奈米3D架構(gòu)的鰭式場效電晶體（FinFET）制程提供ARM的處理器技術(shù)，讓晶片設(shè)計商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域
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臺積電大步邁進(jìn) 明年開始嘗試投產(chǎn)20nm
40nm、28nm上連續(xù)栽了兩個跟頭，全球頭號代工廠臺積電依然雄心勃勃，已經(jīng)瞄準(zhǔn)了下一站：20nm。 臺積電老大張忠謀近日就表示：“我們會在明年開始部分投產(chǎn)20nm，但只是小規(guī)模的，產(chǎn)量非常低，基本上我們稱之為風(fēng)險
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28nm先拼產(chǎn)能 臺積電毛利率恐于Q4/明年Q1落底
臺積電(2330)法說會于上周落幕，關(guān)于眾所注目的28奈米發(fā)展進(jìn)度，財務(wù)長何麗梅指出，28奈米市場需求持續(xù)強勁，預(yù)計臺積電在28奈米第3季的出貨量將較第2季翻倍、且將挹注占第3季營收成長中的80%水準(zhǔn)，可見其對臺積電營
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28nm先拼產(chǎn)能臺積電毛利率恐于Q4/明年Q1落底
臺積電 (2330)法說會于上周落幕，關(guān)于眾所注目的28 奈米發(fā)展進(jìn)度，財務(wù)長何麗梅指出，28 奈米市場需求持續(xù)強勁，預(yù)計臺積電在28 奈米第3季的出貨量將較第2季翻倍、且將挹注占第3季營收成長中的80%水準(zhǔn)，可見其對臺積
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ARM/臺積電宣布合作協(xié)議延伸至20nm以下制程
ARM(安謀)與臺積電 (2330)于今（23）日共同宣布一項為期多年的合作協(xié)議，將雙方的合作延續(xù)至20 奈米制程以下，藉由臺積電的FinFET制程提供ARM處理器技術(shù)，可讓晶片設(shè)計商在應(yīng)用處理器領(lǐng)域也能擴(kuò)展其市場領(lǐng)先優(yōu)勢。AR
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臺積電、ARM攜手合作雙方互惠為各自技術(shù)提供最佳化選擇
臺積電(2330-US)(TSM-US) 和ARM 今日宣布一項多年期的合作協(xié)議，這兩企業(yè)將就20 奈米技術(shù)合作，讓ARM 晶片可運用于FinFET (鰭式場效電晶體) 上，讓晶片設(shè)計商能繼續(xù)拓展其在應(yīng)用處理器上的領(lǐng)先優(yōu)勢。，雙方的合作將能
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美林：庫存壓力現(xiàn)臺積電下半年恐調(diào)降資本支出
臺積電(2330)董事長張忠謀昨(19)日于法說會指出，今年第4季半導(dǎo)體將面臨庫存調(diào)整，臺積電營運也將小跌一跤(dip)，要至明年第2季才會反彈。而美林證券( Merrill Lynch )也出具最新報告，指臺積電第3季合并營收將季增6
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ARM與臺積公司攜手為下一代64位ARM處理器進(jìn)行優(yōu)化
ARM與臺積公司攜手為下一代64位ARM處理器進(jìn)行優(yōu)化
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野村：缺成長動能，聯(lián)電Q3營收估季增僅0-5%
聯(lián)電 (2303)于9日公布6月營收，微幅月增0.9%來到92.89億元、年增1.13%，為去年5月以來新高，而總計聯(lián)電第2季營收則是季增16.22 %為276.2億元，亦略優(yōu)于法人先前預(yù)期的15%，表現(xiàn)亮眼。惟關(guān)于聯(lián)電后續(xù)表現(xiàn)，野村證券 (
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28nm到14nm工藝代溝，全耗盡硅技術(shù)如何彌補？
今日的半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷著若干充滿挑戰(zhàn)性的轉(zhuǎn)型過程，不過這也為Soitec為市場與客戶創(chuàng)造新增加值帶來了巨大機(jī)遇。隨著傳統(tǒng)的CMOS技術(shù)的日薄西山——這一點從28nm巨大產(chǎn)量與20nm缺乏吸引力的規(guī)格與成本就可以看出，
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28nm到14nm工藝代溝，全耗盡硅技術(shù)如何彌補？
今日的半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷著若干充滿挑戰(zhàn)性的轉(zhuǎn)型過程，不過這也為Soitec為市場與客戶創(chuàng)造新增加值帶來了巨大機(jī)遇。隨著傳統(tǒng)的CMOS技術(shù)的日薄西山——這一點從28nm巨大產(chǎn)量與20nm缺乏吸引力的規(guī)格與成本就可以看出，
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IBM授權(quán)聯(lián)電業(yè)界第二家使用3D晶體管工藝
據(jù)國外媒體報道，臺灣芯片代工大廠聯(lián)電（UMC）上周末與IBM簽署了一項協(xié)議，前者將在后者幫助下研發(fā)并推出20nm CMOS制程工藝，并引入FinFET即3D晶體管技術(shù)。 聯(lián)電官方表態(tài)稱，IBM將其20nm制程工藝整套設(shè)計和FinFET
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攜手IBM 聯(lián)電可望在晶圓代工扳回一城
聯(lián)電 ( UMC )稍早前宣布，與IBM達(dá)成協(xié)議，將加快其20nm制程及FinFET 3D 電晶體的發(fā)展，而此舉也很可能讓聯(lián)電成為唯一一家在20nm節(jié)點提供FinFET元件的純 ??晶圓代工廠。聯(lián)電正在努力扭轉(zhuǎn)局面。近年來，聯(lián)電和主要競爭
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聯(lián)電攻20奈米 杠臺積 獲IBM技術(shù)授權(quán) 加速CMOS制程開發(fā)
晶圓雙雄爭搶20奈米地盤鳴槍起跑! 晶圓代工「二哥」聯(lián)電（2303）攻進(jìn)20奈米，昨（29）日宣布已取得IBM技術(shù)授權(quán)，將以FinFET 3D電晶體，促進(jìn)次世代先進(jìn)20奈米CMOS制程開發(fā)，與最快年底試產(chǎn)的臺積互別苗頭。 聯(lián)電昨
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聯(lián)電、IBM 合攻20納米市場
晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨（29）日宣布與IBM簽訂技術(shù)授權(quán)合約，將以3D架構(gòu)的鰭式場效晶體管（FinFET），促進(jìn)次世代尖端20納米CMOS制程的開發(fā)，以加速聯(lián)電次世代尖端技術(shù)的研發(fā)時程。 根據(jù)聯(lián)電及IBM的協(xié)議，IBM將
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聯(lián)電獲IBM技術(shù)授權(quán)，20納米、finfet研發(fā)周期可望縮短
聯(lián)電(2303)今日(29日)宣布已取得IBM所授權(quán)的技術(shù)，將以finfet 3d晶體管，促進(jìn)次世代尖端20納米cmos制程的開發(fā)。雙方協(xié)議IBM將授權(quán)其20納米設(shè)計套件以及finfet技術(shù)給聯(lián)華電子，聯(lián)華電子將可運用這些技術(shù)，加快推出這些
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晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米
更快的處理器和復(fù)雜的移動設(shè)備讓芯片在實現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計逐漸延伸到40nm以下，甚至達(dá)到28nm，受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點，晶圓加工廠商仍可以在小基板上
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晶圓技術(shù)幫助實現(xiàn)更高速度和更低功耗
更快的處理器和復(fù)雜的移動設(shè)備讓芯片在實現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計逐漸延伸到40nm以下，甚至達(dá)到28nm，受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點，晶圓加工廠商仍可以在小基板上
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晶圓技術(shù)將摩爾定律延伸至20納米
更快的處理器和復(fù)雜的移動設(shè)備讓芯片在實現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計逐漸延伸到40nm以下，甚至達(dá)到28nm，受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點，晶圓加工廠商仍可以在小基板上
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晶圓技術(shù)幫助實現(xiàn)更高速度和更低功耗
更快的處理器和復(fù)雜的移動設(shè)備讓芯片在實現(xiàn)理想的性能方面有巨大壓力。隨著芯片設(shè)計逐漸延伸到40nm以下，甚至達(dá)到28nm，受晶圓的極端漏電流效應(yīng)影響，芯片良率正經(jīng)受挑戰(zhàn)。在28nm節(jié)點，晶圓加工廠商仍可以在小基板上
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