FINFET

英特爾：重構(gòu)FinFET

英特爾院士魯斯·布萊恩（Ruth Brain）稱SuperFin將重構(gòu)FinFET工藝，并表示10納米SuperFin將是英特爾有史以來(lái)最大的單節(jié)點(diǎn)內(nèi)性能提升。

FinFETs + FD-SOI 方案：可以更節(jié)省電力

俄勒岡州波特蘭市——按照我們?cè)S多人認(rèn)為的典型的非黑即白/非此即彼的方式，大多數(shù)半導(dǎo)體制造商做出的選擇是 FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)或 FD-SOI(完全耗盡的絕緣體上硅)。然而，由于臺(tái)積電 (TSMC)、GlobalFoundries Inc. (加利福尼亞州圣克拉拉市) 和三星 (韓國(guó)首爾) 等代工廠必須為其客戶提供這兩種能力，因此越來(lái)越多的半導(dǎo)體制造商正在考慮提供兩全其美。

臺(tái)積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)：終于告別FinFET

臺(tái)媒稱，三星已決定在3nm率先導(dǎo)入GAA技術(shù)，并宣稱要到2030年超過(guò)臺(tái)積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺(tái)積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術(shù)重大突破，成功找到切入GAA路徑。

英特爾第三次專利無(wú)效申請(qǐng)失?。≈锌圃何㈦娮铀俣全@勝

近日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局發(fā)出第51731號(hào)復(fù)審決定，裁定由英特爾(中國(guó))有限公司于2020年12月4日提出的，針對(duì)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所的發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體器件及其制作方法、及半導(dǎo)體鰭制作方法”(FinFET專利)的ZL201110240931.5號(hào)發(fā)明專利，維持專利權(quán)有效。這也意味著，在中科院微電子與英特爾的交鋒中，中科院微電子所再度獲勝。

Nerissa Draeger博士：全包圍柵極結(jié)構(gòu)將取代FinFET

FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開(kāi)關(guān)——制造帶來(lái)了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨的難題不斷累積，F(xiàn)inFET的效用已經(jīng)趨于極限。

車用SoC如何克服多重圖形與FinFET挑戰(zhàn)

　　在今年度的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC 2016）上，有兩款車用系統(tǒng)單芯片（SoC）成為數(shù)位處理器議程中最有趣、最大膽創(chuàng)新的芯片技術(shù)展示；它們比分別由聯(lián)發(fā)科（MediaTek）與AMD所發(fā)表

物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用帶動(dòng)FD-SOI制程快速增長(zhǎng)

　　物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用將帶動(dòng)全耗盡型（Fully Detleted）制程技術(shù)加速成長(zhǎng)。為滿足低功耗、低成本、高效能之設(shè)計(jì)需求，格羅方德（GlobalFoundries）除持續(xù)發(fā)展14納米及7納

三星將加速推動(dòng)5G商用化

5G時(shí)代即將拉開(kāi)序幕。近日，雄安新區(qū)規(guī)劃綱要落地，與雄安新區(qū)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)戰(zhàn)略息息相關(guān)的網(wǎng)絡(luò)通信基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)施千兆光纖一步到位，率先規(guī)模商用實(shí)驗(yàn)5G 。目前，中國(guó)移動(dòng)已經(jīng)完成在雄安新區(qū)首個(gè)5G-V2X自

中芯國(guó)際披露第二代14nm：性能提升20％、功耗降低60％

2019年，中芯國(guó)際量產(chǎn)了國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的14nm工藝制程，并已為華為麒麟710A處理器等進(jìn)行代工。目前，中芯國(guó)際正在回歸A股上市，計(jì)劃募資200億元，主要就是投入14nm等先進(jìn)工藝的開(kāi)發(fā)。 6月7日晚間

摩爾定律延壽數(shù)十年 FinFET晶體管發(fā)明人胡正明獲IEEE榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)?/a>

芯片制程之戰(zhàn) | 最燒錢的技術(shù)戰(zhàn)

2 020年伊始，全球半導(dǎo)體先進(jìn)制程之戰(zhàn)已然火花四射。從華為和蘋果打響7nm旗艦手機(jī)芯片第一槍開(kāi)始，7nm芯片產(chǎn)品已是百花齊放之勢(shì)，5nm芯片也將在下半年正式首秀。這些逐漸縮小的芯片 制程數(shù)字，正是全球電子產(chǎn)品整體性能不斷進(jìn)化的核心驅(qū)動(dòng)力。 通往更先進(jìn)制程

臺(tái)積電首次公布3nm工藝詳情：FinFET技術(shù) 2021年試產(chǎn)

盡管2020年全球半導(dǎo)體行業(yè)會(huì)因?yàn)橐咔閷?dǎo)致下滑，但臺(tái)積電的業(yè)績(jī)不降反升，掌握著7nm、5nm先進(jìn)工藝的他們更受客戶青睞。今天的財(cái)報(bào)會(huì)上，臺(tái)積電也首次正式宣布3nm工藝詳情，預(yù)定在2022年下半年量產(chǎn)。

重磅！中芯國(guó)際擬科創(chuàng)板上市

最新消息顯示，國(guó)內(nèi)晶圓代工龍頭中芯國(guó)際公告稱，將謀求科創(chuàng)板上市。 5月5日，中芯國(guó)際宣布公司于2020年4月30日，董事會(huì)通過(guò)決議案批準(zhǔn)建議進(jìn)行人民幣股份發(fā)行、授出特別授權(quán)及相關(guān)事宜，但需取決并受限于市況、股東于股東特別大會(huì)批準(zhǔn)以及必要的監(jiān)管批準(zhǔn)。

將入礦機(jī)行業(yè)？傳中芯國(guó)際將與“礦機(jī)大佬”合作

根據(jù)財(cái)聯(lián)社消息稱，中芯國(guó)際與嘉楠科技合作的14nm礦機(jī)芯片已完成測(cè)試，將于今年第二季度量產(chǎn)出貨。 知情人士表示，雙方合作始于2019年年底，但能否量產(chǎn)要看行情。據(jù)了解，中芯國(guó)際曾多次嘗試進(jìn)入礦機(jī)行業(yè)，但均未有實(shí)質(zhì)進(jìn)展。 今年1月，中芯國(guó)際官方表示中芯

中芯國(guó)際7nm工藝Q4季度問(wèn)世：性能提升20% 功耗降低57%

臺(tái)積電、三星今年就要量產(chǎn)5nm工藝了，國(guó)內(nèi)的先進(jìn)工藝還在追趕，最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際去年底量產(chǎn)了14nm工藝，帶來(lái)了1%的營(yíng)收，收入769萬(wàn)美元，不過(guò)該工藝技術(shù)已經(jīng)可以滿足國(guó)內(nèi)95%的需求了。 14

Achronix推出突破性的FPGA系列產(chǎn)品，以面向高帶寬數(shù)據(jù)加速應(yīng)用的靈活性而將性能提升到全新高度

Achronix半導(dǎo)體公司宣布：推出創(chuàng)新性的、全新的FPGA系列產(chǎn)品，以滿足人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）和高帶寬數(shù)據(jù)加速應(yīng)用日益增長(zhǎng)的需求。

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體崛起！這家公司年底量產(chǎn)28nm HKC+，明年量產(chǎn)14nm FinFET

華力微電子今年年底將量產(chǎn)28nm HKC+工藝，明年年底則將量產(chǎn)14nm FinFET工藝。

英特爾已準(zhǔn)備好大批量生產(chǎn)eMRAM，基于FinFET工藝

不管是DRAM內(nèi)存還是NAND閃存，最近都在跌價(jià)，今年初，集邦科技旗下的DRAMeXchange發(fā)布了2019年Q1季度DRAM內(nèi)存價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告。根據(jù)他們的報(bào)告Q1季度內(nèi)存市場(chǎng)均價(jià)跌幅將達(dá)20%，Q2

進(jìn)度加快，中芯國(guó)際14nm量產(chǎn)時(shí)間將遠(yuǎn)早于預(yù)期！

有臺(tái)灣媒體報(bào)道稱，中芯國(guó)際(SMIC)將于今年上半年開(kāi)始應(yīng)用其自主開(kāi)發(fā)的14納米FinFET制造技術(shù)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。值得注意的是，這比最初預(yù)期至少提前了幾個(gè)季度，表明中芯國(guó)際的生產(chǎn)顯然比計(jì)劃提前了。

Mentor 擴(kuò)展解決方案，以支持 TSMC 5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝技術(shù)

Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre® nmPlatform 和 Analog FastSPICE™ (AFS™) Platform 獲得 TSMC 的 7nm FinFET Plus 和最新版本的 5nm FinFET 工藝的認(rèn)證。