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14nm！三星聯(lián)合GF為蘋(píng)果造A9
近日消息，三星電子、GlobalFoundries已經(jīng)合伙拿下了高通、蘋(píng)果的未來(lái)芯片訂單，為他們服務(wù)的工藝將是下代14nm FinFET，相關(guān)代工服務(wù)將從2015年初開(kāi)始。今年四月份，三星電子宣布與GlobalFoundries達(dá)成戰(zhàn)略合作，將自
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搶先攻占IC制造商機(jī) 聯(lián)電發(fā)力14納米制程技術(shù)
【導(dǎo)讀】聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶
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Imec與新思科技擴(kuò)大合作范圍 將TCAD應(yīng)用于10nm FinFET制程
【導(dǎo)讀】比利時(shí)納米電子研發(fā)機(jī)構(gòu)愛(ài)美科(Imec)與全球晶片設(shè)計(jì)、驗(yàn)證與制造及電子系統(tǒng)軟體供應(yīng)商新思科技(Synopsys)宣布，雙方將擴(kuò)大合作范圍并將電腦輔助設(shè)計(jì)技術(shù)(Technology Computer Aided Design， TCAD)應(yīng)用于10納
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FinFET技術(shù)是電子行業(yè)的下一代前沿技術(shù)
【導(dǎo)讀】FinFET技術(shù)是電子行業(yè)的下一代前沿技術(shù)，是一種全新的新型的多門(mén)3D晶體管。和傳統(tǒng)的平面型晶體管相比，F(xiàn)inFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優(yōu)勢(shì)。英特爾已經(jīng)在22nm上使用了稱(chēng)為“三柵”的FinFET技術(shù)，
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2014年底可望看到FinFET架構(gòu)芯片?
【導(dǎo)讀】在新思科技(Synopsys)于美國(guó)硅谷舉行年度使用者大會(huì)上，參與一場(chǎng)座談會(huì)的產(chǎn)業(yè)專(zhuān)家表示，鰭式電晶體(FinFET)雖有發(fā)展?jié)摿?，但也有風(fēng)險(xiǎn)，而且該技術(shù)的最佳時(shí)機(jī)尚未達(dá)到。 摘要： 在新思科技(Synopsys)于美
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Cadence和臺(tái)積電聯(lián)手為16納米FinFET工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)架構(gòu)
【導(dǎo)讀】Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems， Inc.)(納斯達(dá)克代碼：CDNS)今日宣布與TSMC簽訂了一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)16納米FinFET技術(shù)，以其適用于移動(dòng)、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器和FPGA等諸多應(yīng)用領(lǐng)域。 摘要
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14nmFinFET制程技術(shù)助ARM提高處理器效能
【導(dǎo)讀】日前ARM已正式對(duì)外公布2013年Q1財(cái)報(bào)，營(yíng)收同樣繼續(xù)維持成長(zhǎng)，主要營(yíng)收的大多比重皆是來(lái)自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。 摘要： 日前ARM已正式對(duì)外公布2013年Q1財(cái)報(bào)，營(yíng)收同樣繼續(xù)維持成長(zhǎng)
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半導(dǎo)體行業(yè)代工競(jìng)爭(zhēng)格局復(fù)雜化
【導(dǎo)讀】臺(tái)積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開(kāi)始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺(tái)積電搶單，兩大半導(dǎo)體巨頭開(kāi)始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。目前，臺(tái)積電已誓言將加速發(fā)展先進(jìn)制程技術(shù)，希望在10n
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先鋒戰(zhàn)士賽靈思將續(xù)寫(xiě)輝煌
【導(dǎo)讀】過(guò)去2-3年，賽靈思通過(guò)業(yè)界首顆28nm FPGA——Kintex-7的發(fā)布， 引領(lǐng)業(yè)界進(jìn)入了28nm時(shí)代。 接下來(lái)，繼承我們領(lǐng)先與創(chuàng)新的優(yōu)良傳統(tǒng)，賽靈思為業(yè)界帶來(lái)了一個(gè)個(gè)業(yè)界第一的領(lǐng)先技術(shù)，在性能、功耗和集成上實(shí)現(xiàn)了
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臺(tái)積電16納米猛催油三星14納米緊跟添柴火
臺(tái)積電為讓16納米FinFET制程能成功出擊，推出升級(jí)版的16納米FinFET Plus版本，目前多數(shù)客戶(hù)都以此版本為主，近期競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子(Samsung Electronics)亦跟進(jìn)效法，同樣推出14納米升級(jí)版本LPP(Low Power Plus)，目前
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14/16納米升級(jí)版制程
臺(tái)積電和三星電子(SamsungElectronics)都針對(duì)旗下16奈米和14奈米FinFET制程推出升級(jí)改良版，臺(tái)積電發(fā)表第一個(gè)16奈米FinFET制程后，接連推出16奈米FinFETPlus版本，訴求速度更快、效能更高且更為低耗電，目前多數(shù)客戶(hù)
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臺(tái)積16納米 通吃英特爾蘋(píng)果
臺(tái)積電16奈米及InFO WLP先進(jìn)制程布局 晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）16奈米鰭式場(chǎng)效電晶體升級(jí)版（FinFET Plus）將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn)，搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝（InFO WLP）的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)，在x86及AR
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蘋(píng)果A9單 臺(tái)積可望搶贏(yíng)三星
競(jìng)爭(zhēng)激烈 【蕭文康╱臺(tái)北報(bào)導(dǎo)】近日設(shè)備商傳出，蘋(píng)果預(yù)計(jì)在2015年推出的A9處理器，原本可能由臺(tái)積電（2330）轉(zhuǎn)回三星以14奈米生產(chǎn)，但三星在20奈米良率不佳、14奈米效能不見(jiàn)得優(yōu)于臺(tái)積電16奈米PLUS之下，臺(tái)積電至少
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AMD：20nm顯卡已在開(kāi)發(fā)中
近期，英偉達(dá)曝光多款GPU核心和代號(hào)，采用28nm工藝，暫無(wú)20nm的GPU。相比英偉達(dá)，AMD公認(rèn)為制程工藝比英偉達(dá)更熟練一些，業(yè)界的猜測(cè)是他們會(huì)更早推出20nm工藝產(chǎn)品，但是AMD官方證實(shí)今年只會(huì)有28nm工藝的
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臺(tái)積電預(yù)計(jì)2014年第二季度營(yíng)收增21%-23%
據(jù)臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，全球最大的專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)公司臺(tái)積電日前宣布，其第二季度營(yíng)收預(yù)計(jì)將繼續(xù)增長(zhǎng)21%-23%，達(dá)到1800億-1830億新臺(tái)幣(約合人民幣371億-377億元)。臺(tái)積電表示，與2014年第一季度47.5%的毛利
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臺(tái)積電瘋了：今年試產(chǎn)16nm 明年進(jìn)軍10nm
昨天三星和GlobalFoundries達(dá)成協(xié)議授權(quán)后者使用三星的14nm FinFET工藝，預(yù)計(jì)今年底開(kāi)始投產(chǎn)。準(zhǔn)備進(jìn)入FinFET工藝的還有代工業(yè)老大臺(tái)積電，而且速度前所未有的塊。臺(tái)積電公告稱(chēng)他們目前已經(jīng)在試產(chǎn)16nm FinFET工藝，商
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Mentor設(shè)計(jì)和驗(yàn)證工具獲得TSMC 16nm FinFET生產(chǎn)認(rèn)證
Mentor Graphics公司宣布，其集成電路設(shè)計(jì)到制造的整套解決方案已獲得TSMC 16nm FinFET工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)和1.0版本SPICE模型認(rèn)證。 該認(rèn)證包括的工具有Calibre物理驗(yàn)證及可制造性設(shè)計(jì)(DFM)平臺(tái)、Olympus-SoC
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三星攜手GLOBALFOUNDRIES開(kāi)發(fā)14nm工藝
根據(jù)為期多年的協(xié)議，GLOBALFOUNDRIES將授權(quán)三星的14納米FinFET器件, 和三星同步使用自己在美國(guó)和韓國(guó)的晶圓廠(chǎng)制造和生產(chǎn)14nm。這是在晶圓業(yè)第一個(gè)能從20納米真實(shí)面積縮放的14納米FinFET技術(shù)，而這術(shù)
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巴克萊：蘋(píng)果采用臺(tái)積電20奈米不是一次消費(fèi)
外資巴克萊證券在臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)法說(shuō)后出具分析報(bào)告，維持目標(biāo)價(jià)160元不變，同時(shí)巴克萊資本證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陸行之在該報(bào)告中點(diǎn)出，從臺(tái)積電的回應(yīng)中推論，蘋(píng)果采用臺(tái)積電20奈米不是一次性的消費(fèi)
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不畏三星攜GF，臺(tái)積料能拿下14/16nm最大市占
根據(jù)彭博社17日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星宣示將其最先進(jìn)的14奈米FinFET技術(shù)授權(quán)予格羅方德(GlobalFoundries,GF)，而此樁全球第二大與第四大晶圓代工業(yè)者的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，也讓市場(chǎng)關(guān)注對(duì)臺(tái)積電(2330)將形成何種沖擊。關(guān)于對(duì)手在14/16奈米
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