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三星將FinFET技術(shù)授權(quán)給GlobalFoundries

4月18日消息，據(jù)路透社報(bào)道，三星電子周五表示，公司已將最新的芯片制造技術(shù)授權(quán)給美國制造商GlobalFoundries。此舉旨在幫助后者改善生產(chǎn)力，以提高其在面對(duì)像蘋果這樣的大訂單時(shí)與臺(tái)積電的競爭力。GlobalFoundries是

半導(dǎo)體
2014-04-18

三星 GLOBALFOUNDRIES FINFET 臺(tái)積電
臺(tái)積估明年CAPEX持平今年，開始10nm建置

臺(tái)積電(2330)今(17日)召開法說會(huì)，市場也聚焦臺(tái)積于資本支出CAPEX與先進(jìn)制程的最新進(jìn)展。臺(tái)積電財(cái)務(wù)長何麗梅指出，雖然此刻要估計(jì)明年資本支出CAPEX老實(shí)說還太早，不過粗估臺(tái)積明年CAPEX應(yīng)該約略與今年持平，維持在百

模擬
2014-04-17

微米 APEX FINFET 臺(tái)積電
Mentor Graphics設(shè)計(jì)和驗(yàn)證工具獲TSMC 16nm FinFET生產(chǎn)認(rèn)證

Mentor Graphics公司日前宣布，其集成電路設(shè)計(jì)到制造的整套解決方案已獲得TSMC 16nm FinFET工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(DRM)和1.0版本SPICE模型認(rèn)證。該認(rèn)證包括的工具有Calibre®物理驗(yàn)證及可制造性設(shè)計(jì)(DFM)平臺(tái)、Ol

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-04-17

TSMC MENTOR GRAPHICS FINFET
專家觀點(diǎn)：FD SOI是20奈米節(jié)點(diǎn)最佳方案

全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D SOI)是 28奈米與 20奈米半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)的最佳解決方案，主要原因是該技術(shù)與塊狀CMOS制程技術(shù)相比，其成本與泄漏電流較低，性能表現(xiàn)則更高。同樣是100mm

模擬
2014-04-08

節(jié)點(diǎn) 制程技術(shù) CMOS FINFET
Synopsys CEO談EDA下一輪浪潮

3月24日，在Synopsys公司2014年用戶大會(huì)的第一站-美國站上，Synopsys正式向業(yè)界發(fā)布了幾款重量級(jí)新產(chǎn)品，Synopsys官方稱之為業(yè)界最快的仿真系統(tǒng)ZeBu Server-3，為完整驗(yàn)證流程提供革命性技術(shù)支持的Verification Comp

消費(fèi)電子
2014-04-03

EDA CE SYNOPSYS FINFET
搶蘋果A9 臺(tái)積電推16nm FinFET+

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電(TSMC )可能改進(jìn)16nm代工業(yè)務(wù)，增加兩個(gè)更先進(jìn)的工藝，從而與英特爾和三星電子的14nm代工業(yè)務(wù)競爭。根據(jù)臺(tái)積電原本路線圖，16nm FinFET工藝有望在2014年底試生產(chǎn)，但是，現(xiàn)在臺(tái)積電決定在年底

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-04-03

蘋果 TSMC FINFET 臺(tái)積電
FinFET并非半導(dǎo)體演進(jìn)最優(yōu)選擇下一代芯片降價(jià)難

在歷史上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來的晶體管成本下降；但下一代芯片恐怕不會(huì)再伴隨著成本下降，這將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴(yán)重挑戰(zhàn)。具體來說，新一代的20納米塊狀高介電金屬柵極(

半導(dǎo)體
2014-04-02

半導(dǎo)體芯片節(jié)點(diǎn) FINFET
專家：FinFET并非半導(dǎo)體演進(jìn)最佳選項(xiàng)

在歷史上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來的電晶體成本下降；但下一代晶片恐怕不會(huì)再伴隨著成本下降，這將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴(yán)重挑戰(zhàn)。具體來說，新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極

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2014-04-01

半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn) CMOS FINFET
英特爾三星14納米來勢洶洶臺(tái)積電迎戰(zhàn)

全球半導(dǎo)體大廠臺(tái)積電、英特爾(Intel)及三星電子(SamsungElectronics)在10納米級(jí)多重閘極3D架構(gòu)的鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)展開激烈競爭，三星和英特爾為確保14納米FinFET技術(shù)領(lǐng)先，紛準(zhǔn)備投入量產(chǎn)，臺(tái)積電則致力于

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-03-31

英特爾三星 FINFET 臺(tái)積電
英特爾、三星14納米來勢洶洶

訊：全球半導(dǎo)體大廠臺(tái)積電、英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)在10納米級(jí)多重閘極3D架構(gòu)的鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)展開激烈競爭，三星和英特爾為確保14納米FinFET技術(shù)領(lǐng)先，紛準(zhǔn)備投入量產(chǎn)，臺(tái)

半導(dǎo)體
2014-03-28

英特爾應(yīng)用處理器三星 FINFET
英特爾、三星14納米來勢洶洶臺(tái)積電16納米迎戰(zhàn)

全球半導(dǎo)體大廠臺(tái)積電、英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)在10納米級(jí)多重閘極3D架構(gòu)的鰭式場效電晶體(FinFET)技術(shù)展開激烈競爭，三星和英特爾為確保14納米FinFET技術(shù)領(lǐng)先，紛準(zhǔn)備投入量產(chǎn)，臺(tái)積電則致力

半導(dǎo)體
2014-03-28

英特爾三星 FINFET 臺(tái)積電
臺(tái)積電市值挑戰(zhàn)千億美元大和證升目標(biāo)價(jià)

日商大和證券昨(11)日指出，臺(tái)積電(2330)第一季營收可望優(yōu)于財(cái)測，且目前20奈米良率已達(dá)50%至60%，優(yōu)于三星(005930-KR)，代表量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)會(huì)較三星提早一季，預(yù)估第二季營收成長率可達(dá)20%，市值更有望挑戰(zhàn)千億美元。故

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2014-03-19

晶片三星 FINFET 臺(tái)積電
Cadence物理驗(yàn)證系統(tǒng)通過GF 65nm至14nm FinFET制程認(rèn)證

重點(diǎn)：· 認(rèn)證確保精確性方面不受影響，并包含用于65納米至14納米FinFET制程的物理驗(yàn)證簽收的先進(jìn)技術(shù)· 雙方共同的客戶可通過它與Cadence Virtuoso及Encounter平臺(tái)的無縫集成進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證版圖21

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-03-13

CADENCE VIRTUOSO 65NM FINFET
Cadence物理驗(yàn)證系統(tǒng)通過FinFET制程認(rèn)證

重點(diǎn)：·認(rèn)證確保精確性方面不受影響，并包含用于65納米至14納米FinFET制程的物理驗(yàn)證簽收的先進(jìn)技術(shù)·雙方共同的客戶可通過它與CadenceVirtuoso及Encounter平臺(tái)的無縫集成進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證版圖全球電

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-03-13

CADENCE COUNTER SYSTEM FINFET
7nm之后晶體管技術(shù)何去何從？

FinFET晶體管大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會(huì)持續(xù)多久和為什么要替代他們？在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FDSOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮

半導(dǎo)體
2014-03-04

晶體管量子柵極 FINFET
7nm之后晶體管技術(shù)何去何從？

FinFET晶體管大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會(huì)持續(xù)多久和為什么要替代他們？在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FDSOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮

模擬
2014-03-04

晶體管量子柵極 FINFET
FinFET工藝之后晶體管技術(shù)何去何從？

大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會(huì)持續(xù)多久和為什么要替代他們?在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FDSOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節(jié)點(diǎn)

消費(fèi)電子
2014-02-28

晶體管量子柵極 FINFET
臺(tái)積電16納米賽靈思力挺

賽靈思（Xilinx）繼日前宣布旗下首款20納米FPGA系列產(chǎn)品，已在臺(tái)積電（2330）投片量產(chǎn)，并由臺(tái)積電獨(dú)享代工大單后，昨（26）日又宣布完成全球首顆采用16納米FinFET（鰭式場效晶體管）的FPGA產(chǎn)品，力挺臺(tái)積電16納米制

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2014-02-27

FPGA 賽靈思 FINFET 臺(tái)積電
ARM與臺(tái)積電攜手完成16nm FinFET工藝測試年內(nèi)客戶或超20家

對(duì)于英特爾來說，要想在移動(dòng)芯片市場多分得一杯羹，就需要借助其更加先進(jìn)的制造能力的優(yōu)勢。而今日宣布的新款A(yù)tom SoCs——舉例來說——即基于22nm的3D或“三柵極晶體管”工藝。與傳統(tǒng)的(基于平面晶體管結(jié)構(gòu)的)芯片相

消費(fèi)電子
2014-02-26

ARM TSMC FINFET 臺(tái)積電
ARM與臺(tái)積電攜手完成16nm FinFET工藝測試

對(duì)于英特爾來說，要想在移動(dòng)芯片市場多分得一杯羹，就需要借助其更加先進(jìn)的制造能力的優(yōu)勢。而今日宣布的新款A(yù)tom SoCs——舉例來說——即基于22nm的3D或“三柵極晶體管”工藝。與傳統(tǒng)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-02-26

ARM MDASH FINFET 臺(tái)積電

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FINFET

三星將FinFET技術(shù)授權(quán)給GlobalFoundries

臺(tái)積估明年CAPEX持平今年，開始10nm建置

Mentor Graphics設(shè)計(jì)和驗(yàn)證工具獲TSMC 16nm FinFET生產(chǎn)認(rèn)證

專家觀點(diǎn)：FD SOI是20奈米節(jié)點(diǎn)最佳方案

Synopsys CEO談EDA下一輪浪潮

搶蘋果A9 臺(tái)積電推16nm FinFET+

FinFET并非半導(dǎo)體演進(jìn)最優(yōu)選擇下一代芯片降價(jià)難

專家：FinFET并非半導(dǎo)體演進(jìn)最佳選項(xiàng)

英特爾三星14納米來勢洶洶臺(tái)積電迎戰(zhàn)

英特爾、三星14納米來勢洶洶

英特爾、三星14納米來勢洶洶臺(tái)積電16納米迎戰(zhàn)

臺(tái)積電市值挑戰(zhàn)千億美元大和證升目標(biāo)價(jià)

Cadence物理驗(yàn)證系統(tǒng)通過GF 65nm至14nm FinFET制程認(rèn)證

Cadence物理驗(yàn)證系統(tǒng)通過FinFET制程認(rèn)證

7nm之后晶體管技術(shù)何去何從？

7nm之后晶體管技術(shù)何去何從？

FinFET工藝之后晶體管技術(shù)何去何從？

臺(tái)積電16納米賽靈思力挺

ARM與臺(tái)積電攜手完成16nm FinFET工藝測試年內(nèi)客戶或超20家

ARM與臺(tái)積電攜手完成16nm FinFET工藝測試

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