Mentor Graphics 宣布 AFS 平臺(tái)、AFS Mega 和多個(gè) Calibre® 產(chǎn)品已獲得 TSMC 16FFC FinFET V1.0 以及 TSMC 7nm FinFET 最新的 DRM 和 SPICE 版本的工藝技術(shù)和參考流程的認(rèn)證。此外,Mentor Graphics 還對(duì) Calibre 產(chǎn)品進(jìn)行了優(yōu)化和擴(kuò)展,從而可支持成熟制程上的全新的設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術(shù)為其最先進(jìn)的工藝。Intel 在 22 nm 節(jié)點(diǎn)上采用該晶體管,TSMC 在其 16 nm 工藝上使用,而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中。
安謀(ARM)與臺(tái)積電共同宣布一項(xiàng)為期多年的協(xié)議,針對(duì)7奈米FinFET制程技術(shù)進(jìn)行合作,包括支援未來(lái)低功耗、高效能運(yùn)算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設(shè)計(jì)解決方案。 這項(xiàng)協(xié)議延續(xù)先前采用
ARM宣布首款采用臺(tái)積電(TSMC) 10奈米FinFET制程技術(shù)的多核心64位元ARMRv8-A處理器測(cè)試晶片問(wèn)世......
隨著英特爾、三星和臺(tái)積電全面量產(chǎn)14/16納米工藝,且積極朝10納米、7納米邁進(jìn),半導(dǎo)體技術(shù)已正式跨入FinFET時(shí)代。不過(guò),F(xiàn)inFET工藝節(jié)點(diǎn)無(wú)論在設(shè)計(jì)上,還是制造端,都對(duì)工程師提出更多挑戰(zhàn),特別是模擬與數(shù)字的混合電
亮點(diǎn):· Custom Compiler通過(guò)了TSMC的10nm和7nm FinFET工藝技術(shù)認(rèn)證· Custom Compiler支持軌跡模式和全著色流程等新FinFET要求· Custom Compiler支持行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的iPDK,可以基于大量TSMC工藝技術(shù)
亮點(diǎn):· Template Assistants幫助設(shè)計(jì)人員復(fù)用現(xiàn)有定制版圖知識(shí)累積· In-Design Assistants內(nèi)建設(shè)計(jì)規(guī)則檢查與寄生參數(shù)提取引擎,減少迭代次數(shù)· Layout Assistants采用用戶指導(dǎo)的版圖與繞線,提
新思科技(Synopsys, Inc.,納斯達(dá)克股票代碼:SNPS)日前宣布:TSMC已經(jīng)按照Synopsys的IC Compiler™ II布局及布線解決方案,完成了在其最先進(jìn)的10-納米(nm)級(jí)FinFET v1.0技術(shù)節(jié)點(diǎn)上運(yùn)行Synopsys數(shù)字、驗(yàn)收及自定
Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼:MENT)今天宣布,借由完成 TSMC 10 納米FinFET V1.0 認(rèn)證,進(jìn)一步增強(qiáng)和優(yōu)化Calibre®平臺(tái)和Analog FastSPICE™ (AFS)平臺(tái)。除此之外,Calibre 和 Analog FastSPICE 平臺(tái)已
ARM和臺(tái)積電宣布簽訂針對(duì)7納米 FinFET工藝技術(shù)的長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作協(xié)議,涵蓋了未來(lái)低功耗,高性能計(jì)算SoC的設(shè)計(jì)方案。該合作協(xié)議進(jìn)一步擴(kuò)展了雙方的長(zhǎng)期合作關(guān)系,并將領(lǐng)先的工藝技術(shù)從移動(dòng)手機(jī)延伸至下一代網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)
21ic訊 賽靈思公司今天宣布其 Virtex® UltraScale+™ FPGA面向首批客戶開始發(fā)貨,這是業(yè)界首款采用臺(tái)積公司(TSMC)16FF+工藝制造的高端FinFET FPGA。賽靈思在Ultra
三星在大約兩周前披露了其下一代Exynos 8 Octa SoC,而現(xiàn)在,該公司又宣布了Exynos 8890將會(huì)是該家族首款成員的消息。
最近,臺(tái)積電悄然推出了其16nm工藝的第三個(gè)版本:16nm FinFET Compact(16FFC)。2014年底,臺(tái)積電宣布了16nm FinFET(16FF)工藝,第一個(gè)客戶就是華為海思。2015年上半年又新增了16nm FinFET Plus(16FF+),主要面向高性
最近在亞洲果迷們最沸沸揚(yáng)揚(yáng)的議題,非“iPhone6s臺(tái)積電與三星A9處理器的效能與續(xù)航力效能差異莫屬。網(wǎng)友針對(duì)臺(tái)積電與三星代工的A9處理器做測(cè)試,在效能的跑分或是手機(jī)的續(xù)航力表現(xiàn),16納米的臺(tái)積電A9處理器明顯贏過(guò)14納米的Samsung A9處理器(測(cè)試狀況詳見這里 ),雖然蘋果官方已表示不同代工廠出貨的A9芯片都符合Apple標(biāo)準(zhǔn),根據(jù)官方測(cè)試實(shí)際電池續(xù)航力,兩者差異僅在2-3%之間,不過(guò)似乎無(wú)法平息亞洲地區(qū)果迷們的疑慮,香港果粉甚至已醞釀?chuàng)Q機(jī)或退機(jī)風(fēng)潮。
為了深度剖析新 iPhone 的內(nèi)部配置,在iPhone 6s系列上市后的數(shù)天內(nèi)它們就已經(jīng)被拆解完畢了,內(nèi)部的一些硬件細(xì)節(jié)也被公諸于世,除了電池、內(nèi)存等已經(jīng)確認(rèn)外,現(xiàn)在還發(fā)現(xiàn) A9 處理器竟然有兩個(gè)不同的版本。
近日, Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼:MENT)今天宣布,Calibre® nmPlatform已通過(guò)TSMC 10nm FinFET V0.9 工藝認(rèn)證。此外,Mentor® Analog FastSPICE™ 電路驗(yàn)證平臺(tái)已完成了電路級(jí)和器件級(jí)認(rèn)證,O
摩爾定律是什么?為什么引眾多半導(dǎo)體廠商競(jìng)相競(jìng)技、追逐。摩爾定律是由英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來(lái)的。其內(nèi)容為:當(dāng)價(jià)格不變時(shí),集成電路上可容納的元器件的數(shù)目,約每隔18-24個(gè)月
AMD今天度第二季度業(yè)績(jī)前景進(jìn)行了展望,不是很樂(lè)觀,收入可能會(huì)下滑8%至大約9.5億美元,比此前預(yù)計(jì)的下滑3%嚴(yán)重很多,同時(shí)非GAAP毛利率僅28%。更有趣的是,AMD在展望中透露了一些工藝方面的變化。本來(lái)呢,GF 32nm、
現(xiàn)在主要的代工廠都在生產(chǎn)FinFET晶體管,這些FinFET以創(chuàng)紀(jì)錄的速度實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)到現(xiàn)貨產(chǎn)品的轉(zhuǎn)變。FinFET的發(fā)展普及一直都比較穩(wěn)定,因?yàn)榕c平面器件相比,它們可以提供更低的功耗、更高的性能和更小的面積。這使得FinFET對(duì)智能手機(jī)、平板電腦及要求長(zhǎng)電池壽命和高性能的其他產(chǎn)品來(lái)說(shuō)極具吸引力。
半導(dǎo)體供應(yīng)鏈正面臨越來(lái)越多的挑戰(zhàn),但10nm節(jié)點(diǎn)將有更大的機(jī)會(huì)能夠從新技術(shù)制程的微縮中獲得更大的好處。根據(jù)國(guó)際商業(yè)策略(IBS)的分析預(yù)計(jì),20nm和16/14nm制程的閘極成本將會(huì)比上一代技術(shù)更高。而針對(duì)10nm閘極成本的