FINFET

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Synopsys攜手臺(tái)積電擴(kuò)大客制化設(shè)計(jì)合作至16nm制程

新思科技(Synopsys)宣布，新思科技的Laker客制化設(shè)計(jì)解決方案，通過(guò)臺(tái)積電16奈米FinFET制程設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(Design Rule Manual， DRM)第0.5版認(rèn)證，同時(shí)，也將納入臺(tái)積電16nm可相互操作制程設(shè)計(jì)套件(interoperable pro

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-12-09

SYNOPSYS 臺(tái)積電新思科技 FINFET
臺(tái)積/Synopsys擴(kuò)大客制化設(shè)計(jì)合作至16nm制程

全球晶片設(shè)計(jì)及電子系統(tǒng)軟體暨IP領(lǐng)導(dǎo)廠商新思科技(Synopsys)宣布，新思科技的Laker客制化設(shè)計(jì)解決方案，通過(guò)臺(tái)積電(2330)16奈米FinFET制程設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(Design Rule Manual， DRM)第0.5版認(rèn)證，同時(shí)，也將納入臺(tái)積電

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2013-12-09

SYNOPSYS 臺(tái)積電新思科技 FINFET
臺(tái)積/Synopsys擴(kuò)大客制化設(shè)計(jì)合作至16nm制程

全球晶片設(shè)計(jì)及電子系統(tǒng)軟體暨IP領(lǐng)導(dǎo)廠商新思科技(Synopsys)宣布，新思科技的Laker客制化設(shè)計(jì)解決方案，通過(guò)臺(tái)積電(2330)16奈米FinFET制程設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)(Design Rule Manual， DRM)第0.5版認(rèn)證，同時(shí)，也將納入臺(tái)積電

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2013-12-06

SYNOPSYS 臺(tái)積電新思科技 FINFET
臺(tái)積電談尖端工藝：16nm FinFET芯片的開(kāi)發(fā)訂單數(shù)已超過(guò)20nm

臺(tái)積電從20nm級(jí)開(kāi)始只采用一種工藝。在20nm以前的級(jí)別中，會(huì)根據(jù)用途準(zhǔn)備多種工藝，比如，28nm就有“HP”、“HPM”、“HPL”以及“LP”工藝。而20nm只有“20SOC”一種工藝。據(jù)介紹，20SOC是在28nm工藝中備受好評(píng)的、

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2013-12-03

芯片 AN 臺(tái)積電 FINFET
臺(tái)積拿回阿爾特拉訂單

業(yè)界傳出，受英特爾先進(jìn)制程進(jìn)度不如預(yù)期影響，今年初「變心」轉(zhuǎn)單英特爾的臺(tái)積電老客戶阿爾特拉（Altera），近期回頭找臺(tái)積電支持，使得臺(tái)積電先進(jìn)制程面臨「爆單」，最快明年第2季展現(xiàn)業(yè)績(jī)強(qiáng)勁爆發(fā)力。隨著大客

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2013-12-02

英特爾先進(jìn)制程臺(tái)積電 FINFET
臺(tái)積電談尖端工藝：16nm FinFET芯片的開(kāi)發(fā)訂單數(shù)已超過(guò)20nm

臺(tái)積電從20nm級(jí)開(kāi)始只采用一種工藝。在20nm以前的級(jí)別中，會(huì)根據(jù)用途準(zhǔn)備多種工藝，比如，28nm就有“HP”、“HPM”、“HPL”以及“LP”工藝。而20nm只有“20SOC”一種工藝。據(jù)介紹，20SOC是在28nm工藝中備受好評(píng)的、

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2013-12-02

芯片 AN 臺(tái)積電 FINFET
研究人員開(kāi)發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導(dǎo)體

比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化合物

消費(fèi)電子
2013-11-13

半導(dǎo)體 CMOS AN FINFET
新開(kāi)發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。隨著

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-11-13

半導(dǎo)體 CMOS AN FINFET
研究人員開(kāi)發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導(dǎo)體

比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化合物

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2013-11-12

半導(dǎo)體 CMOS AN FINFET
IMEC新開(kāi)發(fā)整合III-V族與矽晶的3D FinFET半導(dǎo)體

訊：比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化

半導(dǎo)體
2013-11-12

半導(dǎo)體 CMOS AN FINFET
新開(kāi)發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮 CMOS 至 7nm 及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合 CMOS-RF 與 CMOS 光電元件的化

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2013-11-11

半導(dǎo)體晶片 CMOS FINFET
三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻

硅半導(dǎo)體工藝的極限在哪里?至少短期內(nèi)，各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm，更遙遠(yuǎn)的10nm也早早被列上了議事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管)，去年底就已經(jīng)取得重大突破，完成了

消費(fèi)電子
2013-11-08

三星光刻紫外光 FINFET
三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻

硅半導(dǎo)體工藝的極限在哪里?至少短期內(nèi)，各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm，更遙遠(yuǎn)的10nm也早早被列上了議事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管)，去年底就已經(jīng)取得重大突破，完成了

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2013-11-07

三星光刻紫外光 FINFET
三星正在研究10nm工藝同時(shí)初步嘗試EUV技術(shù)

硅半導(dǎo)體工藝的極限在哪里？至少短期內(nèi)，各大廠商都還在發(fā)力沖刺。除了即將量產(chǎn)的20nm、16nm、14nm，更遙遠(yuǎn)的10nm也早早被列上了議事日程。三星的下一步是14nm FinFET(立體晶體管)，去年底就已經(jīng)取得重大突破，

半導(dǎo)體
2013-11-07

三星 ARM EUV FINFET
臺(tái)積電工業(yè)：晶圓20nm已投產(chǎn)16nm正研發(fā)

訊：臺(tái)積電將在2014年初批量投產(chǎn)20nm工藝，并已完成多款產(chǎn)品的流片，而一年之后就會(huì)再量產(chǎn)16nm FinFET。今日臺(tái)積電又首次向公眾展示了這兩代工藝下的最新晶圓。這是20nm SoC工藝的晶圓。我們知道，臺(tái)積電的20n

半導(dǎo)體
2013-11-07

晶圓 SoC 臺(tái)積電 FINFET
臺(tái)積電晶圓展：20nm已投產(chǎn) 16nm正研發(fā)

臺(tái)積電將在2014年初批量投產(chǎn)20nm工藝，并已完成多款產(chǎn)品的流片，而一年之后就會(huì)再量產(chǎn)16nm FinFET。今日臺(tái)積電又首次向公眾展示了這兩代工藝下的最新晶圓。這是20nm SoC工藝的晶圓。我們知道，臺(tái)積電的20nm分為兩種版

半導(dǎo)體
2013-11-06

晶圓 SoC 臺(tái)積電 FINFET
Imec首次在300mm晶圓上實(shí)現(xiàn)三五族化合物FinFET器件

Imec Demonstrates World’s First III-V FinFET Devices Monolithically Integrated on 300mm Silicon Wafers Technology Achievement Marks Significant Step Towards Monolithic Heterogeneous Integration an

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2013-11-06

器件晶圓 Silicon FINFET
先進(jìn)工藝競(jìng)爭(zhēng)加劇各大巨頭紛紛出招應(yīng)對(duì)

摩爾定律遇到瓶頸、先進(jìn)工藝投資如同“無(wú)底洞”，代工廠在先進(jìn)工藝的巨大投入與回報(bào)之間如何取舍，在性能、成本、尺寸之間如何權(quán)衡，選擇哪一種道路持續(xù)精進(jìn)，或許未來(lái)的格局就在今時(shí)的選擇埋下伏筆。大陸

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-11-04

聯(lián)電微電子節(jié)點(diǎn) FINFET
FD SOI與FinFET的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)之戰(zhàn)

FD SOI（全耗盡型SOI）最近重新進(jìn)入業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。Intel、TSMC等企業(yè)已決定在22、14nm節(jié)點(diǎn)走向FinFET之路；而作為FD SOI技術(shù)的主要支持者，如IBM、STMicroelectronics、GlobalFoundries等，認(rèn)為在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上FD SOI

消費(fèi)電子
2013-11-01

節(jié)點(diǎn) 絕緣 CMOS FINFET
博通推伺服器級(jí)多核CPU 采16奈米FinFET制程

網(wǎng)通晶片大廠博通(Broadcom)宣布，推出次世代多核心處理器，採(cǎi)用業(yè)界最高效能64位元ARM核心，并將採(cǎi)先進(jìn)的16奈米FinFET製程生產(chǎn)。博通指出，是利用ARMv8-A架構(gòu)授權(quán)，開(kāi)發(fā)出此款創(chuàng)新的CPU處理器，為網(wǎng)路功能虛擬化(Ne

半導(dǎo)體
2013-10-25

CPU 博通 ARM FINFET

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FINFET

Synopsys攜手臺(tái)積電擴(kuò)大客制化設(shè)計(jì)合作至16nm制程

臺(tái)積/Synopsys擴(kuò)大客制化設(shè)計(jì)合作至16nm制程

臺(tái)積/Synopsys擴(kuò)大客制化設(shè)計(jì)合作至16nm制程

臺(tái)積電談尖端工藝：16nm FinFET芯片的開(kāi)發(fā)訂單數(shù)已超過(guò)20nm

臺(tái)積拿回阿爾特拉訂單

臺(tái)積電談尖端工藝：16nm FinFET芯片的開(kāi)發(fā)訂單數(shù)已超過(guò)20nm

研究人員開(kāi)發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導(dǎo)體

新開(kāi)發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

研究人員開(kāi)發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導(dǎo)體

IMEC新開(kāi)發(fā)整合III-V族與矽晶的3D FinFET半導(dǎo)體

新開(kāi)發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻

三星正在研究10nm工藝：終上極紫外光刻

三星正在研究10nm工藝同時(shí)初步嘗試EUV技術(shù)

臺(tái)積電工業(yè)：晶圓20nm已投產(chǎn)16nm正研發(fā)

臺(tái)積電晶圓展：20nm已投產(chǎn) 16nm正研發(fā)

Imec首次在300mm晶圓上實(shí)現(xiàn)三五族化合物FinFET器件

先進(jìn)工藝競(jìng)爭(zhēng)加劇各大巨頭紛紛出招應(yīng)對(duì)

FD SOI與FinFET的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)之戰(zhàn)

博通推伺服器級(jí)多核CPU 采16奈米FinFET制程

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