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緊追臺(tái)積電格羅方德推14奈米結(jié)合20奈米LPM

不讓臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)專美于前。GLOBALFOUNDRIES(格羅方德)今(21)日宣布推出專為成長(zhǎng)快速的行動(dòng)市場(chǎng)所設(shè)計(jì)的新技術(shù)14nm-XM，加速其頂尖的發(fā)展藍(lán)圖并采優(yōu)化新世代行動(dòng)裝置的FinFET電晶體架構(gòu)；并結(jié)合將量產(chǎn)的2

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2012-09-21

臺(tái)積電格羅方德 FINFET GLOBALFOUNDRIES
臺(tái)積電2013年將采用FinFET技術(shù) 打造16/10nm制程

臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開(kāi)。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-09-12

先進(jìn)制程 EUV 臺(tái)積電 FINFET
先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10nm搶先開(kāi)火

臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開(kāi)。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun

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2012-09-10

先進(jìn)制程 EUV 臺(tái)積電 FINFET
先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10奈米搶先開(kāi)火

臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開(kāi)。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18吋(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun

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2012-09-08

先進(jìn)制程 EUV 臺(tái)積電 FINFET
先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10nm搶先開(kāi)火

臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開(kāi)。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18寸(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun

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2012-09-07

先進(jìn)制程 EUV 臺(tái)積電 FINFET
先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10奈米搶先開(kāi)火

臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開(kāi)。除20奈米(nm)已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體(FinFET)技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18吋(450mm)晶圓樣品制造設(shè)備，全力防堵三星(Samsun

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2012-09-07

先進(jìn)制程 EUV 臺(tái)積電 FINFET
臺(tái)積電20奈米將量產(chǎn) 股價(jià)息缺口即將完封

重量級(jí)權(quán)值股臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)昨收84.0元，這近兩個(gè)月來(lái)漫長(zhǎng)的填息之路只差2毛距離，股價(jià)即將完封除息缺口。而費(fèi)半指數(shù)昨收跌0.85%，臺(tái)積電ADR重挫0.21%。針對(duì)臺(tái)積電技術(shù)新進(jìn)展，臺(tái)積電研發(fā)副總林本堅(jiān)表示，2

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2012-09-05

Intel ASML 臺(tái)積電 FINFET
臺(tái)積電18吋晶圓2018量產(chǎn)

臺(tái)灣國(guó)際半導(dǎo)體展（SEMICON Taiwan）今（5）日開(kāi)幕，18吋晶圓成為市場(chǎng)焦點(diǎn)，臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)副總經(jīng)理王建光昨（4）日出席半導(dǎo)體展前記者會(huì)時(shí)表示，臺(tái)積電已做好導(dǎo)入18吋晶圓規(guī)劃，預(yù)計(jì)2018年量產(chǎn)，屆時(shí)導(dǎo)入的技術(shù)將以10奈

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2012-09-05

晶圓 EUV 臺(tái)積電 FINFET
臺(tái)積電20奈米將量產(chǎn)股價(jià)息缺口即將完封

重量級(jí)權(quán)值股臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)昨收84.0元，這近兩個(gè)月來(lái)漫長(zhǎng)的填息之路只差2毛距離，股價(jià)即將完封除息缺口。而費(fèi)半指數(shù)昨收跌0.85%，臺(tái)積電ADR重挫0.21%。針對(duì)臺(tái)積電技術(shù)新進(jìn)展，臺(tái)積電研發(fā)副總林本堅(jiān)表示，2

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2012-09-05

Intel ASML 臺(tái)積電 FINFET
世界代工業(yè)的發(fā)展和成本提高

世界晶圓代工業(yè)進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)盡管有所起伏，但自2010年達(dá)到約300億美元的規(guī)模以后，將邁向連年上升的態(tài)勢(shì)，2011年增長(zhǎng)6.4%，近320億美元，預(yù)計(jì)今年將加速成長(zhǎng)15%，達(dá)約365億美元，并期望2018年可成長(zhǎng)到630億美元，2

消費(fèi)電子
2012-08-20

節(jié)點(diǎn) CMOS TRANSISTOR FINFET
世界代工業(yè)的發(fā)展和成本提高

世界晶圓代工業(yè)進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)盡管有所起伏，但自2010年達(dá)到約300億美元的規(guī)模以后，將邁向連年上升的態(tài)勢(shì)，2011年增長(zhǎng)6.4%，近320億美元，預(yù)計(jì)今年將加速成長(zhǎng)15%，達(dá)約365億美元，并期望2018年可成長(zhǎng)到630億美元，2

消費(fèi)電子
2012-08-20

節(jié)點(diǎn) CMOS TRANSISTOR FINFET
左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國(guó)際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

消費(fèi)電子
2012-08-17

ARM IP 格羅方德 FINFET
左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國(guó)際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

消費(fèi)電子
2012-08-17

ARM IP 格羅方德 FINFET
左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國(guó)際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

單片機(jī)
2012-08-16

ARM IP 格羅方德 FINFET
ARM與GLOBALFOUNDRIES合作推出新一代20nm及FinFET 技術(shù)

GLOBALFOUNDRIES和 ARM 近日宣布已簽訂了一份多年期協(xié)議，旨在為采用GLOBALFOUNDRIE 20納米與FinFET工藝的 ARM 處理器設(shè)計(jì)提供優(yōu)化的系統(tǒng)級(jí)芯片 (SoC) 解決方案。該協(xié)議將進(jìn)一步拓展雙方長(zhǎng)期合作關(guān)系，并將合作領(lǐng)域擴(kuò)

消費(fèi)電子
2012-08-15

ARM IP FINFET GLOBALFOUNDRIES
ARM與GLOBALFOUNDRIES合作推出新一代20nm及FinFET 技術(shù)

GLOBALFOUNDRIES和 ARM 近日宣布已簽訂了一份多年期協(xié)議，旨在為采用GLOBALFOUNDRIE 20納米與FinFET工藝的 ARM 處理器設(shè)計(jì)提供優(yōu)化的系統(tǒng)級(jí)芯片 (SoC) 解決方案。該協(xié)議將進(jìn)一步拓展雙方長(zhǎng)期合作關(guān)系，并將合作領(lǐng)域擴(kuò)

消費(fèi)電子
2012-08-15

ARM IP FINFET GLOBALFOUNDRIES
ARM與芯片工廠合伙攻關(guān)20nmFinFET工藝

ARM、GlobalFoundries今天聯(lián)合宣布達(dá)成多年合作協(xié)議，將會(huì)攜手致力于ARM SoC處理器在GlobalFoundries 20nm工藝和FinFET技術(shù)上的優(yōu)化制造，同時(shí)還會(huì)在Mali圖形核心方面加強(qiáng)合作。芯片（圖片來(lái)源于驅(qū)動(dòng)之家）

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2012-08-15

芯片 ARM FINFET GLOBALFOUNDRIES
左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國(guó)際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

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2012-08-15

ARM IP 格羅方德 FINFET
左擁臺(tái)積右抱格羅方德ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國(guó)際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)

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2012-08-15

ARM IP 格羅方德 FINFET
inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺(tái)積電

在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺(tái)積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術(shù)，領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起 FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最快在

消費(fèi)電子
2012-08-14

聯(lián)電 FET 臺(tái)積電 FINFET

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緊追臺(tái)積電格羅方德推14奈米結(jié)合20奈米LPM

臺(tái)積電2013年將采用FinFET技術(shù) 打造16/10nm制程

先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10nm搶先開(kāi)火

先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10奈米搶先開(kāi)火

先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10nm搶先開(kāi)火

先進(jìn)制程沖第一臺(tái)積電16/10奈米搶先開(kāi)火

臺(tái)積電20奈米將量產(chǎn) 股價(jià)息缺口即將完封

臺(tái)積電18吋晶圓2018量產(chǎn)

臺(tái)積電20奈米將量產(chǎn)股價(jià)息缺口即將完封

世界代工業(yè)的發(fā)展和成本提高

世界代工業(yè)的發(fā)展和成本提高

左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

ARM與GLOBALFOUNDRIES合作推出新一代20nm及FinFET 技術(shù)

ARM與GLOBALFOUNDRIES合作推出新一代20nm及FinFET 技術(shù)

ARM與芯片工廠合伙攻關(guān)20nmFinFET工藝

左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

左擁臺(tái)積右抱格羅方德ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺(tái)積電

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