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GlobalFoundries擴(kuò)產(chǎn) 狠砸44億美元
彭博社報(bào)導(dǎo)，隨著智慧型手機(jī)和平板電腦需求攀升，晶圓代工廠格羅方德半導(dǎo)體公司（GlobalFoundries Inc.）今年計(jì)劃斥資44億美元擴(kuò)產(chǎn)。 格羅方德發(fā)言人金波（Kevin Kimball）15日透過電郵表示：「我們在德國、新加坡
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記憶體芯片 代工廠和LED市場成為東南亞Fab支出驅(qū)動(dòng)力
對于東南亞的設(shè)備和材料供應(yīng)商來說，美光半導(dǎo)體在NAND和Flash的新增支出，飛利浦和歐司朗，GLOBALFOUNDRIES的持續(xù)投資將會(huì)給他們創(chuàng)造很多新的機(jī)會(huì)。東南亞地區(qū)固定設(shè)備支出在2013年下半年會(huì)略有提升，在2014年會(huì)有較
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海灣投資者將加大與芯片制造商的競爭力度
【賽迪網(wǎng)訊】4月13日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，數(shù)年來，臺(tái)積電（TSMC）及規(guī)模較小的聯(lián)電(UMC)占據(jù)了合同芯片加工產(chǎn)業(yè)三分之二的市場份額。 如今，這兩家上市公司恐怕要開始感覺到壓力了，其競爭對手格羅方德(GLOBALFOU
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GlobalFoundries宣布取得20nm技術(shù)關(guān)鍵性突破
在半導(dǎo)體制造行業(yè)，工藝的先進(jìn)程度與產(chǎn)品的競爭力在很大程度上是成正比的，因此，所有廠商都在不遺余力的提升自己的制造工藝水平。目前，英特爾已經(jīng)達(dá)到了22nm的高水準(zhǔn)，而從AMD中獨(dú)立出來的GlobalFoundries則顯得有
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GlobalFoundries搞定20nm 3D硅穿孔工藝
GlobalFoundries今天宣布已經(jīng)達(dá)成了3D堆棧芯片歷程上里程碑式的關(guān)鍵一步，在位于美國紐約州的Fab 8新工廠內(nèi)成功獲得了第一塊結(jié)合了硅穿孔(TSV)技術(shù)的20nm工藝晶圓。 硅穿孔(TSV)已經(jīng)提出了很多年，在半導(dǎo)體工
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2012年全球半導(dǎo)體TOP25 Globalfoundries最亮眼
市場研究機(jī)構(gòu) IC Insights 公布最新的 2012年全球前二十五大半導(dǎo)體(包括光電元件、感測器與離散元件)供應(yīng)商排行榜，其中 Globalfoundries 與高通(Qualcomm)的銷售業(yè)績分別較前一年成長31%與34%，表現(xiàn)最佳；而高通則是
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臺(tái)灣茂德出售12寸晶圓設(shè)備予GLOBALFOUNDRIES
路透臺(tái)北3月28日 - 臺(tái)灣動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)廠商--茂德周四發(fā)布重大訊息稱，將位在中部科學(xué)工業(yè)園區(qū)的12寸晶圓廠制造設(shè)備，出售予新加坡晶圓代工廠商--格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)，藉以籌措執(zhí)行重整計(jì)劃所需資金
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Globalfoundries 55nm LPe制程適合低電壓應(yīng)用
Globalfoundries宣布將公司的55奈米(nm)低功率強(qiáng)化(LPe)制程技術(shù)平臺(tái)持續(xù)向上提升，推出具備 ARM 新一代記憶體和邏輯 IP 解決方案的 55nm LPe 1V 。55nm LPe 1V 是唯一支援 ARM 1.0/1.2V 實(shí)體 IP 資料庫的先進(jìn)制程節(jié)
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GlobalFoundries拿下聯(lián)發(fā)科28nm芯片訂單
近日，有消息傳出，GlobalFoundries28nm工藝的良品率有了很大的提升，已足以滿足商業(yè)化代工需求，并成功拿到下聯(lián)發(fā)科28nm芯片代工訂單。據(jù)了解，GlobalFoundries新工藝提升之路一直舉步維艱，與臺(tái)積電、聯(lián)電相比一直
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繼拿下高通后，GlobalFoundries再獲聯(lián)發(fā)科28納米訂單
GlobalFoundries(GF)在2012年底28納米制程良率迅速提升，對臺(tái)系晶圓代工廠聯(lián)電造成的沖擊持續(xù)擴(kuò)大，繼拿下高通(Qualcomm)訂單后，日前再度打入聯(lián)發(fā)科供應(yīng)鏈，雙雙坐穩(wěn)臺(tái)積電之外的第二供應(yīng)商地位。市場認(rèn)為，聯(lián)電28納
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GlobalFoundries要雄起？28nm征服聯(lián)發(fā)科
GlobalFoundries自打誕生起就一直不順，新工藝進(jìn)展緩慢、效率低下，不但坑得AMD叫苦不迭，也沒有贏得其它什么大客戶，不過據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露，GlobalFoundries已經(jīng)擊敗聯(lián)電(UMC)，成功拿到了聯(lián)發(fā)科的28nm芯片代工訂單
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繼拿下高通后，GlobalFoundries再獲聯(lián)發(fā)科28納米訂單
GlobalFoundries(GF) 在2012年底28納米制程良率迅速提升，對臺(tái)系晶圓代工廠聯(lián)電造成的沖擊持續(xù)擴(kuò)大，繼拿下高通(Qualcomm)訂單后，日前再度打入聯(lián)發(fā)科供應(yīng)鏈， 雙雙坐穩(wěn)臺(tái)積電之外的第二供應(yīng)商地位。市場認(rèn)為，聯(lián)電2
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繼拿下高通后，GlobalFoundries再獲聯(lián)發(fā)科28納米訂單
GlobalFoundries(GF) 在2012年底28納米制程良率迅速提升，對臺(tái)系晶圓代工廠聯(lián)電造成的沖擊持續(xù)擴(kuò)大，繼拿下高通(Qualcomm)訂單后，日前再度打入聯(lián)發(fā)科供應(yīng)鏈， 雙雙坐穩(wěn)臺(tái)積電之外的第二供應(yīng)商地位。市場認(rèn)為，聯(lián)電2
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GlobalFoundries要雄起？28nm征服聯(lián)發(fā)科
GlobalFoundries自打誕生起就一直不順，新工藝進(jìn)展緩慢、效率低下，不但坑得AMD叫苦不迭，也沒有贏得其它什么大客戶，不過據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露，GlobalFoundries已經(jīng)擊敗聯(lián)電(UMC)，成功拿到了聯(lián)發(fā)科的28nm芯片代工訂單。
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GlobalFoundries要雄起？28nm征服聯(lián)發(fā)科
GlobalFoundries自打誕生起就一直不順，新工藝進(jìn)展緩慢、效率低下，不但坑得AMD叫苦不迭，也沒有贏得其它什么大客戶，不過據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露，GlobalFoundries已經(jīng)擊敗聯(lián)電(UMC)，成功拿到了聯(lián)發(fā)科的28nm芯片代工訂單。
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GlobalFoundries要雄起？28nm征服聯(lián)發(fā)科
GlobalFoundries自打誕生起就一直不順，新工藝進(jìn)展緩慢、效率低下，不但坑得AMD叫苦不迭，也沒有贏得其它什么大客戶，不過據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露，GlobalFoundries已經(jīng)擊敗聯(lián)電(UMC)，成功拿到了聯(lián)發(fā)科的28nm芯片代工訂單。
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買力晶設(shè)備 格羅方德廢標(biāo)
力晶債權(quán)銀行團(tuán)宣布，格羅方德(GlobalFoundries)未依約定繳交保證金，1月底標(biāo)購力晶P3廠機(jī)器設(shè)備案成「廢標(biāo)」，約1個(gè)月后進(jìn)行第2輪公開標(biāo)售。 力晶在1月公開標(biāo)售P3廠機(jī)器設(shè)備，總標(biāo)售金額為1.86億美元，其中，格
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GLOBALFOUNDRIES 推出先進(jìn) 55nm CMOS 邏輯制程
GLOBALFOUNDRIES 宣布將公司的 55 奈米 (nm) 低功率強(qiáng)化 (LPe) 制程技術(shù)平臺(tái)持續(xù)向上提升，推出具備 ARM 合格的新一代記憶體和邏輯 IP 解決方案的 55nm LPe 1V。55nm LPe 1V 是業(yè)界首創(chuàng)唯一支援 ARM 1.0/1.2V 實(shí)體 I
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GLOBALFOUNDRIES推出強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程
GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強(qiáng)化型(LPe)制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲(chǔ)器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V。“55nmLPe1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM1.0/1.2V物理I
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GLOBALFOUNDRIES推強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程
近日，GLOBALFOUNDRIES宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強(qiáng)化型 (LPe)制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲(chǔ)器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯
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