在當(dāng)前的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中,F(xiàn)D-SOI(Fully Depleted Silicon-On-Insulator,全耗盡絕緣層上硅)技術(shù)以其獨(dú)特的優(yōu)勢備受關(guān)注。FPGA(Field Programmable Gate Array,現(xiàn)場可編程門陣列)作為一種可編程的集成電路,其靈活性和可配置性在多個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)FD-SOI技術(shù)與FPGA相結(jié)合時(shí),產(chǎn)生的基于FD-SOI的FPGA芯片不僅繼承了FPGA的靈活性和可配置性,還獲得了FD-SOI技術(shù)的諸多優(yōu)勢。本文將詳細(xì)探討基于FD-SOI的FPGA芯片的技術(shù)優(yōu)勢以及其在各領(lǐng)域的應(yīng)用。
“到2019年底,我們將出貨一億顆FD-SOI芯片!” 在由芯原微電子主辦的第七屆上海FD-SOI論壇上,格芯中國區(qū)總裁、全球高級(jí)副總裁Americo Lemos,一字一頓地把這句話重復(fù)了兩遍。
俄勒岡州波特蘭市——按照我們許多人認(rèn)為的典型的非黑即白/非此即彼的方式,大多數(shù)半導(dǎo)體制造商做出的選擇是 FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)或 FD-SOI(完全耗盡的絕緣體上硅)。然而,由于臺(tái)積電 (TSMC)、GlobalFoundries Inc. (加利福尼亞州圣克拉拉市) 和三星 (韓國首爾) 等代工廠必須為其客戶提供這兩種能力,因此越來越多的半導(dǎo)體制造商正在考慮提供兩全其美。
隨著世界經(jīng)濟(jì)向數(shù)字化和脫碳轉(zhuǎn)型,新的高產(chǎn)能聯(lián)營晶圓廠將更好滿足歐洲和全球客戶需求
意法愛立信(ST-Ericsson),推出高整合度 LTE 智慧型手機(jī)平臺(tái) NovaThor L8580 ModAp ,是一款支持LTE多模的智慧型手機(jī)平臺(tái),它整合了全套的無線連結(jié)(conn
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來到了一個(gè)十字路口:有些設(shè)計(jì)追求微縮至7納米節(jié)點(diǎn)制程,但大多數(shù)設(shè)計(jì)其實(shí)還停留在28納米或更舊的節(jié)點(diǎn)。 就如同我們在兩年多以前所預(yù)測,IC產(chǎn)業(yè)正分頭發(fā)展,只有少數(shù)產(chǎn)品積極
“FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”,Soitec全球業(yè)務(wù)部高級(jí)執(zhí)行副總裁Bernard ASPAR在SEMICON China期間的Soitec新聞發(fā)布會(huì)上表示。
格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工藝平臺(tái),新型存儲(chǔ)器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器)已投入生產(chǎn)。
28 nm FD-SOI究竟有何神奇之處?
萊迪思Nexus技術(shù)平臺(tái)采用三星代工廠28 nm FD-SOI工藝,提供解決方案、架構(gòu)和電路層面的創(chuàng)新,實(shí)現(xiàn)低功耗網(wǎng)絡(luò)邊緣應(yīng)用
?中國上海,2019年10月24日——芯片設(shè)計(jì)平臺(tái)即服務(wù)(SiPaaS?)公司芯原今天宣布推出基于GLOBALFOUNDRIES?(格芯?)22FDX?平臺(tái)的全面FD-SOI設(shè)計(jì)IP平臺(tái),以及30多個(gè)IP。
在2019年9月16日舉行的第七屆上海FD-SOI論壇上,瑞芯微電子高級(jí)副總裁陳鋒指出,由于AIoT市場是一個(gè)高度分散的市場,對(duì)于高性能,計(jì)算能力以及連接性能等方面都有著很高的要求。而這些需求都會(huì)給芯
在2019年9月16日舉行的第七屆上海FD-SOI論壇上,瑞芯微電子高級(jí)副總裁陳鋒指出,由于AIoT市場是一個(gè)高度分散的市場,對(duì)于高性能,計(jì)算能力以及連接性能等方面都有著很高的要求。而這些需求都會(huì)給芯
伴隨著汽車的不斷發(fā)展,汽車電子控制技術(shù)不斷發(fā)展。汽車微控制器正在挑戰(zhàn)嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(e-NVM)的極限,主要體現(xiàn)在存儲(chǔ)單元面積、訪問時(shí)間和耐熱性能三個(gè)方面。
中國北京,2019年6月11日——格芯(GLOBALFOUNDRIES)與Soitec于近日宣布,已簽署了多項(xiàng)300mm絕緣硅(SOI)晶圓的長期供應(yīng)協(xié)議。協(xié)議將確保SOI晶圓的大批量供應(yīng),以滿足格芯客戶針對(duì)射頻絕緣體上硅(RF-SOI)、全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)和硅光子技術(shù)這些差異化平臺(tái)不斷增長的需求。此批即期生效協(xié)議基于雙方現(xiàn)有的密切合作關(guān)系,將在未來幾年內(nèi)確保最先進(jìn)SOI晶圓的大批量生產(chǎn)。
隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注,Soitec的業(yè)務(wù)也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展,從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見一斑。
加利福尼亞州圣克拉拉,2018年5月23日——格芯今日宣布,其22nm FD-SOI (22FDX®)技術(shù)平臺(tái)已通過AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI工藝技術(shù),格芯的22FDX平臺(tái)融合全面的技術(shù)和設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)能力,旨在提高汽車集成電路(IC)的性能和能效,同時(shí)仍然遵循嚴(yán)格的汽車安全和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。
格芯(GLOBALFOUNDRIES)與意法半導(dǎo)體公司(STMicroelectronics,NYSE:STM)于近日宣布,意法半導(dǎo)體公司選定格芯22納米FD-SOI(22FDX®)技術(shù)平臺(tái),為其新一代工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用的處理器解決方案提供支持。
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX)平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案,格芯22FDXeMRAM,為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
近年來,MCU領(lǐng)域一直保持著較高的景氣度,據(jù)IC Insights的市場研究報(bào)告中指出,2015年全球MCU市場產(chǎn)值達(dá)168億美元(比2014年增長5.6%),出貨量達(dá)209億顆(比2014年提升12.4%),而平均每顆售價(jià)則是0.81美元。而未來到2019年,MCU的銷售量仍維持逐年遞增(年復(fù)合成長率CAGR約為6%)、ASP逐年遞減的趨勢,但整體MCU市場規(guī)模仍是上揚(yáng)的。