IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí),漏極電流與柵極電壓 的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也 可分為飽和區(qū) 1 、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止 下的IGBT ,正向電壓由J2結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。 無N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓 做到同樣水平,加入N+緩沖區(qū)后,反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平, 限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。
一個等效的 IBGT 模型,其中包括端子之間的電容。輸入、輸出和反向傳輸電容是這些電容的組合。數(shù)據(jù)表中規(guī)定了測量電容的測試條件。
這是從芯片結(jié)到器件外殼外部的熱阻。熱量是設(shè)備本身功率損失的結(jié)果,熱阻與基于這種功率損失的芯片的熱度有關(guān)。之所以稱為熱阻,是因?yàn)槭褂秒姎饽P透鶕?jù)穩(wěn)態(tài)功率損耗預(yù)測溫升。
與低功率同類產(chǎn)品不同,MOSFET、IGBT、功率二極管和晶閘管等功率器件會產(chǎn)生大量熱量。因此,有效的熱管理對于確保電力電子設(shè)備的可靠性和優(yōu)化的壽命性能至關(guān)重要,包括由更高工作溫度、寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料制成的設(shè)備。
氣候變化和社會對環(huán)境問題日益敏感,需要為化石燃料動力車輛開發(fā)技術(shù)解決方案。逐步減少排放的監(jiān)管要求要求內(nèi)燃機(jī)的設(shè)計(jì)具有較小的容積、較高的發(fā)動機(jī)轉(zhuǎn)速,并且能夠以較不濃的燃料混合物運(yùn)行。
IGBT相當(dāng)于一個由MOSFET驅(qū)動的厚基區(qū)PNP型晶體管,它的簡化等效電路如圖(b)所示,圖中的RN為PNP晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。
【2022年5月30日,德國慕尼黑訊】Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有內(nèi)部續(xù)流二極管(FWD)、采用陶瓷平板封裝的全新壓接式IGBT(PPI),進(jìn)一步壯大其高功率Prime Switch系列的產(chǎn)品陣容。該P(yáng)PI專為輸配電應(yīng)用而設(shè)計(jì),是大電流模塊化多電平轉(zhuǎn)換器(MMC)、中壓驅(qū)動器、直流電網(wǎng)斷路器、風(fēng)電變流器和牽引系統(tǒng)的理想選擇。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士爆料稱,車用芯片大廠安森美(Onsemi)深圳廠內(nèi)部人士透露,其車用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)訂單已滿且不再接單,2022年-2023年產(chǎn)能已全部售罄,但不排除有部分客戶重復(fù)下單的可能。
摘要:直流斷路器是保障柔性直流輸電系統(tǒng)可靠性的重要裝備,IGBT作為斷路器的關(guān)鍵器件對斷路器整機(jī)分?jǐn)嗄芰τ兄匾绊憽,F(xiàn)對直流斷路器用IGBT的主要工作特征做簡要闡述,根據(jù)實(shí)際工況搭建了測試系統(tǒng),對器件進(jìn)行超額定值的大電流關(guān)斷測試,并對測試結(jié)果進(jìn)行理論分析,這對直流斷路器用IGBT的器件參數(shù)配置具有良好的指導(dǎo)意義。
如果說IGBT解決了汽車電動化的瓶頸,那MCU就是解決汽車智能化的關(guān)鍵,對汽車智能化發(fā)展起著決定性的作用。
雖然 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動器設(shè)計(jì)用于以短時(shí)間高峰值電流驅(qū)動高頻容性負(fù)載,但我們知道它們還可以驅(qū)動感性負(fù)載,例如功率繼電器線圈嗎?這就是 MOSFET/IGBT 柵極驅(qū)動器的秘密生命。 這不是新概念。當(dāng)它們驅(qū)動感性負(fù)載時(shí),它們通常以低得多的頻率切換,驅(qū)動電流受線圈電阻的限制。柵極驅(qū)動 IC 已用于驅(qū)動電感負(fù)載,例如柵極驅(qū)動變壓器,但頻率范圍為數(shù)十至數(shù)百千赫。
摘要:直流斷路器是保障柔性直流輸電系統(tǒng)可靠性的重要裝備,IGBT作為斷路器的關(guān)鍵器件對斷路器整機(jī)分?jǐn)嗄芰τ兄匾绊憽,F(xiàn)對直流斷路器用IGBT的主要工作特征做簡要闡述,根據(jù)實(shí)際工況搭建了測試系統(tǒng),對器件進(jìn)行超額定值的大電流關(guān)斷測試,并對測試結(jié)果進(jìn)行理論分析,這對直流斷路器用IGBT的器件參數(shù)配置具有良好的指導(dǎo)意義。
安世半導(dǎo)體的IGBT產(chǎn)品流片成功,意味著聞泰科技在車規(guī)級半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展再進(jìn)一步,也將進(jìn)一步帶動國內(nèi)車規(guī)級半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
我們中的許多人都熟悉低功率直流電機(jī),因?yàn)槲覀冊谌粘I钪须S處可見它們。我們可能看不到所有更大的交流工業(yè)電機(jī)在幕后工作,以自動化我們的汽車組裝或提升我們每天乘坐的電梯。這些大功率電機(jī)由具有不同要求和更高電流的電子設(shè)備驅(qū)動。在本文的第 1 部分中,我們將討論用于控制三相交流電機(jī)大電流的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)的理論和要求。在第 2 部分中,我們將討論隔離要求和正確計(jì)算 IGBT 驅(qū)動功率量。
在本系列的第 1 部分中,我們討論了如何正確選擇 IGBT 的控制電壓。這一次,我們將了解有關(guān)隔離要求以及如何計(jì)算正確的IGBT 驅(qū)動功率的更多信息。 對于任何工業(yè)電機(jī)驅(qū)動,必須確保輸入電路(低壓)和輸出電路(高壓)的電位分離。低壓側(cè)與控制電子設(shè)備接口,而高壓側(cè)連接到 IGBT。隔離是必要的,因?yàn)樯喜?IGBT 的發(fā)射極電位在直流母線的 DC+ 和 DC- 電位之間切換,其范圍可以在數(shù)百或數(shù)千伏之間。根據(jù)應(yīng)用,必須遵守相應(yīng)的電氣間隙和爬電距離標(biāo)準(zhǔn)以及符合測試電壓。觀察到的一些典型標(biāo)準(zhǔn)是:IEC60664-1、IEC60664-3、IEC61800-5-1 和 EN50124-1。
在這篇文章中,小編將對智能功率模塊IPM的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對它的了解程度,和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
2022年2月15日,中國---意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間,簡化電路設(shè)計(jì)。
電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動化、機(jī)器人、電動汽車、太陽能、白色家電和電動工具等應(yīng)用中持續(xù)增長。伴隨著這種增長是對提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設(shè)計(jì)的需求。雖然使用分立式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 設(shè)計(jì)定制電機(jī)和逆變器功率電子器件以滿足特定要求很有誘惑力,但從長遠(yuǎn)來看,這樣做的成本很高,而且會延誤設(shè)計(jì)進(jìn)度。
缺芯,一直是我國科技產(chǎn)業(yè)揮之不去的痛。因?yàn)樾酒淖饔脤?shí)在太大了,發(fā)展至今它已經(jīng)滲透到我們的方方面面,比如汽車、各種智能家居、電子產(chǎn)品的正常使用,都依賴于一顆小小的芯片。
搭配電動車市場的快速成長,近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試,近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞,預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。