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IGBT的工作原理是什么？IGBT兩類短路保護(hù)了解嗎
在下述的內(nèi)容中，小編將會對IGBT的相關(guān)消息予以報道，如果IGBT是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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IGBT常用的過流保護(hù)措施有哪些？IGBT開關(guān)特性解讀
一直以來，IGBT都是大家的關(guān)注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)鞩GBT的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請看下文。
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貿(mào)澤電子開售能為電動汽車牽引逆變器提供可擴(kuò)展性能的英飛凌HybridPACK Drive G2模塊
2024年11月26日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌的HybridPACK? Drive G2模塊。HybridPACK Drive G2模塊基于HybridPACK Drive G1，在相同的緊湊尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模塊是一款高效率的汽車功率模塊，適用于電動汽車 (EV) 以及混合動力電動汽車 (HEV) 的牽引逆變器。
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IGBT的發(fā)熱功率及散熱系統(tǒng)探討
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT)作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的核心器件，以其高電壓、大電流、高頻率等特性，廣泛應(yīng)用于變頻器、開關(guān)電源、軌道交通、電動汽車及新能源等領(lǐng)域。然而，隨著IGBT向高功率和高集成度方向發(fā)展，其發(fā)熱問題日益突出，對散熱系統(tǒng)的要求也越來越高。
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電動汽車的DC-DC轉(zhuǎn)換器類型
DC-DC轉(zhuǎn)換器是一種機(jī)電設(shè)備或電路，用于根據(jù)電路要求將直流電壓從一個電平轉(zhuǎn)換到另一個電平。作為電力轉(zhuǎn)換器家族的一部分，DC-DC轉(zhuǎn)換器可用于小電壓應(yīng)用，如電池，或高電壓應(yīng)用，如高壓電力傳輸。
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Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續(xù)發(fā)展、電動出行和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用而優(yōu)化設(shè)計
該系列產(chǎn)品支持多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、電流和電壓范圍
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動器 STGAP3S為 IGBT 和 SiC MOSFET 提供靈活的保護(hù)功能
面向空調(diào)、家電和工廠自動化等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動裝置和充電站、儲能系統(tǒng)、電源等能源應(yīng)用的功率控制
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IGBT控制信號了解嗎？電流對IGBT的關(guān)斷有什么影響？
在下述的內(nèi)容中，小編將會對IGBT的相關(guān)消息予以報道，如果IGBT是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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電壓對關(guān)斷有什么影響？IGBT吸收電路如何優(yōu)化
以下內(nèi)容中，小編將對IGBT的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對IGBT的了解，和小編一起來看看吧。
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IGBT吸收電容是什么？IGBT關(guān)斷機(jī)理詳解！
本文中，小編將對IGBT予以介紹，如果你想對它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識，或者想要增進(jìn)對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。
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IGBT如何改善寄生電容，適合高頻操作
在導(dǎo)通特性方面，IGBT的導(dǎo)通損耗由器件導(dǎo)通時的壓降造成，其參數(shù)為Vce(sat)，隨溫度變化較小。而SiC MOSFET的導(dǎo)通特性表現(xiàn)得更像一個電阻輸出特性，具有更小的導(dǎo)通損耗，特別是在電流較小的情況下?2。
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基于SIC的MOS、硅MOS和IGBT的特性對比
高頻工作，可以減小電源系統(tǒng)中電容以及電感或變壓器的體積，降低電源成本，讓電源實現(xiàn)小型化，美觀化。從而實現(xiàn)電源的升級換代。
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IGBT膝電壓是什么？IGBT開通延遲過程詳解
在這篇文章中，小編將為大家?guī)鞩GBT的相關(guān)報道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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IGBT工作原理是什么？IGBT正向耐壓、反向耐壓了解嗎
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞩GBT的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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HOLTEK新推出HT45R1005電磁爐OTP MCU
Holtek持續(xù)精進(jìn)電磁爐產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)，再推出更具性價比的電磁爐OTP MCU?HT45R1005。HT45R1005封裝引腳與HT45F0058相互兼容，相較于前代產(chǎn)品提供更豐富的資源，如硬件輔助UL認(rèn)證功能及臺階電壓偵測功能等，同時也保留前代產(chǎn)品優(yōu)勢，如電磁爐所需的硬件保護(hù)電路(電壓/電流浪涌保護(hù)、IGBT過壓保護(hù))、PPG含硬件抖頻功能，使電磁爐工作于高功率時，可以有效減小IGBT反壓以及降低EMI電磁干擾，減少抗EMI元件成本，并通過EMI標(biāo)準(zhǔn)測試。
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IGBT模塊吸收電容參數(shù)設(shè)計，IGBT 模塊失效機(jī)理分析
IGBT模塊將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對IGBT模塊的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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IGBT的損耗與結(jié)溫計算：深入探討與公式解析
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為電力電子領(lǐng)域的核心元件，其損耗與結(jié)溫的計算對于電路的設(shè)計與優(yōu)化至關(guān)重要。本文將從IGBT的損耗類型出發(fā)，詳細(xì)闡述其計算方法，并進(jìn)一步探討結(jié)溫的計算公式與步驟，以期為工程師們提供有益的參考。
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MOSFET與IGBT的定義與特性
MOSFET，全稱Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。它由金屬、氧化物（如SiO?或SiN）及半導(dǎo)體三種材料制成，具有三個主要電極：源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
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IGBT和MOSFET的優(yōu)缺點有哪些
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為兩種重要的半導(dǎo)體功率器件，在電力電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。它們各自具有獨特的優(yōu)缺點，以下是對兩者優(yōu)缺點的詳細(xì)分析：
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干貨滿滿！IGBT基礎(chǔ)知識匯總
GBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
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